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TPS7H6101-SEP

プレビュー

耐放射線特性、ドライバ内蔵、200V 10A GaN パワー ステージ

製品詳細

VDS (max) (V) 200 RDS(on) (mΩ) 15 Features Dual LDO, Half-bridge, High or low-side configurable, Overtemperature protection Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
VDS (max) (V) 200 RDS(on) (mΩ) 15 Features Dual LDO, Half-bridge, High or low-side configurable, Overtemperature protection Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
UNKNOWN (NPR) 64 See data sheet
  • 耐放射線性能:
    • 総電離線量 (TID) 50krad(Si) に対して、放射線ロット受入試験 (RLAT) を実施済み
    • シングルイベント過渡 (SET)、シングルイベントバーンアウト (SEB)、シングルイベント ゲートラプチャー (SEGR) に対し、線形エネルギー付与 (LET) = 43MeV-cm2/mg まで耐性あり
    • シングルイベント過渡 (SET) およびシングルイベント故障割込み (SEFI) は、線エネルギー付与 (LET) = 43MeV-cm2/mg まで特性評価済み
  • 200V e-モード GaN FET ハーフブリッジ
    • 15mΩRDS(ON) (代表値)
    • 100kHz~2MHz 動作
  • LGA パッケージ:
    • サーマルパッド付きの熱最適化 12mm × 9mm LGA パッケージ
    • 内蔵ゲートドライブ抵抗
    • 低共通ソースインダクタンスのパッケージ
    • 電気的に絶縁されたハイサイドとローサイド
  • ハーフブリッジと 2 個のスイッチの各種電源トポロジに対応するフレキシブルな制御
    • 低伝搬遅延
    • 2 つの動作モード
      • デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
      • 2 つの独立した入力
    • プログラム可能なデッドタイム制御
    • 独立入力モードで選択可能な入力インターロック保護
    • 堅牢な FET 動作を実現する 5V ゲートドライブ電源
  • 耐放射線性能:
    • 総電離線量 (TID) 50krad(Si) に対して、放射線ロット受入試験 (RLAT) を実施済み
    • シングルイベント過渡 (SET)、シングルイベントバーンアウト (SEB)、シングルイベント ゲートラプチャー (SEGR) に対し、線形エネルギー付与 (LET) = 43MeV-cm2/mg まで耐性あり
    • シングルイベント過渡 (SET) およびシングルイベント故障割込み (SEFI) は、線エネルギー付与 (LET) = 43MeV-cm2/mg まで特性評価済み
  • 200V e-モード GaN FET ハーフブリッジ
    • 15mΩRDS(ON) (代表値)
    • 100kHz~2MHz 動作
  • LGA パッケージ:
    • サーマルパッド付きの熱最適化 12mm × 9mm LGA パッケージ
    • 内蔵ゲートドライブ抵抗
    • 低共通ソースインダクタンスのパッケージ
    • 電気的に絶縁されたハイサイドとローサイド
  • ハーフブリッジと 2 個のスイッチの各種電源トポロジに対応するフレキシブルな制御
    • 低伝搬遅延
    • 2 つの動作モード
      • デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
      • 2 つの独立した入力
    • プログラム可能なデッドタイム制御
    • 独立入力モードで選択可能な入力インターロック保護
    • 堅牢な FET 動作を実現する 5V ゲートドライブ電源

TPS7H6101 は、ゲートドライバ内蔵の耐放射線性 200V Eモード GaN パワー FET ハーフブリッジです。Eモード GaN FET とゲートドライバを内蔵しているため、設計の簡素化、部品点数の削減、基板面積の節減を実現できます。ハーフブリッジと 2 つの独立スイッチトポロジ、構成可能なデッドタイム、構成可能なシュートスルーインターロック保護のサポートにより、幅広いアプリケーションと実装をサポートできます。

TPS7H6101 は、ゲートドライバ内蔵の耐放射線性 200V Eモード GaN パワー FET ハーフブリッジです。Eモード GaN FET とゲートドライバを内蔵しているため、設計の簡素化、部品点数の削減、基板面積の節減を実現できます。ハーフブリッジと 2 つの独立スイッチトポロジ、構成可能なデッドタイム、構成可能なシュートスルーインターロック保護のサポートにより、幅広いアプリケーションと実装をサポートできます。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPS7H6101-SEP 200V、10A GaNハーフブリッジ電力ステージ データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 5月 19日
* 放射線と信頼性レポート TPS7H6101-SEP Preliminary Total Ionizing Dose (TID) Report 2025年 5月 9日
証明書 TPS7H6101EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2025年 4月 16日
セレクション・ガイド TI Space Products (Rev. K) 2025年 4月 4日
アプリケーション・ノート Reduce the Risk in Low-Earth Orbit Missions with Space Enhanced Plastic Products (Rev. A) PDF | HTML 2022年 9月 15日
e-Book(PDF) Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 2019年 5月 21日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TPS7H6101EVM — TPS7H6101-SEP 評価基板

TPS7H6101EVM は J13 の入力電圧レールを使用して、PVIN 100V に電力を供給します。デフォルトでは、本デバイスは PWM モードで動作し、最小限の変更で IIM モードを使用できます。J8 に 0V~5V の波形を入力する TPS7H6101-SP は、選択したデューティ サイクルと周波数の降圧コンバータとして動作します。TPS7H6101EVM は、クイック スタート ガイドの記載のパラメータに従って設定とテストを実施済みです。クイック スタート ガイド以外に記載されている入力を使用する場合は、基板の熱管理と、インダクタの 18A 飽和電流を考慮に入れてください。
ユーザー ガイド: PDF | HTML
シミュレーション・モデル

TPS7H6101-SP PSpice Transient Model

SNOM820.ZIP (66 KB) - PSpice Model
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
UNKNOWN (NPR) 64 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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