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UCC21739-Q1

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車載対応、絶縁型アナログ センシング機能搭載、IGBT/SiC 向け、3kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ

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製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Basic Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700, 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 8400 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Over Current Protection, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Basic Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700, 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 8400 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Over Current Protection, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 3kVRMS のシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバ
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1：-40℃～+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C3
  • 最高 900Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V (最大値)
  • ±10A の駆動能力と分割出力
  • 最小 CMTI：150V/ns
  • 270ns の応答時間による高速過電流保護
  • 外部アクティブ ミラー クランプ
  • フォルト発生時の内部 2 レベル ターンオフ
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ センサで
    • NTC、PTC、サーマル ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • 過電流 FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY のパワー グッド付き)
  • 最大 5V のオーバー/アンダー シュート過渡電圧に耐える入力/出力
  • 伝搬遅延時間：130ns (最大値)、パルス / 部品スキュー：30ns (最大値)
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：-40℃～150℃
  • 安全関連認証：
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した絶縁耐圧：4242VPK
  • 3kVRMS のシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバ
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1：-40℃～+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C3
  • 最高 900Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V (最大値)
  • ±10A の駆動能力と分割出力
  • 最小 CMTI：150V/ns
  • 270ns の応答時間による高速過電流保護
  • 外部アクティブ ミラー クランプ
  • フォルト発生時の内部 2 レベル ターンオフ
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ センサで
    • NTC、PTC、サーマル ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • 過電流 FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY のパワー グッド付き)
  • 最大 5V のオーバー/アンダー シュート過渡電圧に耐える入力/出力
  • 伝搬遅延時間：130ns (最大値)、パルス / 部品スキュー：30ns (最大値)
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：-40℃～150℃
  • 安全関連認証：
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した絶縁耐圧：4242VPK

UCC21739-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせた、SiC MOSFET および IGBT の最高 DC 900V 動作電圧向けに設計されたガルバニック絶縁型シングル チャネル ゲート ドライバです。UCC21739-Q1 は、最大 ±10A のピーク ソース / シンク電流を供給できます。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁されており、最大 636VRMS の動作電圧、絶縁バリア寿命が 40 年を超える 6kVPK のサージ耐性を備えるとともに、小さい部品間スキューと 150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21739-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング サポート、フォルト通知、アクティブ ミラー クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。

UCC21739-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせた、SiC MOSFET および IGBT の最高 DC 900V 動作電圧向けに設計されたガルバニック絶縁型シングル チャネル ゲート ドライバです。UCC21739-Q1 は、最大 ±10A のピーク ソース / シンク電流を供給できます。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁されており、最大 636VRMS の動作電圧、絶縁バリア寿命が 40 年を超える 6kVPK のサージ耐性を備えるとともに、小さい部品間スキューと 150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21739-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング サポート、フォルト通知、アクティブ ミラー クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート UCC21739-Q1 アクティブ保護、絶縁アナログ センシング機能、高 CMTI 搭載、車載用 10A ソース / シンク、SiC/IGBT 向け絶縁シングル チャネル ゲート ドライバ データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 2月 8日
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設計ガイド サーマル・ダイオードとセンシング FET を搭載した SiC/IGBT 絶縁型ゲート・ドライバのリファレンス・デザイン 英語版 2020年 1月 17日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

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UCC21732QDWEVM-025 は、コンパクトなシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバ ボードであり、150 x 62 x 17mm と 106 x 62 x 30mm の各パッケージに封止済みで、SiC MOSFET と Si IGBT の各パワー モジュールに必要なドライブ、バイアス電圧、保護機能、および診断機能を搭載しています。この TI 評価基板 (EVM) のベースは、沿面距離と空間距離が 8.0mm の SOIC-16DW パッケージに封止した 5.7kVrms 強化絶縁ドライバ UCC217XX です。この評価基板は、SN6505B をベースとする絶縁型 DC/DC (...)

ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
計算ツール

SLUC695 — UCC217xx XL Calculator Tool

Calculator enable customer design in terms of switching frequency and OC/DESAT, STO timing
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
絶縁型ゲート ドライバ
  • UCC21710-Q1 — 車載、過電流保護機能搭載、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ
  • UCC21732-Q1 — 車載、2 レベルのターンオフ機能搭載、IGBT/SiCFET 向け、5.7kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ
  • UCC21736-Q1 — 車載対応、アクティブ短絡保護機能搭載、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、±10A、絶縁型シングルチャネル ゲート ドライバ
  • UCC21739-Q1 — 車載対応、絶縁型アナログ センシング機能搭載、IGBT/SiC 向け、3kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ
  • UCC21750 — DESAT (脱飽和) 機能搭載、ミラー クランプ内蔵、IGBT/SiC FET 向け、5.7kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ
  • UCC21750-Q1 — 車載、DESAT (脱飽和) 機能搭載、クランプ内蔵、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ
  • UCC21751-Q1 — 車載、DESAT (脱飽和) 機能搭載、クランプ内蔵、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、+-10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ
  • UCC21759-Q1 — 車載、DESAT (脱飽和) 機能搭載、クランプ内蔵、IGBT/SiC 向け、3.0kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ
  • UCC21711-Q1 — 車載、過電流保護機能搭載、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、+-10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ
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PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション ツール向け PSpice®

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購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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