DRV8340-Q1
- 具有符合面向汽车 标准
- 温度等级 1:-40°C ≤ TA ≤ 125°C
- 3 个独立半桥栅极驱动器
- 专用源极 (SHx) 与漏极 (DLx) 引脚支持独立 MOSFET 控制
- 可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 通道 MOSFET (NMOS)
- 智能栅极驱动架构
- 可调转换率控制
- 1.5mA 至 1A 峰值源电流
- 3mA 至 2A 峰值灌电流
- 支持 100% 占空比的栅极驱动器电荷泵
- 提供 SPI (S) 和硬件 (H) 接口
- 6x、3x、1x 和独立的 PWM 模式
- 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
- 电荷泵输出可驱动反向电源保护 MOSFET
- 3.3V、30mA 线性稳压器
- 集成式保护 特性
- VM 欠压锁定 (UVLO)
- 电荷泵欠压 (CPUV)
- 电池短路 (SHT_BAT)
- 接地短路 (SHT_GND)
- MOSFET 过流保护 (OCP)
- 栅极驱动器故障 (GDF)
- 热警告和热关断 (OTW/OTSD)
- 故障状态指示器 (nFAULT)
DRV8340-Q1 器件是一款适用于三相应用的 集成式栅极驱动器。此器件具有三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。专用源极与漏极引脚支持对电磁阀应用进行独立 MOSFET 控制。DRV8340-Q1 使用集成式电荷泵为高侧 MOSFET 生成足够的栅极驱动电压,并使用线性稳压器为低侧 MOSFET 生成足够的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持高达 1A 的峰值栅极驱动拉电流和 2A 的峰值栅极驱动灌电流。DRV8340-Q1 可由单一电源供电,支持适用于栅极驱动器的 5.5 至 60V 宽输入电源电压范围。
6x、3x、1x 和独立输入 PWM 模式可简化与控制器电路的连接。栅极驱动器和器件的配置设置具有高度可配置性,可通过 SPI 或硬件 (H/W) 接口实现。
提供了低功耗睡眠模式,实现较低的静态电流消耗。针对欠压锁定、电荷泵故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路、相位节点电源和接地短路、栅极驱动器故障和过热情况提供内部保护功能。故障状况及故障详情可通过 SPI 器件型号的器件寄存器显示在 nFAULT 引脚上。
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设计和开发
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评估板
DRV8343H-Q1EVM — DRV8343H-Q1 汽车类三相电机智能栅极驱动器评估模块
DRV8343H-Q1EVM 评估模块是一个高度可配置的 6V 至 60V、20A 评估平台,用于评估三相无刷直流 (BLDC) 电机的控制与驱动性能,专为基于 DRV8343H-Q1 汽车智能栅极驱动器的 12V 至 24V 汽车系统而设计。该 EVM 具有板载反向电池保护、稳压 3.3V 电源 LDO、MSP430 微控制器和 CSD18540Q5B NexFET 功率 MOSFET。
用户指南: PDF
评估板
DRV8343S-Q1EVM — DRV8343S-Q1 汽车类三相电机智能栅极驱动器评估模块
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用户指南: PDF
计算工具
Calculate the maximum QG MOSFET that can be driven based on the PWM switching frequency, algorithm type, and additional external capacitance.
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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HTQFP (PHP) | 48 | Ultra Librarian |
订购和质量
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