产品详情

Number of channels 4 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 4 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 0.065 Offset drift (typ) (µV/°C) 0.15 Input bias current (max) (pA) 17500 GBW (typ) (MHz) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 0.8 Rail-to-rail No Iq per channel (typ) (mA) 0.79 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 8 CMRR (typ) (dB) 140 Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125 Iout (typ) (A) 0.035 Architecture Bipolar Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 2 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -2 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.5 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.2 THD + N at 1 kHz (typ) (%) 0.002
Number of channels 4 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 4 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 0.065 Offset drift (typ) (µV/°C) 0.15 Input bias current (max) (pA) 17500 GBW (typ) (MHz) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 0.8 Rail-to-rail No Iq per channel (typ) (mA) 0.79 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 8 CMRR (typ) (dB) 140 Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125 Iout (typ) (A) 0.035 Architecture Bipolar Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 2 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -2 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.5 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.2 THD + N at 1 kHz (typ) (%) 0.002
CDIP_SB (JDJ) 28 266.3444 mm² 35.56 x 7.49 CFP (HFR) 14 97.75 mm² 11.5 x 8.5 DIESALE (KGD) See data sheet
  • 符合 QMLV 标准:5962-16209
    • 抗辐射加固保障 (RHA) 高达 50krad(Si) 总电离剂量 (TID)
    • 无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS)(请参阅辐射报告
    • 单粒子锁定 (SEL) 对于线性能量传输 (LET) 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg
  • 超低偏移电压:20µV
  • 超低漂移:±0.15µV/°C
  • 高开环增益:134dB
  • 高共模抑制比:140dB
  • 高电源抑制比:130dB
  • 宽电源电压范围:±2V 至 ±18V
  • 低静态电流:800µA/放大器
  • 采用 14 引线 CFP,具有行业标准四路运算放大器引脚
  • 符合 QMLV 标准:5962-16209
    • 抗辐射加固保障 (RHA) 高达 50krad(Si) 总电离剂量 (TID)
    • 无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS)(请参阅辐射报告
    • 单粒子锁定 (SEL) 对于线性能量传输 (LET) 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg
  • 超低偏移电压:20µV
  • 超低漂移:±0.15µV/°C
  • 高开环增益:134dB
  • 高共模抑制比:140dB
  • 高电源抑制比:130dB
  • 宽电源电压范围:±2V 至 ±18V
  • 低静态电流:800µA/放大器
  • 采用 14 引线 CFP,具有行业标准四路运算放大器引脚

OPA4277-SP 高精度运算放大器取代了符合行业标准的 LM124-SP。该器件的噪声性能得到改善,可提供两种数量级的低输入偏移电压。该器件 具有诸多特性,其中包括超低的偏移电压、超低漂移、低偏置电流、高共模抑制比及高电源抑制比。

OPA4277-SP 由 ±2V 至 ±18V 电源供电运行,性能优异。多数运算放大器仅有一个指定的电源电压,OPA4277-SP 精密运算放大器则有所不同,该器件 适用于实际应用,额定工作电压范围为 ±5V 至 ±15V。当放大器输出摆幅达到指定限值时,可保持高性能。

OPA4277-SP 易于使用,而且不存在其他某些运算放大器中出现的反相和过载问题。其单位增益稳定,在宽负载范围内可保持优异动态性能。OPA4277-SP 配有 完全独立的电路,即便在过驱或过载条件下也可以实现最低串扰和零交互。

OPA4277-SP 高精度运算放大器取代了符合行业标准的 LM124-SP。该器件的噪声性能得到改善,可提供两种数量级的低输入偏移电压。该器件 具有诸多特性,其中包括超低的偏移电压、超低漂移、低偏置电流、高共模抑制比及高电源抑制比。

OPA4277-SP 由 ±2V 至 ±18V 电源供电运行,性能优异。多数运算放大器仅有一个指定的电源电压,OPA4277-SP 精密运算放大器则有所不同,该器件 适用于实际应用,额定工作电压范围为 ±5V 至 ±15V。当放大器输出摆幅达到指定限值时,可保持高性能。

OPA4277-SP 易于使用,而且不存在其他某些运算放大器中出现的反相和过载问题。其单位增益稳定,在宽负载范围内可保持优异动态性能。OPA4277-SP 配有 完全独立的电路,即便在过驱或过载条件下也可以实现最低串扰和零交互。

下载

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 3
类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 OPA4277-SP 耐辐射高精度运算放大器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2019年 3月 12日
* 辐射与可靠性报告 Single-Event Effects Test Report for OPA4277-SP High-Precision Operational Ampli 2018年 4月 10日
* 辐射与可靠性报告 OPA4277-SP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report 2018年 3月 5日

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训