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UCC5880-Q1

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具有高级保护功能的汽车级 20A 隔离式实时可变 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器

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UCC5880-Q1

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产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Real-time variable gate drive strength, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 12 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Real-time variable gate drive strength, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 12 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
SSOP (DFC) 32 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 具有实时可变驱动强度的双路输出驱动器
    • ±15A 和 ±5A 驱动电流输出
    • 用于在没有 SPI 时进行驱动强度调整的数字输入引脚 (GD*)
    • 3 电阻设置 R1、R2 或 R1||R2
    • 用于米勒钳位晶体管的集成式 4A 有源米勒钳位或可选的外部驱动器
  • 支持初级侧和次级侧主动短路 (ASC)
  • 内部和外部电源欠压和过压保护
  • 驱动器内核温度检测和过热保护
  • 短路保护：
    • 针对 DESAT 事件具有 110ns 响应时间
    • DESAT 保护 – 可承受高达 14V 的电压
    • 基于分流电阻器的短路 (SC) 和过流 (OC) 保护
    • 可配置保护阈值和消隐时间
    • 可编程软关断 (STO) 和两级软关断 (2STO) 电流
  • 集成 10 位 ADC
    • 能够测量电源开关温度、直流链路电压、驱动器内核温度、DESAT 引脚电压、VCC2 电压
    • 可编程数字比较器
  • 高级 VCE/VDS 钳位电路
  • 符合功能安全标准
  • 集成型诊断：
    • 针对保护比较器的内置自检 (BIST)
    • 用于功率器件运行状况监测的栅极阈值电压测量
    • INP 至晶体管栅极路径完整性
    • 内部时钟监测
    • 故障警报和警告输出 (nFLT*)
    • ISO 通信数据完整性检查
  • 可通过 SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊断
  • 150V/ns CMTI
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C2b
  • 具有实时可变驱动强度的双路输出驱动器
    • ±15A 和 ±5A 驱动电流输出
    • 用于在没有 SPI 时进行驱动强度调整的数字输入引脚 (GD*)
    • 3 电阻设置 R1、R2 或 R1||R2
    • 用于米勒钳位晶体管的集成式 4A 有源米勒钳位或可选的外部驱动器
  • 支持初级侧和次级侧主动短路 (ASC)
  • 内部和外部电源欠压和过压保护
  • 驱动器内核温度检测和过热保护
  • 短路保护：
    • 针对 DESAT 事件具有 110ns 响应时间
    • DESAT 保护 – 可承受高达 14V 的电压
    • 基于分流电阻器的短路 (SC) 和过流 (OC) 保护
    • 可配置保护阈值和消隐时间
    • 可编程软关断 (STO) 和两级软关断 (2STO) 电流
  • 集成 10 位 ADC
    • 能够测量电源开关温度、直流链路电压、驱动器内核温度、DESAT 引脚电压、VCC2 电压
    • 可编程数字比较器
  • 高级 VCE/VDS 钳位电路
  • 符合功能安全标准
  • 集成型诊断：
    • 针对保护比较器的内置自检 (BIST)
    • 用于功率器件运行状况监测的栅极阈值电压测量
    • INP 至晶体管栅极路径完整性
    • 内部时钟监测
    • 故障警报和警告输出 (nFLT*)
    • ISO 通信数据完整性检查
  • 可通过 SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊断
  • 150V/ns CMTI
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C2b

UCC5880-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式栅极驱动器，具有可调驱动强度，旨在电动汽车/混合动力汽车应用中用于驱动高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护功能，例如基于分流电阻的过流保护、过热保护（PTC、NTC 或二极管）以及 DESAT 检测，包括在这些故障期间可选择的软关断或两级软关断。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达 2 个模拟输入、VCC2、DESAT 以及栅极驱动器温度，从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL 标准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 进行配置，因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。

UCC5880-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式栅极驱动器，具有可调驱动强度，旨在电动汽车/混合动力汽车应用中用于驱动高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护功能，例如基于分流电阻的过流保护、过热保护（PTC、NTC 或二极管）以及 DESAT 检测，包括在这些故障期间可选择的软关断或两级软关断。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达 2 个模拟输入、VCC2、DESAT 以及栅极驱动器温度，从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL 标准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 进行配置，因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。
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应用手册 驱动芯片退饱和保护（DESAT）应用指导 2024年 1月 3日
证书 UCC5880INVERTEREVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2023年 3月 13日
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设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

UCC5880INVERTEREVM — UCC5880-Q1 用于牵引逆变器中的可变隔离式栅极驱动器评估模块

UCC5880INVERTEREVM 板上可通过焊接 100nF 电容器负载，独立用于测试 UCC5880-Q1 驱动器，也可用于直接驱动 Wolfspeed XM3 基于 SiC 的半桥电源模块以进行高功率测试。该板上包含两个 UCC14240-Q1 隔离式辅助电源。该 EVM 支持灵活配置不同的 SPI 通信方法，包括常规 SPI、菊花链和基于 TI 地址的 SPI。该 EVM 可与 Sitara™ 和 C2000™ 实时微控制器控制卡连接，用于高达 300kW 的三相逆变器测试

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评估板

UCC5880QEVM-057 — UCC5880-Q1 评估模块

UCC5880-Q1 评估模块专为评估 UCC5880-Q1 具有可调栅极驱动强度和高级保护功能的 20A 隔离式单通道栅极驱动器而设计。该栅极驱动器专用于驱动电动汽车/混合动力汽车应用中的大功率 SiC MOSFET 和 IGBT。UCC5880-Q1 驱动器级具有分离输出双路驱动器，可在不同应用条件下实现非常灵活的栅极驱动强度。包含多种保护功能，如有源米勒钳位、DESAT 检测或分流电流检测、软关断或 2 级软关断、VCE 过压保护、栅极驱动器电源 UVLO 和 OVLO 保护、温度监测和热关断以及栅极监测等，适用于具有高可靠性要求的系统。该驱动器还通过串行外设接口 (SPI) (...)
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模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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参考设计

TIDM-02014 — 大功率、高性能汽车类 SiC 牵引逆变器参考设计

TIDM-02014 是一款由德州仪器 (TI) 和 Wolfspeed 开发的基于 SiC 的 800V、300kW 牵引逆变器系统参考设计，该参考设计为 OEM 和设计工程师创建高性能、高效率的牵引逆变器系统并更快地将其推向市场提供了基础。该解决方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牵引逆变器系统技术（包括用于驱动 Wolfspeed SiC 电源模块、具有实时可变栅极驱动强度的高性能隔离式栅极驱动器）如何通过降低电压过冲来提高系统效率。隔离式栅极驱动器与 TI 的隔离式辅助电源解决方案配合使用，可显著减小 PCB 的大小，具体来说，PCB 面积缩小 2 倍以上，高度低于 4mm (...)
设计指南: PDF
参考设计

PMP31236 — Gate driver reference design for HybridPACK™ Drive IGBT modules

This reference uses six UCC5880-Q1 gate-drive ICs and six LM5180-Q1 isolated bias supplies to interface with and drive Infineon HybridPACK™ insulated-gate bipolar transistor (IGBT) modules. The isolated output voltage is +15 V and −8 V with 100-mA maximum output current each. The input voltage (...)
测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SSOP (DFC) 32 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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