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Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Number of channels 3 Forward/reverse channels 2 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 CMTI (min) (V/µs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (µs) 0.011 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.65 Creepage (min) (mm) 8 Clearance (min) (mm) 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Number of channels 3 Forward/reverse channels 2 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 CMTI (min) (V/µs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (µs) 0.011 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.65 Creepage (min) (mm) 8 Clearance (min) (mm) 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 50Mbps 数据速率
  • 稳健可靠的隔离栅:
    • 在 1500 VRMS 工作电压下具有超长的寿命
    • 隔离等级高达 5000 VRMS
    • 浪涌能力高达 10kV
    • CMTI 典型值为 ±150 kV/µs
  • 宽电源电压范围:1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平 (ISO6731) 和低电平 (ISO6731F) 选项
  • 宽温度范围:–40°C 至 125°C
  • 1Mbps 时的每通道电流典型值为 1.6mA
  • 低传播延迟:11ns(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
    • 低辐射
  • 宽体 SOIC (DW-16) 封装
  • 安全相关认证:
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证
  • 50Mbps 数据速率
  • 稳健可靠的隔离栅:
    • 在 1500 VRMS 工作电压下具有超长的寿命
    • 隔离等级高达 5000 VRMS
    • 浪涌能力高达 10kV
    • CMTI 典型值为 ±150 kV/µs
  • 宽电源电压范围:1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平 (ISO6731) 和低电平 (ISO6731F) 选项
  • 宽温度范围:–40°C 至 125°C
  • 1Mbps 时的每通道电流典型值为 1.6mA
  • 低传播延迟:11ns(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
    • 低辐射
  • 宽体 SOIC (DW-16) 封装
  • 安全相关认证:
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证

ISO6731 器件是高性能三通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS 隔离额定值,非常适合具有此类需求的成本敏感型应用。此器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时, ISO6731 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,并具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。该器件配有使能引脚,可用于在多主驱动应用中将各自的输出置于高阻抗状态。ISO6731 器件具有两个正向通道和一个反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参阅器件功能模式部分。

该器件与隔离式电源结合使用,有助于防止 UART、SPI、RS-485、RS-232 和 CAN 等数据总线上的噪声电流损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布局技术, ISO6731 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。 ISO6731 器件采用 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 封装,是对前几代器件的引脚到引脚的升级。

ISO6731 器件是高性能三通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的 5000VRMS 隔离额定值,非常适合具有此类需求的成本敏感型应用。此器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时, ISO6731 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射,并具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。该器件配有使能引脚,可用于在多主驱动应用中将各自的输出置于高阻抗状态。ISO6731 器件具有两个正向通道和一个反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参阅器件功能模式部分。

该器件与隔离式电源结合使用,有助于防止 UART、SPI、RS-485、RS-232 和 CAN 等数据总线上的噪声电流损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布局技术, ISO6731 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。 ISO6731 器件采用 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 封装,是对前几代器件的引脚到引脚的升级。

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设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

DIGI-ISO-EVM — 通用数字隔离器评估模块

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块 (EVM),用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件:8 引脚窄体 SOIC (D)、8 引脚宽体 SOIC (DWV)、16 引脚宽体 SOIC (DW)、16 引脚超宽体 SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项,支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估板

ISO6741DWEVM — ISO67xx 通用、三或四通道数字隔离器评估模块

ISO6741DWEVM 是一款用于评估 ISO67xx 的评估模块,ISO67xx 是采用 16 引脚 WB SOIC 封装(封装代码 DW)的低速通用三通道或四通道数字隔离器。此 EVM 具有足够的测试点和跳线选项,支持使用更少的外部元件来评估相应器件。
用户指南: PDF
英语版: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

ISO6731 IBIS Model

SLAM353.ZIP (92 KB) - IBIS Model
仿真模型

ISO6731 PSpice Transient Model

SLLM483.ZIP (887 KB) - PSpice Model
参考设计

TIDA-010940 — 单相并联电表参考设计

该参考设计使用独立多通道模数转换器 (ADC) 对分流传感器进行采样,从而实现单相能量计。分流传感器和超低功耗霍尔效应传感器 (DRV5032) 相结合,能够检测磁篡改攻击并更大程度地降低其影响。该参考设计在 4000:1 输入范围 (25mA–100A) 内以 8kHz 的采样率实现 0.5S 级精度,并使用 TI Arm® Cortex®-M0+ 主机微控制器计算计量参数。必要的软件功能在 MSPM0-SDK 版本2.02.00.05 中实现,可使用 TI Code Composer Studio™ 进行编译。
设计指南: PDF
参考设计

TIDA-010944 — Single-phase and split-phase shunt energy metrology reference design

This reference design implements a single-phase with neutral or split-phase energy measurement subsystem using one isolated and one non-isolated standalone multichannel analog-to-digital converters (ADCs) with two shunts. The combination of shunt sensors and a low-power linear 3D Hall-effect (...)
设计指南: PDF
参考设计

TIDA-010243 — 具有独立 ADC 的三相电流互感器电表参考设计

此参考设计使用高性能多通道模数转换器 (ADC) 实现 0.1 级三相电能测量,此转换器在 8kHz 下对电流互感器 (CT) 进行采样,以测量交流电源各相的电流和电压。此参考设计在宽输入电流范围 (0.05A – 100A) 内具有高精度,还支持实现独立谐波分析等电能质量功能所需的高采样频率。使用 TI Arm® Cortex®-M0+ 主机微控制器进行计量时,可实现 32kSPS 的 ADC 采样率。必要的软件功能可通过将 TI ADC 电能计量库移植到 MSPM0G3507 来实现,并可使用 Code Composer Studio™ 进行编译。
设计指南: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

视频