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TPSI2240-Q1

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具有增强隔离和雪崩防护功能的汽车级 1200V、50mA 隔离开关

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TPSI2240-Q1

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产品详情

FET Internal Number of channels 1 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Rating Automotive Features 0.6mA avalanche current, 1mA avalanche current, Capacitive isolation Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 4750 Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 130 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (µA) 3.5 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
FET Internal Number of channels 1 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Rating Automotive Features 0.6mA avalanche current, 1mA avalanche current, Capacitive isolation Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 4750 Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 130 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (µA) 3.5 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
SOIC (DWQ) 11 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 符合汽车应用要求
    • AEC-Q100 等级 1：–40°C 至 125°C，TA
  • 低 EMI：
    • 符合 CISPR25 5 类性能要求，无需额外组件
  • 集成雪崩额定 MOSFET
    • 针对电介质耐压测试 (Hi-Pot) 可靠性进行设计和认证
      • TPSI2240-Q1 IAVA = 1mA（60s 脉冲）

      • TPSI2240C-Q1 IAVA = 0.6mA（60s 脉冲）

      • TPSI2240T-Q1 IAVA = 3mA（60s 脉冲）
    • 1200V 关断电压
    • RON = 130Ω (TJ = 25°C)
    • TON，TOFF < 700µs
    • 1000V 时的 IOFF = 1.22µA (TJ = 105°C)
  • 低初级侧电源电流
    • 3.5µA 关断状态电流 (TJ = 25°C)
  • 功能安全型
    • 可帮助进行 ISO 26262 和 IEC 61508 辅助设计的文档
  • 稳健可靠的隔离栅：
    • 在 1500VRMS / 2120VDC 工作电压下预计寿命超过 30 年
    • 增强隔离额定值 VISO 高达 4750VRMS
  • SOIC 11 引脚 (DWQ) 封装，具有宽引脚，可提高热性能
    • 爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
    • 爬电距离和间隙≥ 6mm（开关端子之间）
  • 安全相关认证
    • （计划）DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • （计划）UL 1577 组件认证计划
  • 符合汽车应用要求
    • AEC-Q100 等级 1：–40°C 至 125°C，TA
  • 低 EMI：
    • 符合 CISPR25 5 类性能要求，无需额外组件
  • 集成雪崩额定 MOSFET
    • 针对电介质耐压测试 (Hi-Pot) 可靠性进行设计和认证
      • TPSI2240-Q1 IAVA = 1mA（60s 脉冲）

      • TPSI2240C-Q1 IAVA = 0.6mA（60s 脉冲）

      • TPSI2240T-Q1 IAVA = 3mA（60s 脉冲）
    • 1200V 关断电压
    • RON = 130Ω (TJ = 25°C)
    • TON，TOFF < 700µs
    • 1000V 时的 IOFF = 1.22µA (TJ = 105°C)
  • 低初级侧电源电流
    • 3.5µA 关断状态电流 (TJ = 25°C)
  • 功能安全型
    • 可帮助进行 ISO 26262 和 IEC 61508 辅助设计的文档
  • 稳健可靠的隔离栅：
    • 在 1500VRMS / 2120VDC 工作电压下预计寿命超过 30 年
    • 增强隔离额定值 VISO 高达 4750VRMS
  • SOIC 11 引脚 (DWQ) 封装，具有宽引脚，可提高热性能
    • 爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
    • 爬电距离和间隙≥ 6mm（开关端子之间）
  • 安全相关认证
    • （计划）DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • （计划）UL 1577 组件认证计划

TPSI2240-Q1 是一款隔离式固态继电器，专为高电压汽车和工业应用而设计。TPSI2240-Q1 与 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解决方案，无需次级侧电源。

该器件的初级侧仅由 5mA 的输入电流供电，并集成了一个失效防护 EN 引脚，可防止对 VDD 电源反向供电的任何可能性。在大多数应用中，器件的 VDD 引脚应连接到 4.5V 至 20V 的系统电源，并且器件的 EN 引脚应由逻辑高电平介于 2.1V 至 20V 之间的 GPIO 输出驱动。在其他应用中，VDD 和 EN 引脚可以直接全由系统电源或 GPIO 输出驱动。TPSI2240-Q1 的所有控制配置都不需要光继电器解决方案通常所需的其他外部元件，例如电阻器和/或低侧开关。

次级侧包含背对背 MOSFET，从 S1 至 S2 的关断电压为 ±1.2kV。TPSI2240-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其能够可靠地支持系统级电介质耐压测试 (HiPot)，并且无需任何外部元件即可承受高达 1mA（TPSI2240C-Q1 为 0.6mA，TPSI2240T-Q1 为 3mA）的直流快速充电器浪涌电流。

TPSI2240-Q1 是一款隔离式固态继电器，专为高电压汽车和工业应用而设计。TPSI2240-Q1 与 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解决方案，无需次级侧电源。

该器件的初级侧仅由 5mA 的输入电流供电，并集成了一个失效防护 EN 引脚，可防止对 VDD 电源反向供电的任何可能性。在大多数应用中，器件的 VDD 引脚应连接到 4.5V 至 20V 的系统电源，并且器件的 EN 引脚应由逻辑高电平介于 2.1V 至 20V 之间的 GPIO 输出驱动。在其他应用中，VDD 和 EN 引脚可以直接全由系统电源或 GPIO 输出驱动。TPSI2240-Q1 的所有控制配置都不需要光继电器解决方案通常所需的其他外部元件，例如电阻器和/或低侧开关。

次级侧包含背对背 MOSFET，从 S1 至 S2 的关断电压为 ±1.2kV。TPSI2240-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其能够可靠地支持系统级电介质耐压测试 (HiPot)，并且无需任何外部元件即可承受高达 1mA（TPSI2240C-Q1 为 0.6mA，TPSI2240T-Q1 为 3mA）的直流快速充电器浪涌电流。
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* 数据表 TPSI2240-Q1 具有雪崩保护功能的 1200V、50mA 汽车类增强型固态继电器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2026年 1月 5日
功能安全信息 TPSI2240-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA PDF | HTML 2025年 12月 11日
证书 TPSI2240Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2025年 7月 1日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TPSI2240Q1EVM — TPSI2240-Q1 评估模块

TPSI2240Q1EVM 是包含多个测试点和跳线的硬件评估模块 (EVM)，用于全面评估 TPSI2240-Q1 的性能和功能。该评估模块包含测试和评估 TPSI2240-Q1 器件所需的材料，可以将器件无缝设计到更大型的应用中，如电池管理系统。TPSI2240Q1EVM 可单独使用，也可选择与外部微控制器配对使用，用于驱动器件的使能信号。使用该 EVM 评估诸如电介质耐压测试（又称高压 [HiPot] 测试）和直流快充浪涌电流等应用需求，且无需外部保护元件。此 EVM 组装了采用 SOIC 封装的 TPSI2240-Q1。
用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
参考设计

TIDA-010985 — 适用于 800V 直流系统、具有大 Y 电容器的阻性桥式绝缘监测器件参考设计

此参考设计采用阻性桥式绝缘监测器件 (IMD)。此设计可准确检测对称和非对称隔离电阻故障。该参考设计还测量具有大 Y 电容（Y 电容）的高压直流系统的电容。此设计满足 UL 标准规定的响应时间要求。
设计指南: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DWQ) 11 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

视频