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TMCS1170

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具有环境磁场抑制功能和可配置过流检测的 100V 霍尔效应电流传感器

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TMCS1170

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产品详情

Continuous current (max) (A) 65 Rating Catalog Input offset current (±) (max) (mA) 12.5 Features Alert Function, Internal Zero Current Reference Voltage Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Small-signal bandwidth (kHz) 250 Sensitivity error (%) 2.0 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 75 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Isolation rating Functional
Continuous current (max) (A) 65 Rating Catalog Input offset current (±) (max) (mA) 12.5 Features Alert Function, Internal Zero Current Reference Voltage Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Small-signal bandwidth (kHz) 250 Sensitivity error (%) 2.0 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 75 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Isolation rating Functional
VQFN-HR (VAP) 12 9 mm² 3 x 3
  • 小型 3mm × 3mm 低高度 QFN 封装
  • 高持续电流能力：60 ARMS
    • 低损耗 0.6mΩ 导体
  • ±100V 功能隔离
  • 电流检测精度
    • 灵敏度误差：±1%，典型值
    • 灵敏度误差：±2.85%，TA = 25℃ 至 125℃
    • 失调电压误差：±15mV，TA = 25℃ 至 125℃
    • 偏移寿命漂移：±20mV
  • 对外部磁场具有高抗扰度
  • 内置过流检测
    • 信号带宽：285kHz
    • 输出传播延迟：300ns
    • 过流检测响应：1.3µs
  • 工作电源电压范围：3V 至 5.5V
  • 双向和单向电流检测
  • 多个灵敏度选项：
    • 范围为 26.4mV/A 至 200mV/A
  • 小型 3mm × 3mm 低高度 QFN 封装
  • 高持续电流能力：60 ARMS
    • 低损耗 0.6mΩ 导体
  • ±100V 功能隔离
  • 电流检测精度
    • 灵敏度误差：±1%，典型值
    • 灵敏度误差：±2.85%，TA = 25℃ 至 125℃
    • 失调电压误差：±15mV，TA = 25℃ 至 125℃
    • 偏移寿命漂移：±20mV
  • 对外部磁场具有高抗扰度
  • 内置过流检测
    • 信号带宽：285kHz
    • 输出传播延迟：300ns
    • 过流检测响应：1.3µs
  • 工作电源电压范围：3V 至 5.5V
  • 双向和单向电流检测
  • 多个灵敏度选项：
    • 范围为 26.4mV/A 至 200mV/A

TMCS1170 是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有 100V 功能隔离，采用小型 QFN 封装。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的信号调节电路能够在整个温度范围内实现小于 2.85% 的最大灵敏度误差，使用寿命偏移小于 3%，并且无需系统级校准。

交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±60A，同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。

固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行，因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。该器件具有小解决方案尺寸、电流能力和环境磁场抑制等特性，是监测狭小空间内电流的理想解决方案。

TMCS1170 是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有 100V 功能隔离，采用小型 QFN 封装。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的信号调节电路能够在整个温度范围内实现小于 2.85% 的最大灵敏度误差，使用寿命偏移小于 3%，并且无需系统级校准。

交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±60A，同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。

固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行，因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。该器件具有小解决方案尺寸、电流能力和环境磁场抑制等特性，是监测狭小空间内电流的理想解决方案。
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* 数据表 TMCS1170 具有过流保护功能、采用小型 QFN 封装的 285kHz 霍尔效应电流传感器 数据表 PDF | HTML 2024年 4月 26日

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TMCS1170EVM — TMCS1170 评估模块

TMCS1170EVM 评估模块 (EVM) 旨在方便使用隔离霍尔效应精密电流传感器 TMCS1170。该 EVM 允许用户在测量隔离输出的同时，通过霍尔输入侧推动最大工作电流。
用户指南: PDF | HTML
TI.com 上无现货
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN-HR (VAP) 12 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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