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设计与开发
参考设计

TIDM-TM4C129SDRAMNVM

从 SDRAM 执行，并在 NVM 中存储代码，以实现高性能 MCU

设计文件

TIDM-TM4C129SDRAMNVM

设计文件

概述

此参考设计演示了如何实现非易失性存储器和 SDRAM，并将其连接到 TM4C 产品系列中的高性能微控制器 TM4C1294NCPDT。该实现方案通过使用微控制器的 EPI 接口以 60MHz 连接 256Mbit SDRAM，并通过 60MHz 的 QSSI 接口连接 SD 卡和四线串行闪存等非易失性存储器，使开发者能够将代码和数据空间扩展至 TM4C1294 微控制器内部存储器最大容量之上。

特性
  • 通过 60MHz 外部外设接口 (EPI)，可将可用存储器空间扩展至 512Mbit 16 位 SDRAM，从而实现高存储器吞吐量和占用空间应用
  • 专为 EK-TM4C1294XL Connected LaunchPad（以前称为 Tiva MCU）设计https://www.ti.com/tool/ek-tm4c1294xl
  • 为 SD 卡或四线串行闪存非易失性存储器实现串行接口引导加载程序
  • 额外支持 Quad 串行闪存模式命令，用于裸机外部存储记录器的自定义实现。
  • 源代码包含 Code Composer Studio 的工程示例
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设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件，加快您的设计过程。

download 设计指南 — TIDM-TM4C129SDRAMNVM
ZHCU635A.null (null KB)

参考设计概述和经过验证的性能测试数据

download Bill of materials (BOM) — TIDM-TM4C129SDRAMNVM
TIDRES6.PDF (123 KB)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

download Gerber file — TIDM-TM4C129SDRAMNVM
TIDCAA4.ZIP (25 KB)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

download Schematic — TIDM-TM4C129SDRAMNVM
TIDCAA9A.ZIP (283 KB)

设计布局和元件的详细原理图

download Schematic — TIDM-TM4C129SDRAMNVM
TIDRES5.PDF (152 KB)

设计布局和元件的详细原理图

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

通用 MCU

TM4C129LNCZAD — 具有 120MHz 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB、ENET MAC+PHY、LCD 和 AES、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C123GH6PM — 采用 64 引脚 LQFP 封装、具有 80MHz 频率、256KB 闪存、32KB RAM、2 个 CAN、RTC 和 USB 且基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C129CNCZAD — 具有 120MHZ 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB 和 AES、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C129XNCZAD — 具有 120MHz 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB、ENET MAC+PHY、LCD 和 AES、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C123GH6PGE — 具有 80MHz 频率、256KB 闪存、32KB RAM、2 个 CAN、RTC 和 USB、采用 144 引脚 LQFP 封装、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C1292NCZAD — 具有 120MHz 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB 和 ENET MAC+MII、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C1299KCZAD — 具有 120MHz 频率、512KB 闪存、256KB RAM、USB、ENET MAC+PHY 和 LCD、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C129ENCPDT — 具有 120MHz 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB、ENET MAC+PHY 和 AES、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C1290NCPDT — 具有 120MHZ 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C1294NCPDT — 具有 120MHZ 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB 和 ENET MAC+PHY、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C129DNCPDT — 具有 120MHz 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB、ENET MAC+MII 和 AES、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C123GH6ZRB — 具有 80MHz 频率、256KB 闪存、32KB RAM、2 个 CAN、RTC 和 USB、采用 157 引脚 BGA 封装、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
USB 电源开关和充电端口控制器

TPS2052B — 高电平有效的 2 通道、0.5A 负载、2.7-5.5V、70mΩ USB 电源开关

数据表: PDF | HTML
通用 MCU

TM4C1299NCZAD — 具有 120MHz 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB、ENET MAC+PHY 和 LCD、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C123GH6PZ — 具有 80MHz 频率、256KB 闪存、32KB RAM、2 个 CAN、RTC 和 USB、采用 100 引脚 LQFP 封装、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C129XKCZAD — 具有 120MHz 频率、512KB 闪存、256KB RAM、USB、ENET MAC+PHY、LCD 和 AES、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C1292NCPDT — 具有 120MHz 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB 和 ENET MAC+MII、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C129CNCPDT — 具有 120MHZ 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB 和 AES、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

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ESD 保护二极管

TPD4S012 — 适用于 USB 接口且具有可耐受 15V 电压的 Vbus 的四路 0.8pF、5.5V、±10kV ESD 保护二极管

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通用 MCU

TM4C1294KCPDT — 具有 120MHZ 频率、512KB 闪存、256KB RAM、USB 和 ENET MAC+PHY、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C129ENCZAD — 具有 120MHz 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB、ENET MAC+PHY 和 AES、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C1290NCZAD — 具有 120MHZ 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C123GH6ZXR — 具有 80MHz 频率、256KB 闪存、32KB RAM、2 个 CAN、RTC 和 USB、采用 168 引脚 BGA 封装、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C129DNCZAD — 具有 120MHz 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB、ENET MAC+MII 和 AES、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C1294NCZAD — 具有 120MHz 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB 和 ENET MAC+PHY、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS737-Q1 — 具有反向电流保护和使能功能的汽车级 1A 超低压降稳压器

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通用 MCU

TM4C1230H6PM — 具有 80MHz 频率、256KB 闪存、32KB RAM、CAN、采用 64 引脚 LQFP 封装、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C1297NCZAD — 具有 120MHZ 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB 和 LCD、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C123FH6PM — 具有 80MHz 频率、256KB 闪存、32KB RAM、2 个 CAN 和 USB、采用 64 引脚 LQFP 封装、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF
通用 MCU

TM4C129EKCPDT — 具有 120MHz 频率、512KB 闪存、256KB RAM、USB、ENET MAC+PHY 和 AES、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU

数据表: PDF

开始开发

硬件开发

评估板

EK-TM4C1294XL — 基于 ARM® Cortex®-M4F 的 MCU TM4C1294 互联 LaunchPad™ 评估套件

此参考设计演示了如何实现非易失性存储器和 SDRAM，并将其连接到 TM4C 产品系列中的高性能微控制器 TM4C1294NCPDT。该实现方案通过使用微控制器的 EPI 接口以 60MHz 连接 256Mbit SDRAM，并通过 60MHz 的 QSSI 接口连接 SD 卡和四线串行闪存等非易失性存储器，使开发者能够将代码和数据空间扩展至 TM4C1294 微控制器内部存储器最大容量之上。

EVM用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

硬件开发
参考设计
TIDM-MINI-DC — 适用于小型 AMI 网络的数据集中器参考设计可降低基础架构成本 TIDM-TM4C123XSUB1GHZ — 基于高性能微控制器的低于 1GHz 的物联网节点参考设计 TIDM-TM4C129SDRAMNVM — 从 SDRAM 执行，并在 NVM 中存储代码，以实现高性能 MCU TIDM-TM4C129XBLE — 基于高性能 MCU 的 BLE 物联网节点参考设计 TIDM-TM4C129XS2E — 基于 RTOS 且基于高性能 MCU 的可配置串行转以太网转换器参考设计 TIDM-TM4C129XWIFI — 基于高性能 MCU 的 Wi-Fi 物联网节点参考设计 TIDM-TM4CFLASHSRAM — 并发并行 XIP 闪存和 SRAM 设计，用于在高性能 MCU 上下载和执行代码
评估板
BOOSTXL-ADS7841-Q1 — ADS7841-Q1 12 位、4 通道串行输出采样 ADC BoosterPack™ 插件模块 BOOSTXL-TLC2543 — 具有串行控制和 11 路模拟输入 BoosterPack™ 插件模块的 TLC2543-Q1 12 位 ADC
有库存
限制：
TI.com 上缺货
TI.com 上无现货

EK-TM4C1294XL — 基于 ARM® Cortex®-M4F 的 MCU TM4C1294 互联 LaunchPad™ 评估套件

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硬件开发
参考设计
TIDM-MINI-DC — 适用于小型 AMI 网络的数据集中器参考设计可降低基础架构成本 TIDM-TM4C123XSUB1GHZ — 基于高性能微控制器的低于 1GHz 的物联网节点参考设计 TIDM-TM4C129SDRAMNVM — 从 SDRAM 执行，并在 NVM 中存储代码，以实现高性能 MCU TIDM-TM4C129XBLE — 基于高性能 MCU 的 BLE 物联网节点参考设计 TIDM-TM4C129XS2E — 基于 RTOS 且基于高性能 MCU 的可配置串行转以太网转换器参考设计 TIDM-TM4C129XWIFI — 基于高性能 MCU 的 Wi-Fi 物联网节点参考设计 TIDM-TM4CFLASHSRAM — 并发并行 XIP 闪存和 SRAM 设计，用于在高性能 MCU 上下载和执行代码
评估板
BOOSTXL-ADS7841-Q1 — ADS7841-Q1 12 位、4 通道串行输出采样 ADC BoosterPack™ 插件模块 BOOSTXL-TLC2543 — 具有串行控制和 11 路模拟输入 BoosterPack™ 插件模块的 TLC2543-Q1 12 位 ADC
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* 设计指南 使用 NVM 设计指南中的存储代码从 SDRAM 中执行 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2019-5-17

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