LMG3100R044
- 集成式 1.7mΩ (LMG3100R017) 或 4.4mΩ (LMG3100R044) GaN FET 和驱动器
- 100V 连续 120V 脉冲式电压额定值
- 集成了高侧电平转换和自举
- 两个 LMG3100 可构成一个半桥
- 无需外部电平转换器
- 5V 外部辅助电源
- 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
- 高压摆率开关，低振铃
- 栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率
- 内部自举电源电压钳位，可防止 GaN FET 过驱动
- 电源轨欠压锁定保护
- 低功耗
- 封装经过优化，便于 PCB 布局
- 外露式顶部 QFN 封装，实现顶面散热
- 底部大型外露焊盘，实现底面散热
LMG3100 器件是一款具有集成驱动器的 100V 连续、120V 脉冲氮化镓 (GaN) FET。该器件提供两种 Rds (on) 和最大电流型号，即 126A/1.7mΩ (LMG3100R017) 和 46A/4.4mΩ (LMG3100R044)。该器件包含一个由高频 GaN FET 驱动器驱动的 100V GaN FET。LMG3100 包含一个高侧电平转换器和自举电路，因此两个 LMG3100 器件可用于形成半桥，而无需额外的电平转换器。
GaN FET 在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容 CISS 和输出电容 COSS 都非常小。驱动器和 GaN FET 均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG3100 器件采用 6.5mm × 4mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。
无论 VCC 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。
该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。
技术文档
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | LMG3100R017 (126A)、LMG3100R044 (46A) 具有集成驱动器的 100V GaN FET 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2024年 12月 31日 |
设计和开发
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评估板
LMG3100EVM-089 — LMG3100 评估模块
LMG3100 评估模块 (EVM) 是一款具有外部 PWM 信号的紧凑且易于使用的功率级。该电路板可配置为降压转换器、升压转换器或其他使用半桥的转换器拓扑。该 EVM 具有两个 LMG3100 电源模块，每个模块均配有一个带集成驱动器的 100V 1.7mΩ GaN FET。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN-FCRLF (VBE) | 15 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
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- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点