ISOS510-SEP
- 耐放射線性能
- 総照射線量 (TID) 特性 (ELDRS フリー) 最大 50krad(Si)
- TID RLAT 最大 30krad(Si)
- 125℃ でのシングルイベント ラッチアップ (SEL) LET 耐性 43MeV-cm2/mg
- シングルイベント機能割り込み (SEFI) およびシングルイベント過渡 (SET) は、最大 43MeV-cm2/mg の LET にて特性評価
- 宇宙用強化プラスチック (宇宙用 EP)
- NASA ASTM E595 アウトガス仕様に適合
- ミリタリー温度範囲 (-55℃～125℃)
- 1 チャネル ダイオード入力
- 電流伝達率 (CTR)：IF = 5mA、VCE = 5V のとき100%～155%
- 高いコレクタ - エミッタ電圧：VCE (max) = 30V
- 堅牢 SiO2 絶縁バリア
- 絶縁定格：3750VRMS
- 動作電圧：500VRMS、707VPK
- サージ耐性：最大 10kV
- 応答時間：VCE = 10V、IC = 2mA、RL = 100Ω で 3µs (標準値)
- 小型 4 ピン パッケージ (DFG)
- 安全関連認証：
- UL 1577 認定
- VDE による DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 準拠
ISOS510 耐放射線 / デバイスは、シングルチャネル、電流駆動のトランジスタ出力付きアナログ アイソレータです。本デバイスは、他の電流駆動アナログ アイソレータと比較して優れた信頼性と性能を備えています。高帯域幅、低ターンオフ遅延、低消費電力、広い温度範囲、平坦な電流伝達比 (CTR)、厳格なプロセス制御により、部品間スキューを低減しています。これらの性能上の利点が、放射線、温度範囲全体、寿命全体にわたって安定性を維持します。
ISOS510 は、3.75kVRMS の絶縁定格に対応した、2.54mm ピン ピッチの小型 SOIC-4 パッケージで供給されます。ISOS510 はその高い性能と信頼性により、絶縁型 DC/DC モジュールの帰還ループ、衛星推進電源処理ユニット、宇宙船のバッテリ管理システムなど、航空宇宙および防衛アプリケーションでの使用が可能です。
設計および開発
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評価ボード
ISOM-EVM — ユニバーサル フォトカプラ エミュレータの評価基板
ISOM-EVMは、5 ピン DFF、4 ピン DFG、4 ピン DFH、4 ピン DFS SOIC の各パッケージに封止した TI の各種フォトカプラ エミュレータの評価に対応しています。評価基板 (EVM) の構成や部品の値を変更すると、この評価基板 (EVM) を再構成し、多様なフォトカプラ エミュレータや多様な入力信号、または他のアプリケーションを評価することができます。この評価基板 (EVM) はフォトカプラ エミュレータ IC を搭載していません。そのため、開発ユーザーは互換性のある IC のいずれかを選択し、取り付けることができます。基板を切り離して 3 (...)
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SOIC (DFG) | 4 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。