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UCC21220A

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适用于 MOSFET 和 GaNFET 的具有禁用引脚和 5V UVLO 的 3.0kVrms 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器

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UCC21220A

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产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 6 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 5
Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 6 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 5
SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6
  • 支持基本隔离和功能隔离
  • CMTI 大于 100V/ns
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 开关参数：
    • 40ns 最大传播延迟
    • 5ns 最大延迟匹配
    • 5.5ns 最大脉宽失真
    • 35µs 最大 VDD 上电延迟
  • 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
  • 工作温度范围 (TA) = –40°C 至 125°C
  • 窄体 SOIC-16 (D) 封装
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 4242VPK 隔离（计划）
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离
    • 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证（计划）
  • 支持基本隔离和功能隔离
  • CMTI 大于 100V/ns
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 开关参数：
    • 40ns 最大传播延迟
    • 5ns 最大延迟匹配
    • 5.5ns 最大脉宽失真
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  • 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
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  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 4242VPK 隔离（计划）
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离
    • 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证（计划）

UCC21220 和 UCC21220A 器件是具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在 PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率 MOSFET 和 GaNFET，借助超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)，可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。

这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联，以形成单个驱动器，由于具有一流的延迟匹配性能，因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。

保护特性包括以下几项：DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出；INA/B 引脚可抑制短于 5ns 的输入瞬态；输入和输出可以承受 –2V 的尖峰达 200ns，所有电源都具有欠压锁定 (UVLO) 功能，有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在 2.1V 以下。

凭借这些特性，这些器件可以在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

UCC21220 和 UCC21220A 器件是具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在 PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率 MOSFET 和 GaNFET，借助超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)，可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。

这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联，以形成单个驱动器，由于具有一流的延迟匹配性能，因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。

保护特性包括以下几项：DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出；INA/B 引脚可抑制短于 5ns 的输入瞬态；输入和输出可以承受 –2V 的尖峰达 200ns，所有电源都具有欠压锁定 (UVLO) 功能，有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在 2.1V 以下。

凭借这些特性，这些器件可以在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
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设计和开发

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评估板

UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A/6A、3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21220EVM-009 专为评估 UCC21220 而设计，后者是一款具有 4.0A 拉电流和 6.0A 峰值灌电流容量的 3.0kVRMS 隔离双通道栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。此 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
用户指南: PDF
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仿真模型

UCC21220AD PSpice Transient Model

SLUM649.ZIP (58 KB) - PSpice Model
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仿真模型

UCC21220AD Unencrypted PSpice Transient Model

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PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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参考设计

PMP30446 — 采用标准 Si-MOSFET 的 99% 峰值效率、585W 高压降压参考设计

此参考设计将 450V 至 780V 的直流输入源转换为 1.5A、390V 非隔离式输出。由于其实际功率级仅使用标准的器件组件，该参考设计是 SiC FET 和 SiC 二极管降压转换器的替代解决方案。为了使用额定值为 600V 的器件，将输入源拆分，从而允许两个相同的降压级共用中心点。单个耦合电感 (1:1) 可自动平衡中心点。如果两个 FET 出现电压不均衡，或其栅极驱动延迟时间略有差异，两个小型串联电感器可限制每个分支的电流。在 CRM 模式（临界导通模式）下，该转换器可最大程度地降低开关损耗，从而在 450V 输入电压和满载条件下实现 99% 的峰值效率。
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这款 12V、42A 输出半桥参考设计适用于有线网络园区和分支交换机中的总线转换器。该设计具有高效率和各种故障保护功能（过流和短路）。该设计对使用 3kVRMS 基本和功能隔离栅驱动器 UCC21220D、UCC21220AD、UCC21222D 和使用 5.7kRMS 增强型隔离栅驱动器 UCC21540D、UCC21540DWK 及 UCC21541DW 的效率进行了比较。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 16 Ultra Librarian
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包含信息：
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  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
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  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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