DRV8161
- 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
- 高侧 MOSFET 源极/漏极电压高达 102V（绝对最大值）
- 8V (5V DRV8162L) 至 20V 栅极驱动电源
- 集成式自举二极管
- 功能安全质量管理型
- 可帮助进行功能安全系统设计的文档
- 具有集成式涓流电荷泵，支持 100% PWM 占空比
- 16 电平栅极驱动峰值电流
- 16mA - 1000mA 拉电流
- 32mA - 2000mA 灌电流
- 拉电流/灌电流比 1:1、1:2、1:3
- 可调 PWM 死区时间插入 20ns - 900ns
- 电机相位 (SH) 开关的可靠设计
- 压摆率 50V/ns
- 负瞬态电压 -20V
- 2A 强栅极下拉
- 双路栅极驱动电源输入可实现冗余关断（DRV8162、DRV8162L）
- 低失调电流检测放大器 (DRV8161)
- 可调增益（5、10、20、40V/V）
- 灵活的 PWM 控制接口；2 引脚 PWM、1 引脚 PWM 和独立 PWM 模式
- 13 电平 VDS 过流阈值
- 独立关断引脚 (nDRVOFF)
- 栅极驱动器软关断序列
- 集成保护特性
- GVDD 欠压 (GVDDUV)
- 自举欠压 (BST_UV)
- MOSFET 过流保护 (VDS)
- 击穿保护
- 热关断 (OTSD)
- 故障状态指示器 (nFAULT)
- 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
DRV816x 器件是半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。栅极驱动电压由 GVDD 电源引脚生成，集成自举电路用于驱动漏极电压高达 102V 的高侧 FET。智能栅极驱动架构支持高达 1A 拉电流和 2A 灌电流的 16 电平（48 种组合）栅极驱动峰值电流，以及内置的栅极驱动电流时序控制。这些器件可用于驱动各种类型的负载，包括无刷/有刷直流电机、PMSM、步进电机、SRM 和电磁阀。
内部保护功能可用于电源欠压、FET 过流和芯片过热等情况。nFAULT 引脚指示保护功能检测到的故障事件。nDRVOFF 引脚可以不依赖于 PWM 控制来启动功率级关断。DRV8162 和 DRV8162L 器件提供双电源架构，有助于实现安全转矩关闭 (STO) 功能。
许多器件参数（包括栅极驱动电流、死区时间、PWM 控制接口和过流检测）都可以通过一些连接到器件引脚的无源器件进行配置。集成的低侧电流检测放大器 (DRV8161) 可将电流测量信息返回至控制器。
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设计和开发
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评估板
DRV8161EVM — DRV8161 评估模块
DRV8161 评估模块 (EVM) 是一款使用 DRV8161 栅极驱动器来旋转 BLDC 电机的 30A 三相无刷直流驱动级。该 EVM 可快速评估 DRV8161 器件，该器件通过梯形换向和控制来旋转 BLDC 电机。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSSOP (DGS) | 20 | Ultra Librarian |
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