UCC27332-Q1
- 符合汽车应用要求
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 H2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 业界通用引脚排列
- 典型的 9A 灌电流、9A 拉电流输出
- 输入引脚可承受高达 -5V 的电压
- 绝对最大 VDD 电压：20V
- 宽 VDD 工作范围为 4.5V 至 18V
- 采用 3mm x 3mm MSOP8 封装
- 典型值为 25ns 的传播延迟
- TTL 兼容输入阈值
- 工作结温范围：–40°C 至 125°C
UCC27332-Q1 是一款单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET 和 GaN 开关管。UCC27332-Q1 的典型峰值驱动强度为 9A，这有助于缩短开关管的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。UCC27332-Q1 器件的短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。
UCC27332-Q1 可以在输入端处理 –5V 的电压，通过平缓的接地反弹提高系统稳健性。独立的使能信号支持在不依赖主控制逻辑的情况下对功率级进行控制。如果在系统中检测到故障，栅极驱动器可以快速关断功率级（需要关断动力总成）。使能功能还可提高系统稳健性。许多高频开关电源在电源器件的栅极都存在高频噪音，这种噪音会进入栅极驱动器的输出引脚，造成驱动器故障。UCC27332-Q1 具有瞬态反向电流和反向电压功能，因此在上述情况下具有优异的性能。
如果 VDD 电压低于指定的上电复位阈值，强大的内部下拉 MOSFET 可使输出保持低电平。此有源下拉特性可进一步改善系统稳健性。小型 3mm × 3mm MSOP 封装可优化栅极驱动器放置并改进布局。这种小型封装还可优化栅极驱动器放置并改进布局。
技术文档
| 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | UCC27332-Q1 具有 –5V 输入能力、适用于汽车应用的 20V、9A 单通道低侧栅极驱动器 数据表 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2022年 4月 7日 |
| 证书 | UCC27332Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2023年 5月 3日 |
设计和开发
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UCC27322Q1EVM — 具有使能端的 UCC27322-Q1 汽车类单路 9A 高速低侧 MOSFET 驱动器
UCC2732X-Q1 是一系列高速驱动器，能够提供高达 9A 的峰值驱动电流，经优化可适用于因高 dv/dt 转换而需要极端 Miller 电流的系统。借助该 EVM，可实现对所提供两个逻辑选项（反相 (UCC27321-Q1) 和非反相 (UCC27322-Q1)）的评估。UCC27321-Q1 提供使能 (ENBL) 功能以更好地控制驱动器应用的操作，为方便起见，已将此功能在 EVM 上进行了细分。此系列的驱动器可用作低功耗控制器（分立式控制器、DSP、MCU 或微控制器）和功率 MOSFET 之间的接口。
UCC27332Q1EVM — UCC27332-Q1 具有使能功能的单通道 18V、9A 高速低侧 MOSFET 驱动器评估模块
UCC27332-Q1 评估模块主要用于评估 UCC27332-Q1 的性能。此驱动器是一款 20V VDD 低侧驱动器，具有 9A 峰值拉电流和 9A 峰值灌电流，用于驱动 N 沟道 MOSFET。该评估板还可用于评估支持的封装中的其他引脚对引脚兼容器件。
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