CSD95379Q3M
- 12A 电流下的系统效率达 92.5%
- 12A 电流时 1.8W 的超低功率损耗
- 最大额定持续电流为 20A，峰值电流为 45A
- 高频运行（高达 2MHz）
- 高密度 – 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线封装 (SON) 尺寸
- 超低电感封装
- 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
- 低静态 (LQ) 和超低静态 (ULQ) 电流模式
- 与 3.3V 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
- 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
- 三态 PWM 输入
- 集成型自举二极管
- 击穿保护
- 符合 RoHS 标准 - 无铅引脚镀层
- 无卤素
应用范围
- NVDC 笔记本电脑/超极本 PC
- 平板电脑
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
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CSD95379Q3M NexFET 功率级的设计经过高度优化，适用于高功率、高密度同步降压转换器。 这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和 NexFET 技术来完善功率级开关功能。 此驱动器 IC 具有一个内置可选二极管仿真功能，此功能可启用断续传导模式 (DCM) 运行来提升轻负载效率。 此外，驱动器 IC 支持 ULQ 模式，此模式支持针对 Windows 8 的联网待机功能。借助于三态 PWM 输入，静态电流可减少至 130μA，并支持立即响应。 当 SKIP# 保持在三态时，电流可减少至 8µA（恢复切换通常需要 20µs）。 这个组合在小型 3.3mm x 3.3mm 外形尺寸封装中提供高电流、高效和高速开关功能。 此外，PCB 封装已经过优化，可帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。
技术文档
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | CSD95379Q3M 同步降压 NexFET 功率级 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 最新英语版本 (Rev.D) | PDF | HTML | 2015年 7月 21日 |
| 技术文章 | How to create a power supply for Intel’s Braswell processor | PDF | HTML | 2015年 8月 10日 |
设计和开发
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参考设计
PMP22510 — 开关型集成电容器降压 (SCIB) 转换器参考设计
该开关电容器集成降压 (SCIB) 转换器经高度优化，适用于高功率、高密度单输出功率转换器。它可在 40V 至 60V 的宽输入电压轨范围内工作，每相可生成 8.0V、5.0V、3.3V 或 1.8V 电压轨及最高 40A 的负载电流。该参考设计在 23mm x 23mm 的 PCB 上集成了 CSD95490Q5MC 和 CSD95379Q3M NexFET MOSFET 功率级、UCC27212 驱动器 IC、电容器和电感器，并可与多相降压控制器 TPS53667 兼容，以实现功率级切换功能。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSON-CLIP (DNS) | 10 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点