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Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Power supply voltage - single (V) 1.8, 2.5, 3.3, 5 Power supply voltage - dual (V) +/-2.5, +/-5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 30 CON (typ) (pF) 5 ON-state leakage current (max) (µA) 1 Bandwidth (MHz) 200 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Features Break-before-make Input/output continuous current (max) (mA) 25 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 6 Supply voltage (max) (V) 10 Negative rail supply voltage (max) (V) 0
Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Power supply voltage - single (V) 1.8, 2.5, 3.3, 5 Power supply voltage - dual (V) +/-2.5, +/-5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 30 CON (typ) (pF) 5 ON-state leakage current (max) (µA) 1 Bandwidth (MHz) 200 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Features Break-before-make Input/output continuous current (max) (mA) 25 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 6 Supply voltage (max) (V) 10 Negative rail supply voltage (max) (V) 0
PDIP (N) 16 181.42 mm² 19.3 x 9.4 SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6 SOP (NS) 16 79.56 mm² 10.2 x 7.8 TSSOP (PW) 16 32 mm² 5 x 6.4
  • 宽模拟输入电压范围:

    VCC - VEE:0V 至 10V

  • 低导通电阻:
    • 45Ω(典型值):VCC = 4.5V
    • 35Ω(典型值):VCC = 6V
    • 30Ω(典型值): VCC – VEE = 9V
  • 快速开关和传播延迟时间
  • 低关断漏电流
  • 内置先断后合开关
  • 逻辑电平转换,可启用 5V 逻辑以适应 ±5V 模拟信号
  • 宽工作温度范围:-55°C 至 125°C
  • HC 类型:
    • 工作电压为 2V 至 10V
    • 高抗噪性:当 VCC = 5V 时,NIL = 30%,NIH = VCC 的 30%
  • HCT 类型:
    • 直接 LSTTL 输入逻辑兼容性,VIL = 0.8V(最大值),VIH = 2V(最小值)
    • CMOS 输入兼容性,在 VOL、VOH 下 II ≤ 1µA
  • 宽模拟输入电压范围:

    VCC - VEE:0V 至 10V

  • 低导通电阻:
    • 45Ω(典型值):VCC = 4.5V
    • 35Ω(典型值):VCC = 6V
    • 30Ω(典型值): VCC – VEE = 9V
  • 快速开关和传播延迟时间
  • 低关断漏电流
  • 内置先断后合开关
  • 逻辑电平转换,可启用 5V 逻辑以适应 ±5V 模拟信号
  • 宽工作温度范围:-55°C 至 125°C
  • HC 类型:
    • 工作电压为 2V 至 10V
    • 高抗噪性:当 VCC = 5V 时,NIL = 30%,NIH = VCC 的 30%
  • HCT 类型:
    • 直接 LSTTL 输入逻辑兼容性,VIL = 0.8V(最大值),VIH = 2V(最小值)
    • CMOS 输入兼容性,在 VOL、VOH 下 II ≤ 1µA

’HC4316 和 CD74HCT4316 包含四个独立的数控模拟开关,这些开关采用硅栅 CMOS 技术并借助标准 CMOS 集成电路的低功耗特性来实现与 LSTTL 接近的运行速度。

此外,这些器件还包含逻辑电平转换电路,可通过 5V 逻辑电平实现 ±5V 电压之间的模拟信号切换。当公共使能 (E) 为低电平时,每个开关由其所选输入 (S) 上的高电平电压导通。E 为高电平时,将禁用所有开关。数字输入可以在 VCC 和 GND 之间摆动;模拟输入/输出可以在 VCC(作为正限值)和 VEE(作为负限值)之间摆动。电压范围如Figure 13-1 和Figure 13-2 所示。

’HC4316 和 CD74HCT4316 包含四个独立的数控模拟开关,这些开关采用硅栅 CMOS 技术并借助标准 CMOS 集成电路的低功耗特性来实现与 LSTTL 接近的运行速度。

此外,这些器件还包含逻辑电平转换电路,可通过 5V 逻辑电平实现 ±5V 电压之间的模拟信号切换。当公共使能 (E) 为低电平时,每个开关由其所选输入 (S) 上的高电平电压导通。E 为高电平时,将禁用所有开关。数字输入可以在 VCC 和 GND 之间摆动;模拟输入/输出可以在 VCC(作为正限值)和 VEE(作为负限值)之间摆动。电压范围如Figure 13-1 和Figure 13-2 所示。

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应用手册 使用逻辑器件进行设计 (Rev. C) 1997年 6月 1日
应用手册 Input and Output Characteristics of Digital Integrated Circuits 1996年 10月 1日
应用手册 Live Insertion 1996年 10月 1日
应用手册 SN54/74HCT CMOS Logic Family Applications and Restrictions 1996年 5月 1日
应用手册 Using High Speed CMOS and Advanced CMOS in Systems With Multiple Vcc 1996年 4月 1日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

接口适配器

LEADED-ADAPTER1 — 用于快速测试 TI 5、8、10、16 和 24 引脚引线式封装的表面贴装转 DIP 接头适配器

EVM-LEADED1 板可对 TI 的常见引线式封装进行快速测试和电路板试验。该评估板具有足够的空间,可将 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面贴装封装转换为 100mil DIP 接头。     

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
PDIP (N) 16 Ultra Librarian
SOIC (D) 16 Ultra Librarian
SOP (NS) 16 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 16 Ultra Librarian

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  • MSL 等级/回流焊峰值温度
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