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SN74CBT3383C

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具有 –2V 下冲保护的 5V、交叉点/交换、10 通道 FET 总线开关

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SN74CBT3383C

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产品详情

Configuration Crosspoint/exchange Number of channels 10 Power supply voltage - single (V) 5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 3 CON (typ) (pF) 18.5 Bandwidth (MHz) 200 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Undershoot protection Input/output continuous current (max) (mA) 128 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (max) (V) 5.5
Configuration Crosspoint/exchange Number of channels 10 Power supply voltage - single (V) 5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 3 CON (typ) (pF) 18.5 Bandwidth (MHz) 200 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Features Undershoot protection Input/output continuous current (max) (mA) 128 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (max) (V) 5.5
SOIC (DW) 24 159.65 mm² 15.5 x 10.3 SSOP (DBQ) 24 51.9 mm² 8.65 x 6 TSSOP (PW) 24 49.92 mm² 7.8 x 6.4
  • 针对 A 端口和 B 端口上的断开隔离提供高达 −2V 的下冲保护
  • 具有接近零传播延迟的双向数据流
  • 低导通状态电阻 (ron) 特性（ron 典型值 = 3Ω）
  • 低输入和输出电容可更大程度减小负载和信号失真（Cio(OFF) 典型值 = 8pF）
  • 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗（ICC 最大值为 3µA）
  • VCC 工作范围为 4V 至 5.5V，数据 I/O 支持 0 至 5V 的信号电平（0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5V）
  • 控制输入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 输出驱动
  • Ioff 支持局部关断模式运行
  • 闩锁性能超过 100mA，符合 JESD 78 II 类规范
  • ESD 性能测试符合 JESD 22− 2000V 人体放电模型（A114-B，II 类）− 1000V 充电器件模型 (C101) 标准
  • 支持数字和模拟应用：PCI 接口、内存交错、总线隔离、低失真信号门控
  • 针对 A 端口和 B 端口上的断开隔离提供高达 −2V 的下冲保护
  • 具有接近零传播延迟的双向数据流
  • 低导通状态电阻 (ron) 特性（ron 典型值 = 3Ω）
  • 低输入和输出电容可更大程度减小负载和信号失真（Cio(OFF) 典型值 = 8pF）
  • 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗（ICC 最大值为 3µA）
  • VCC 工作范围为 4V 至 5.5V，数据 I/O 支持 0 至 5V 的信号电平（0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5V）
  • 控制输入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 输出驱动
  • Ioff 支持局部关断模式运行
  • 闩锁性能超过 100mA，符合 JESD 78 II 类规范
  • ESD 性能测试符合 JESD 22− 2000V 人体放电模型（A114-B，II 类）− 1000V 充电器件模型 (C101) 标准
  • 支持数字和模拟应用：PCI 接口、内存交错、总线隔离、低失真信号门控

SN74CBT3383C 是一种具备低导通状态电阻 (ron) 的高速 TTL 兼容型 FET 总线交换开关，可实现超短传播延迟。 SN74CBT3383C A 端口和 B 端口上的有源下冲保护电路可检测下冲事件并确保开关保持正常断开状态，从而对高达 −2V 的下冲事件提供保护。

SN74CBT3383C 可配置为 10 位总线开关，或具有单路输出使能 (be) 输入的 5 位总线交换开关，可在四个信号端口之间提供数据交换。选择 (BX) 输入可控制总线交换开关的数据路径。当 BE 为低电平时，A 端口连接到 B 端口，从而实现端口之间的双向数据流。当 BE 为高电平时，A 和 B 端口之间为高阻抗状态。

该器件完全符合使用 Ioff 的部分断电应用的规范要求。Ioff 特性确保在关断时防止损坏电流通过器件回流。该器件可在关断时提供隔离。

为确保上电或断电期间的高阻抗状态，应通过一个上拉电阻器将 BE 连接至 VCC；该电阻器的最小阻值由驱动器的电流吸收能力来决定。

SN74CBT3383C 是一种具备低导通状态电阻 (ron) 的高速 TTL 兼容型 FET 总线交换开关，可实现超短传播延迟。 SN74CBT3383C A 端口和 B 端口上的有源下冲保护电路可检测下冲事件并确保开关保持正常断开状态，从而对高达 −2V 的下冲事件提供保护。

SN74CBT3383C 可配置为 10 位总线开关，或具有单路输出使能 (be) 输入的 5 位总线交换开关，可在四个信号端口之间提供数据交换。选择 (BX) 输入可控制总线交换开关的数据路径。当 BE 为低电平时，A 端口连接到 B 端口，从而实现端口之间的双向数据流。当 BE 为高电平时，A 和 B 端口之间为高阻抗状态。

该器件完全符合使用 Ioff 的部分断电应用的规范要求。Ioff 特性确保在关断时防止损坏电流通过器件回流。该器件可在关断时提供隔离。

为确保上电或断电期间的高阻抗状态，应通过一个上拉电阻器将 BE 连接至 VCC；该电阻器的最小阻值由驱动器的电流吸收能力来决定。
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选择指南 小尺寸逻辑器件指南 (Rev. E) 最新英语版本 (Rev.G) 2012年 7月 16日
用户指南 LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 2007年 1月 16日
更多文献资料 Digital Bus Switch Selection Guide (Rev. A) 2004年 11月 10日
应用手册 Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日
用户指南 Signal Switch Data Book (Rev. A) 2003年 11月 14日
应用手册 Bus FET Switch Solutions for Live Insertion Applications 2003年 2月 7日

设计和开发

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接口适配器

LEADED-ADAPTER1 — 用于快速测试 TI 5、8、10、16 和 24 引脚引线式封装的表面贴装转 DIP 接头适配器

EVM-LEADED1 板可对 TI 的常见引线式封装进行快速测试和电路板试验。该评估板具有足够的空间，可将 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面贴装封装转换为 100mil DIP 接头。     

用户指南: PDF
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SOIC (DW) 24 Ultra Librarian
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