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DDR メモリ向け電源 IC

TPS7H3301-SP

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耐放射線特性 QMLV、2.3V ～ 3.5V 入力、3A シンク / ソース (吸い込みと供給)、DDR 終端 LDO レギュレータ

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製品詳細

DDR memory type DDR2, DDR3, DDR4 Control mode S3, S4/S5 Iout VTT (max) (A) 3 Iq (typ) (mA) 18 Output VREF, VTT Vin (min) (V) 0.9 Vin (max) (V) 3.5 Features Complete Solution, Shutdown Pin for S3 Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125 Regulator type Linear Regulator Vin bias (max) (V) 3.5 Vin bias (min) (V) 2.375 Vout VTT (min) (V) 0.6
DDR memory type DDR2, DDR3, DDR4 Control mode S3, S4/S5 Iout VTT (max) (A) 3 Iq (typ) (mA) 18 Output VREF, VTT Vin (min) (V) 0.9 Vin (max) (V) 3.5 Features Complete Solution, Shutdown Pin for S3 Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125 Regulator type Linear Regulator Vin bias (max) (V) 3.5 Vin bias (min) (V) 2.375 Vout VTT (min) (V) 0.6
CFP (HKR) 16 105.6 mm² 11 x 9.6
  • 5962R14228(1)：
    • 総吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA) 認定
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR)、シングル イベント バーンアウト (SEB) の耐性：LET = 70MeV-cm2/mg(2) まで
    • シングル イベント過渡 (SET)、シングル イベント機能割り込み (SEFI)、シングル イベント アップセット (SEU) の耐性：70MeV-cm2/mg(2) まで
  • DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、DDR4 終端アプリケーションをサポート
  • 入力電圧：2.5V レールと 3.3V レールをサポート(3)
  • 0.9V まで引き下げられた独立した低電圧入力 (VLDOIN)により電力効率が向上(3)
  • 3A シンク / ソース終端レギュレータにドループ補償を搭載
  • イネーブル入力とパワー グッド出力による電源シーケンス
  • VTT ターミネーション レギュレータ
    • 出力電圧範囲：0.5～1.75 V
    • 3A のシンクおよびソース電流
  • センス入力を備えた高精度分圧回路を内蔵
  • リモート センシング (VTTSNS)
  • VTTREF バッファ付きリファレンス

    • VDDQSNS に対する 49%～51% の精度 (±3mA)

    • ±10mA のシンクおよびソース電流
  • 低電圧誤動作防止 (UVLO)、過電流制限 (OCL) 機能を内蔵
  • 5962R14228(1)：
    • 総吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA) 認定
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR)、シングル イベント バーンアウト (SEB) の耐性：LET = 70MeV-cm2/mg(2) まで
    • シングル イベント過渡 (SET)、シングル イベント機能割り込み (SEFI)、シングル イベント アップセット (SEU) の耐性：70MeV-cm2/mg(2) まで
  • DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、DDR4 終端アプリケーションをサポート
  • 入力電圧：2.5V レールと 3.3V レールをサポート(3)
  • 0.9V まで引き下げられた独立した低電圧入力 (VLDOIN)により電力効率が向上(3)
  • 3A シンク / ソース終端レギュレータにドループ補償を搭載
  • イネーブル入力とパワー グッド出力による電源シーケンス
  • VTT ターミネーション レギュレータ
    • 出力電圧範囲：0.5～1.75 V
    • 3A のシンクおよびソース電流
  • センス入力を備えた高精度分圧回路を内蔵
  • リモート センシング (VTTSNS)
  • VTTREF バッファ付きリファレンス

    • VDDQSNS に対する 49%～51% の精度 (±3mA)

    • ±10mA のシンクおよびソース電流
  • 低電圧誤動作防止 (UVLO)、過電流制限 (OCL) 機能を内蔵

TPS7H3301-SP は、TID および SEE 耐放射線性のダブル データ レート (DDR) 3A ターミネーション レギュレータで、VTTREF バッファが内蔵されています。このレギュレータは、シングル ボード コンピュータ、ソリッド ステート レコーダ、ペイロード処理などの宇宙向け DDR 終端アプリケーション用に、包括的でコンパクトな低ノイズ ソリューションを提供するように特化して設計されています。

TPS7H3301-SP は DDR、DDR2、DDR3、DDR4 を使用する DDR VTT 終端アプリケーションをサポートしています。TPS7H3301-SP VTT レギュレータの高速過度応答により、読み取り / 書き込み状況で非常に安定した電源を実現できます。遷移中、VTTREF 電源の高速トラッキング機能により、VTT/Vo と VTTREF の間の電圧オフセットが最小化されます。シンプルな電源シーケンスを実現するために、TPS7H3301-SP にはイネーブル入力とパワー グッド出力 (PGOOD) の両方が内蔵されています。PGOOD 出力はオープン ドレインであるため、複数のオープン ドレイン出力に接続して、すべての電源がレギュレーションに入ったことを監視できます。イネーブル信号を使用して、RAM (S3) パワーダウン モードへのサスペンド中に VTT/Vo を放電することもできます。

TPS7H3301-SP は、TID および SEE 耐放射線性のダブル データ レート (DDR) 3A ターミネーション レギュレータで、VTTREF バッファが内蔵されています。このレギュレータは、シングル ボード コンピュータ、ソリッド ステート レコーダ、ペイロード処理などの宇宙向け DDR 終端アプリケーション用に、包括的でコンパクトな低ノイズ ソリューションを提供するように特化して設計されています。

TPS7H3301-SP は DDR、DDR2、DDR3、DDR4 を使用する DDR VTT 終端アプリケーションをサポートしています。TPS7H3301-SP VTT レギュレータの高速過度応答により、読み取り / 書き込み状況で非常に安定した電源を実現できます。遷移中、VTTREF 電源の高速トラッキング機能により、VTT/Vo と VTTREF の間の電圧オフセットが最小化されます。シンプルな電源シーケンスを実現するために、TPS7H3301-SP にはイネーブル入力とパワー グッド出力 (PGOOD) の両方が内蔵されています。PGOOD 出力はオープン ドレインであるため、複数のオープン ドレイン出力に接続して、すべての電源がレギュレーションに入ったことを監視できます。イネーブル信号を使用して、RAM (S3) パワーダウン モードへのサスペンド中に VTT/Vo を放電することもできます。
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技術資料

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設計と開発

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評価ボード

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購入先：Alpha Data Parallel Systems Ltd.
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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
CFP (HKR) 16 Ultra Librarian
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購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

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サポートとトレーニング

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