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TPS7H5021-SEP

アクティブ

Radiation-tolerant 50% duty cycle PWM controller for driving MOSFET or GaN FETs

製品詳細

Topology Boost, Forward Control mode Peak current mode Features External Sync, GaN support, MOSFET Gate Driver, Programmable Soft-start, Programmable slope compensation Duty cycle (max) (%) 50
Topology Boost, Forward Control mode Peak current mode Features External Sync, GaN support, MOSFET Gate Driver, Programmable Soft-start, Programmable slope compensation Duty cycle (max) (%) 50
HTSSOP (PWP) 24 49.92 mm² 7.8 x 6.4
  • 耐放射線性能:
    • 吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA)
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) 耐性:LET = 75MeV-cm2/mg
    • LET = 75MeV-cm2/mg まで、SET (シングル イベント過渡) および SEFI (シングル イベント機能割り込み) 特性を評価済み
  • コントローラ段とドライバ段の両方で最大入力電圧 14V
  • 専用ゲート ドライバ電圧入力ピン(PVIN)により、シリコンと GaN 両方のデバイスを駆動
    • 12V における 1.2A のピークソースおよびシンク能力
    • GaN 駆動用の VLDO リニア レギュレータ出力から PVIN へのオプション接続 (TPS7H502x)
    • 4.5V ~ 5.5V のプログラム可能なリニア レギュレータ (VLDO) (TPS7H502x)
  • 温度、放射線、ラインおよび負荷レギュレーションの全範囲で 0.6V ±1% の電圧リファレンス
  • スイッチング周波数:100kHz ~ 1MHz (TPS7H502x)、または 100kHz ~ 500kHz (TPS7H503x)
  • 外部クロック同期機能
  • 調整可能なスロープ補償とソフト スタート機能
  • ASTM E595 に準拠したガス排出試験済みのプラスチック パッケージ
  • 軍事用温度範囲 (-55°C~125°C) で利用可能
  • 耐放射線性能:
    • 吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA)
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) 耐性:LET = 75MeV-cm2/mg
    • LET = 75MeV-cm2/mg まで、SET (シングル イベント過渡) および SEFI (シングル イベント機能割り込み) 特性を評価済み
  • コントローラ段とドライバ段の両方で最大入力電圧 14V
  • 専用ゲート ドライバ電圧入力ピン(PVIN)により、シリコンと GaN 両方のデバイスを駆動
    • 12V における 1.2A のピークソースおよびシンク能力
    • GaN 駆動用の VLDO リニア レギュレータ出力から PVIN へのオプション接続 (TPS7H502x)
    • 4.5V ~ 5.5V のプログラム可能なリニア レギュレータ (VLDO) (TPS7H502x)
  • 温度、放射線、ラインおよび負荷レギュレーションの全範囲で 0.6V ±1% の電圧リファレンス
  • スイッチング周波数:100kHz ~ 1MHz (TPS7H502x)、または 100kHz ~ 500kHz (TPS7H503x)
  • 外部クロック同期機能
  • 調整可能なスロープ補償とソフト スタート機能
  • ASTM E595 に準拠したガス排出試験済みのプラスチック パッケージ
  • 軍事用温度範囲 (-55°C~125°C) で利用可能

TPS7H502x と TPS7H503x は、放射線耐性が強化された電流モードのシングルエンド PWM コントローラで、統合されたゲート ドライバを内蔵しています。TPS7H502x は、シリコンベースおよび窒化ガリウム (GaN) パワー半導体ベースのコンバータ設計で利用でき、TPS7H503x はシリコンベースのコンバータを対象としています。これらのコントローラは、ソフトスタート、イネーブル、調整可能なスロープ補償などのいくつかの主要な機能を統合しながら、コンパクトなパッケージ サイズを維持しています。これらのコントローラは、0.6V ±1% の電圧リファレンス公差を備えており、高精度なパワー コンバータ設計をサポートします。

TPS7H502x と TPS7H503x は、SYNC ピンを通じて外部クロックを使用して動作させることも、RT ピンを使用して内部オシレータをユーザーが決定した周波数で設定して動作させることもできます。TPS7H502x デバイスは最大 1MHz の周波数でスイッチングでき、TPS7H503x は最大 500kHz の動作をサポートします。これらのコントローラのドライバ段は、広い入力電圧範囲を持ち、ピーク ソースおよびシンク電流は最大 1.2A をサポートします。TPS7H502x のプログラム可能なレギュレータ VLDO は、GaN FET と連携して動作するために、ドライバ段 (PVIN) の入力に直接接続して、適切に制御されたゲート電圧を供給することもできます。プログラム可能なレギュレータは、4.5V から 5.5V の電圧範囲を持っています。TPS7H5020 と TPS7H5030 デバイスの最大デューティ サイクルは 100% で、TPS7H5021 と TPS7H5031 の最大デューティ サイクルは 50% です。これらのコントローラは、フライバック、フォワード、昇圧など、多くの電力コンバータ トポロジをサポートしています。

TPS7H502x と TPS7H503x は、放射線耐性が強化された電流モードのシングルエンド PWM コントローラで、統合されたゲート ドライバを内蔵しています。TPS7H502x は、シリコンベースおよび窒化ガリウム (GaN) パワー半導体ベースのコンバータ設計で利用でき、TPS7H503x はシリコンベースのコンバータを対象としています。これらのコントローラは、ソフトスタート、イネーブル、調整可能なスロープ補償などのいくつかの主要な機能を統合しながら、コンパクトなパッケージ サイズを維持しています。これらのコントローラは、0.6V ±1% の電圧リファレンス公差を備えており、高精度なパワー コンバータ設計をサポートします。

TPS7H502x と TPS7H503x は、SYNC ピンを通じて外部クロックを使用して動作させることも、RT ピンを使用して内部オシレータをユーザーが決定した周波数で設定して動作させることもできます。TPS7H502x デバイスは最大 1MHz の周波数でスイッチングでき、TPS7H503x は最大 500kHz の動作をサポートします。これらのコントローラのドライバ段は、広い入力電圧範囲を持ち、ピーク ソースおよびシンク電流は最大 1.2A をサポートします。TPS7H502x のプログラム可能なレギュレータ VLDO は、GaN FET と連携して動作するために、ドライバ段 (PVIN) の入力に直接接続して、適切に制御されたゲート電圧を供給することもできます。プログラム可能なレギュレータは、4.5V から 5.5V の電圧範囲を持っています。TPS7H5020 と TPS7H5030 デバイスの最大デューティ サイクルは 100% で、TPS7H5021 と TPS7H5031 の最大デューティ サイクルは 50% です。これらのコントローラは、フライバック、フォワード、昇圧など、多くの電力コンバータ トポロジをサポートしています。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPS7H502x-SP/SEP および TPS7H503x-SP/SEP 放射線耐性電流モード PWM コントローラ (統合ゲート ドライバ付き) データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2026年 2月 24日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H5021-SEP Production Flow and Reliability Report PDF | HTML 2026年 2月 17日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H5021-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report 2026年 2月 17日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H5021-SEP and TPS7H5021-SP QMLP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization 2026年 2月 17日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H5020-SEP and TPS7H5021-SEP Single-Event Effects (SEE) Report (Rev. A) PDF | HTML 2026年 2月 13日
セレクション・ガイド TI Space Products (Rev. K) 2025年 4月 4日
技術記事 低軌道アプリケーションにおける宇宙用拡張製品による課題への対処方法 (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 1月 12日
技術記事 航太級強化產品如何因應低地球軌道應用的挑戰 (Rev. A) PDF | HTML 2024年 1月 11日
技術記事 우주 항공 강화 제품이 저지구 궤도 애플리케이션의 과제를 해결하는 방법 (Rev. A) PDF | HTML 2024年 1月 11日
アプリケーション・ノート Reduce the Risk in Low-Earth Orbit Missions with Space Enhanced Plastic Products (Rev. A) PDF | HTML 2022年 9月 15日
e-Book(PDF) Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 2019年 5月 21日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TPS7H5020EVM — TPS7H5020-SP 評価基板

TPS7H5020EVMは、ゲートドライバとGaN FETを内蔵した単一のTPS7H5020-SP電流モードPWMコントローラの昇圧構成の動作を提示します。このボードは、追加の部品を実装するためのフットプリントを確保およびテストポイントが備わっており、カスタマイズ構成のテストや性能評価に使用できます。
ユーザー ガイド: PDF | HTML
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
HTSSOP (PWP) 24 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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