产品详情

Package name DFN1006, SOD523 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 90 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 12 IEC 61000-4-2 contact (±V) 30000 IEC 61000-4-5 (A) 6 Clamping voltage (V) 10 Dynamic resistance (typ) 0.4 Interface type Audio, General purpose Breakdown voltage (min) (V) 6 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Package name DFN1006, SOD523 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 90 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 12 IEC 61000-4-2 contact (±V) 30000 IEC 61000-4-5 (A) 6 Clamping voltage (V) 10 Dynamic resistance (typ) 0.4 Interface type Audio, General purpose Breakdown voltage (min) (V) 6 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-5X3 (DYA) 2 1.28 mm² 1.6 x 0.8 X1SON (DPY) 2 0.6 mm² 1 x 0.6
  • 符合 AEC-Q101 标准
  • IEC 61000-4-2 级 4 ESD 保护
    • ±30kV 接触放电
    • ±30kV 气隙放电
  • ISO 10605(330pF,330Ω)ESD 保护
    • ±8kV 接触放电 (DPY)
    • ±15kV 气隙放电 (DPY)
    • ±25kV 接触放电 (DYA)
    • ±25kV 气隙放电 (DYA)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护
    • 6A (8µs/20µs)
  • I/O 电容 12pF(典型值)
  • RDYN:0.38Ω(典型值)
  • 直流击穿电压:±6V(最小值)
  • 超低泄漏电流 100nA(最大值)
  • 10V 钳位电压(IPP = 1A 时的典型值)
  • 工业温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 节省空间的 0402 外形尺寸
  • 业界通用引线式 SOD-523 封装 (1.6mm × 0.8mm × 0.65mm)
  • 符合 AEC-Q101 标准
  • IEC 61000-4-2 级 4 ESD 保护
    • ±30kV 接触放电
    • ±30kV 气隙放电
  • ISO 10605(330pF,330Ω)ESD 保护
    • ±8kV 接触放电 (DPY)
    • ±15kV 气隙放电 (DPY)
    • ±25kV 接触放电 (DYA)
    • ±25kV 气隙放电 (DYA)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护
    • 6A (8µs/20µs)
  • I/O 电容 12pF(典型值)
  • RDYN:0.38Ω(典型值)
  • 直流击穿电压:±6V(最小值)
  • 超低泄漏电流 100nA(最大值)
  • 10V 钳位电压(IPP = 1A 时的典型值)
  • 工业温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 节省空间的 0402 外形尺寸
  • 业界通用引线式 SOD-523 封装 (1.6mm × 0.8mm × 0.65mm)

TPD1E10B06-Q1 器件是一款双向 TVS ESD 保护二极管,提供适合空间受限应用的小型 0402 封装,以及业界通用的引线式 SOD-523 封装,以支持自动光学检测 (AOI)。TPD1E10B06-Q1 的额定 ESD 冲击耗散值高于 IEC 61000-4-2 4 级国际标准规定的最高水平,原因是其 ESD 电压可轻松升至 5000V,超出足以损坏众多集成电路的电压值,但在极端条件下,这些电压将显著升高。例如,在湿度较低的环境下,电压可超过 20000V。

低动态电阻和低钳位电压可确保提供系统级瞬变事件保护,从而为暴露于 ESD 事件下的设计提供充分保护。该器件还具有 12pF IO 电容,因此非常适用于音频线路、按钮、存储器接口或 GPIO。

该器件还具有未经过汽车认证的型号:TPD1E10B06

TPD1E10B06-Q1 器件是一款双向 TVS ESD 保护二极管,提供适合空间受限应用的小型 0402 封装,以及业界通用的引线式 SOD-523 封装,以支持自动光学检测 (AOI)。TPD1E10B06-Q1 的额定 ESD 冲击耗散值高于 IEC 61000-4-2 4 级国际标准规定的最高水平,原因是其 ESD 电压可轻松升至 5000V,超出足以损坏众多集成电路的电压值,但在极端条件下,这些电压将显著升高。例如,在湿度较低的环境下,电压可超过 20000V。

低动态电阻和低钳位电压可确保提供系统级瞬变事件保护,从而为暴露于 ESD 事件下的设计提供充分保护。该器件还具有 12pF IO 电容,因此非常适用于音频线路、按钮、存储器接口或 GPIO。

该器件还具有未经过汽车认证的型号:TPD1E10B06

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* 数据表 TPD1E10B06-Q1 采用 0402 和 SOD-523 封装的汽车类 12pF、±5.5V、±30kV 单通道 ESD 保护二极管 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 3月 31日
应用手册 用于 USB 接口的 ESD 和浪涌保护 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2024年 1月 23日
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应用简报 ESD Protection for Automotive Infotainment (Rev. A) PDF | HTML 2021年 11月 12日
用户指南 Generic ESD Evaluation Module User's Guide (Rev. A) PDF | HTML 2021年 9月 27日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

ESDEVM — ESD 评估模块

静电敏感器件 (ESD) 评估模块 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 产品系列的开发平台。为了测试任何型号的器件,该电路板支持所有传统的 ESD 封装结构。器件可以焊接到相应封装结构,然后进行测试。如果是典型的高速 ESD 二极管,则应采用阻抗受控布局来获取 S 参数并剥离电路板引线。如果是非高速 ESD 二极管,则应采用有布线连接到测试点的封装结构,以便轻松运行直流测试,例如击穿电压、保持电压、漏电流等。该电路板布局布线还可以通过将信号引脚短接至信号所在的位置,轻松地将任何器件引脚连接到电源 (VCC) 或地。
用户指南: PDF | HTML
TI.com 上无现货
仿真模型

TPD1E10B06-Q1 IBIS Model

SLVMBQ7.ZIP (3 KB) - IBIS Model
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-5X3 (DYA) 2 Ultra Librarian
X1SON (DPY) 2 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频