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特定于协议的开关和多路复用器

TS3DDR3812

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适用于 DDR3 应用的 3.3V、2:1 (SPDT)、12 通道开关

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产品详情

Protocols DDR3 Configuration 2:1 SPDT Number of channels 12 Bandwidth (MHz) 1675 Supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (min) (V) 3 Ron (typ) (mΩ) 8000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.6 Supply current (typ) (µA) 300 ESD HBM (typ) (kV) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Crosstalk (dB) -71 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 128 COFF (typ) (pF) 5.6 CON (typ) (pF) 2 Off isolation (typ) (dB) -42 OFF-state leakage current (max) (µA) 1 Propagation delay time (µs) 0.00004 Ron (max) (mΩ) 12000 Ron channel match (max) (Ω) 1 RON flatness (typ) (Ω) 1.5 Turnoff time (disable) (max) (ns) 5 Turnon time (enable) (max) (ns) 7 VIH (min) (V) 2 VIL (max) (V) 0.8
Protocols DDR3 Configuration 2:1 SPDT Number of channels 12 Bandwidth (MHz) 1675 Supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (min) (V) 3 Ron (typ) (mΩ) 8000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.6 Supply current (typ) (µA) 300 ESD HBM (typ) (kV) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Crosstalk (dB) -71 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 128 COFF (typ) (pF) 5.6 CON (typ) (pF) 2 Off isolation (typ) (dB) -42 OFF-state leakage current (max) (µA) 1 Propagation delay time (µs) 0.00004 Ron (max) (mΩ) 12000 Ron channel match (max) (Ω) 1 RON flatness (typ) (Ω) 1.5 Turnoff time (disable) (max) (ns) 5 Turnon time (enable) (max) (ns) 7 VIH (min) (V) 2 VIL (max) (V) 0.8
WQFN (RUA) 42 31.5 mm² 9 x 3.5
  • 与 DDR3 SDRAM 标准 (JESD79-3D) 兼容
  • 1.675GHz 的宽带宽
  • 低传播延迟（典型值 tpd = 40ps）
  • 低位到位偏斜（典型值 tsk(o) = 6ps）
  • 低而平坦的导通电阻
    （典型值 rON = 8Ω）
  • 低输入／输出电容
    （典型值 CON = 5.6pF）
  • 低串扰（XTALK = -43dB，
    这是在 250MHz 时的典型值）
  • 3V 至 3.6V 的 VCC工作范围
  • 数据 I/O 端口上的轨至轨开关
    （0 至 VCC）
  • 用于上部及下部 6 通道的分离开关控制逻辑
  • 专用使能逻辑电路支持高阻抗 (Hi-Z) 模式
  • I关闭保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏
  • 静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD22 标准
    • 2000V 人体模型
      （A114B，II 类）
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 42 引脚 RUA 封装（9mm × 3.5mm，0.5mm 焊球间距）

应用范围

  • DDR3 信号开关
  • DIMM 模块
  • 笔记本／台式机
  • 服务器
  • 与 DDR3 SDRAM 标准 (JESD79-3D) 兼容
  • 1.675GHz 的宽带宽
  • 低传播延迟（典型值 tpd = 40ps）
  • 低位到位偏斜（典型值 tsk(o) = 6ps）
  • 低而平坦的导通电阻
    （典型值 rON = 8Ω）
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    （典型值 CON = 5.6pF）
  • 低串扰（XTALK = -43dB，
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  • 数据 I/O 端口上的轨至轨开关
    （0 至 VCC）
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  • 专用使能逻辑电路支持高阻抗 (Hi-Z) 模式
  • I关闭保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏
  • 静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD22 标准
    • 2000V 人体模型
      （A114B，II 类）
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 42 引脚 RUA 封装（9mm × 3.5mm，0.5mm 焊球间距）

应用范围

  • DDR3 信号开关
  • DIMM 模块
  • 笔记本／台式机
  • 服务器

TS3DDR3812 是一款专门针对 DDR3 应用而设计的 12 通道，1:2 多路复用器／多路解复用器开关。 该产品采用 3 至 3.6V 电源供电，提供低而平坦的导通状态电阻以及低 I/O 电容，从而可实现 1.675GHz 的典型带宽。

通道 A0 至 A11 分为两个 6 位组，可通过两组名为 SEL1 与 SEL2 的数字输入进行独立控制。 这些选择输入可控制每个 6 位 DDR3 信号源的开关位置，使它们能够准确发送至两个端点中的一个。 此外，本开关还可用于将单个端点与两个 6 位 DDR3 信号源中的一个连接起来。 对于 12 位 DDR3 信号源的开关，只需外部连接 SEL1 与 SEL2，便可通过一个单个 GPIO 输入控制所有 12 个通道。 一个 EN 输入可在不使用时使整个芯片处于高阻抗 (Hi-Z) 状态。

这些特性使 TS3DDR3812 成为存储器、模拟／数字视频、局域网 (LAN) 以及其它高速信号开关应用中的理想选择。

TS3DDR3812 是一款专门针对 DDR3 应用而设计的 12 通道，1:2 多路复用器／多路解复用器开关。 该产品采用 3 至 3.6V 电源供电，提供低而平坦的导通状态电阻以及低 I/O 电容，从而可实现 1.675GHz 的典型带宽。

通道 A0 至 A11 分为两个 6 位组，可通过两组名为 SEL1 与 SEL2 的数字输入进行独立控制。 这些选择输入可控制每个 6 位 DDR3 信号源的开关位置，使它们能够准确发送至两个端点中的一个。 此外，本开关还可用于将单个端点与两个 6 位 DDR3 信号源中的一个连接起来。 对于 12 位 DDR3 信号源的开关，只需外部连接 SEL1 与 SEL2，便可通过一个单个 GPIO 输入控制所有 12 个通道。 一个 EN 输入可在不使用时使整个芯片处于高阻抗 (Hi-Z) 状态。

这些特性使 TS3DDR3812 成为存储器、模拟／数字视频、局域网 (LAN) 以及其它高速信号开关应用中的理想选择。

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设计和开发

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  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
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