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SN55HVD233-SEP

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采用增强型航天塑料封装且具有待机模式的耐辐射 3.3V CAN 收发器

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SN55HVD233-SEP

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Protocols CAN Number of channels 1 Supply voltage (V) 3 to 3.6 Bus fault voltage (V) -16 to 16 Signaling rate (max) (bps) 1000000 Rating Space
Protocols CAN Number of channels 1 Supply voltage (V) 3 to 3.6 Bus fault voltage (V) -16 to 16 Signaling rate (max) (bps) 1000000 Rating Space
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • VID V62/18617
  • 耐辐射
    • 单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下的抗扰度可达 43MeV-cm2/mg
    • 在高达 30krad(Si) 的条件下无 ELDRS
    • 每个晶圆批次的 RLAT 总电离剂量 (TID) 高达 20krad(Si)
  • 增强型航天塑料
    • 受控基线
    • 金线
    • NiPdAu 铅涂层
    • 同一组装和测试场所
    • 同一制造场所
    • 支持军用（-55°C 至 125°C）温度范围
    • 延长的产品生命周期
    • 延长的产品变更通知
    • 产品可追溯性
    • 采用增强型模具化合物实现低释气
  • 符合 ISO 11898-2 标准
  • 总线引脚故障保护大于 ±16V
  • 总线引脚 ESD 保护大于 ±14kV HBM
  • 数据传输速率高达 1Mbps
  • 扩展级共模范围：–7V 至 12V
  • 高输入阻抗支持 120 个节点
  • LVTTL I/O 可承受 5V 的电压
  • 可调节的驱动器传输次数，用于改善信号质量
  • 未供电节点不会干扰总线
  • 低电流待机模式，200µA（典型值）
  • 诊断回送功能
  • 热关断保护
  • 加电和断电无干扰总线输入和输出
    • 具有低 VCC 的高输入阻抗
    • 功率循环过程中单片输出
  • VID V62/18617
  • 耐辐射
    • 单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下的抗扰度可达 43MeV-cm2/mg
    • 在高达 30krad(Si) 的条件下无 ELDRS
    • 每个晶圆批次的 RLAT 总电离剂量 (TID) 高达 20krad(Si)
  • 增强型航天塑料
    • 受控基线
    • 金线
    • NiPdAu 铅涂层
    • 同一组装和测试场所
    • 同一制造场所
    • 支持军用（-55°C 至 125°C）温度范围
    • 延长的产品生命周期
    • 延长的产品变更通知
    • 产品可追溯性
    • 采用增强型模具化合物实现低释气
  • 符合 ISO 11898-2 标准
  • 总线引脚故障保护大于 ±16V
  • 总线引脚 ESD 保护大于 ±14kV HBM
  • 数据传输速率高达 1Mbps
  • 扩展级共模范围：–7V 至 12V
  • 高输入阻抗支持 120 个节点
  • LVTTL I/O 可承受 5V 的电压
  • 可调节的驱动器传输次数，用于改善信号质量
  • 未供电节点不会干扰总线
  • 低电流待机模式，200µA（典型值）
  • 诊断回送功能
  • 热关断保护
  • 加电和断电无干扰总线输入和输出
    • 具有低 VCC 的高输入阻抗
    • 功率循环过程中单片输出

SN55HVD233-SEP 用于 采用 符合 ISO 11898 标准的控制器局域网 (CAN) 串行通信物理层的应用。作为 CAN 收发器，此器件在差分 CAN 总线和 CAN 控制器间提供传输和接收能力，信令速度高达 1Mbps。

SN55HVD233-SEP 专门用于非常严苛的辐射环境， 具有 交叉线保护、过压保护、±16V 接地失效保护和过热（热关断）保护功能。此器件可在 –7V 至 12V 的宽共模范围内运行。此收发器是用于卫星应用的微处理器、FPGA 或 ASIC 的主机 CAN 控制器与差分 CAN 总线之间的 接口。

模式：SN55HVD233-SEP 的引脚 8 RS 具有三种运行模式：高速、斜率控制或低功耗待机模式。用户可直接将引脚 8 接地以选择高速运行模式，驱动器输出晶体管将尽快开启和关闭，无上升和下降斜率限制。由于斜率与引脚的输出电流成比例，用户可在引脚 8 连接接地的电阻器以调节上升和下降斜率。斜率控制可通过 0Ω 电阻器值进行，以实现约 38V/µs 的单端压摆率，所使用的电阻器值最高可达 50kΩ，以实现约 4V/µs 的压摆率。有关斜率控制的更多信息，请参阅应用和实现 部分。

如果对引脚 8 施加高逻辑电平，那么 SN55HVD233-SEP 会进入低电流待机（仅监听）模式，在此模式下，驱动器将关断并且接收器保持活动状态。当本地协议控制器需要向总线传输时，将会改变此低电流待机模式。有关回送模式的更多信息，请参阅应用信息 部分。

环回：当 SN55HVD233-SEP 的环回 LBK 引脚 5 具有逻辑高电平时，会将总线输出和总线输入置于高阻抗状态。其余电路将保持工作状态，可用于驱动器到接收器的回送和自诊断节点功能，且不会干扰总线。

CAN 总线状态：在器件供电运行期间，CAN 总线具有两种状态：显性和隐性。在总线显性状态下，总线采用差分驱动方式，D 和 R 引脚相应地置为逻辑低电平。在隐性总线状态下，总线通过接收器的高电阻内部输入电阻器 RIN 偏置为 VCC/2，D 和 R 引脚相应地偏置为逻辑高电平（请参阅总线状态（物理位表示） 和简化的隐性共模偏置和接收器）。

SN55HVD233-SEP 用于 采用 符合 ISO 11898 标准的控制器局域网 (CAN) 串行通信物理层的应用。作为 CAN 收发器，此器件在差分 CAN 总线和 CAN 控制器间提供传输和接收能力，信令速度高达 1Mbps。

SN55HVD233-SEP 专门用于非常严苛的辐射环境， 具有 交叉线保护、过压保护、±16V 接地失效保护和过热（热关断）保护功能。此器件可在 –7V 至 12V 的宽共模范围内运行。此收发器是用于卫星应用的微处理器、FPGA 或 ASIC 的主机 CAN 控制器与差分 CAN 总线之间的 接口。

模式：SN55HVD233-SEP 的引脚 8 RS 具有三种运行模式：高速、斜率控制或低功耗待机模式。用户可直接将引脚 8 接地以选择高速运行模式，驱动器输出晶体管将尽快开启和关闭，无上升和下降斜率限制。由于斜率与引脚的输出电流成比例，用户可在引脚 8 连接接地的电阻器以调节上升和下降斜率。斜率控制可通过 0Ω 电阻器值进行，以实现约 38V/µs 的单端压摆率，所使用的电阻器值最高可达 50kΩ，以实现约 4V/µs 的压摆率。有关斜率控制的更多信息，请参阅应用和实现 部分。

如果对引脚 8 施加高逻辑电平，那么 SN55HVD233-SEP 会进入低电流待机（仅监听）模式，在此模式下，驱动器将关断并且接收器保持活动状态。当本地协议控制器需要向总线传输时，将会改变此低电流待机模式。有关回送模式的更多信息，请参阅应用信息 部分。

环回：当 SN55HVD233-SEP 的环回 LBK 引脚 5 具有逻辑高电平时，会将总线输出和总线输入置于高阻抗状态。其余电路将保持工作状态，可用于驱动器到接收器的回送和自诊断节点功能，且不会干扰总线。

CAN 总线状态：在器件供电运行期间，CAN 总线具有两种状态：显性和隐性。在总线显性状态下，总线采用差分驱动方式，D 和 R 引脚相应地置为逻辑低电平。在隐性总线状态下，总线通过接收器的高电阻内部输入电阻器 RIN 偏置为 VCC/2，D 和 R 引脚相应地偏置为逻辑高电平（请参阅总线状态（物理位表示） 和简化的隐性共模偏置和接收器）。
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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 采用增强型航天塑料的 SN55HVD233-SEP 3.3V 耐辐射 CAN 收发器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2018年 12月 7日
* VID SN55HVD233-SEP VID V6218617 2020年 8月 6日
* 辐射与可靠性报告 SN55HVD233-SEP Space EP Process Flow and Reliability Report 2019年 4月 24日
* 辐射与可靠性报告 SN55HVD233-SEP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report 2019年 1月 11日
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设计和开发

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