TL084H

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工作温度范围为 -40°C 至 125°C 且输入接近 V+ 的四通道、40V、5.25MHz、4mV 失调电压、20V/µs 运算放大器

产品详情

Number of channels 4 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 40 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 4.5 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 5.25 Slew rate (typ) (V/µs) 20 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 4 Iq per channel (typ) (mA) 0.9375 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 37 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 2 Features Cost Optimized, EMI Hardened, Small Size, Standard Amps Input bias current (max) (pA) 120 CMRR (typ) (dB) 105 Iout (typ) (A) 0.026 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.5 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.105 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.115
Number of channels 4 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 40 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 4.5 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 5.25 Slew rate (typ) (V/µs) 20 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 4 Iq per channel (typ) (mA) 0.9375 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 37 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 2 Features Cost Optimized, EMI Hardened, Small Size, Standard Amps Input bias current (max) (pA) 120 CMRR (typ) (dB) 105 Iout (typ) (A) 0.026 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.5 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.105 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.115
SOIC (D) 14 51.9 mm² 8.65 x 6 SOT-23-THN (DYY) 14 13.692 mm² 4.2 x 3.26 TSSOP (PW) 14 32 mm² 5 x 6.4
  • 高压摆率:20V/µs(TL08xH,典型值)
  • 低失调电压:1mV(TL08xH,典型值)
  • 低失调电压漂移:2µV/°C
  • 低功耗:940µA/通道(TL08xH,典型值)
  • 宽共模和差分电压范围
    • 共模输入电压范围包括 VCC+
  • 低输入偏置和失调电流
  • 低噪声:f = 1kHz 时,Vn = 18nV/√Hz(典型值)
  • 输出短路保护
  • 低总计谐波失真:0.003%(典型值)
  • 宽电源电压:±2.25V 至 ±20V,4.5V 至 40V
  • 高压摆率:20V/µs(TL08xH,典型值)
  • 低失调电压:1mV(TL08xH,典型值)
  • 低失调电压漂移:2µV/°C
  • 低功耗:940µA/通道(TL08xH,典型值)
  • 宽共模和差分电压范围
    • 共模输入电压范围包括 VCC+
  • 低输入偏置和失调电流
  • 低噪声:f = 1kHz 时,Vn = 18nV/√Hz(典型值)
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  • 低总计谐波失真:0.003%(典型值)
  • 宽电源电压:±2.25V 至 ±20V,4.5V 至 40V

TL08xH(TL081H、TL082H 和 TL084H)系列器件是业界通用的 TL08x(TL081、TL082 和 TL084)器件的下一代版本。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,其特性包括低失调电压(1mV,典型值)、高压摆率 (20V/µs) 和正电源的共模输入。得益于高 ESD(1.5kV,HBM)、集成 EMI 和射频滤波器以及 –40°C 至 125°C 的完整运行温度范围,TL08xH 器件可用于要求严苛的应用。

TL08xH(TL081H、TL082H 和 TL084H)系列器件是业界通用的 TL08x(TL081、TL082 和 TL084)器件的下一代版本。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,其特性包括低失调电压(1mV,典型值)、高压摆率 (20V/µs) 和正电源的共模输入。得益于高 ESD(1.5kV,HBM)、集成 EMI 和射频滤波器以及 –40°C 至 125°C 的完整运行温度范围,TL08xH 器件可用于要求严苛的应用。

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TL08xx FET 输入运算放大器 数据表 (Rev. N) PDF | HTML 英语版 (Rev.N) PDF | HTML 2024年 6月 11日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

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AMP-PDK-EVM 套件支持五种常用的业界通用封装,包括:

  • D(SOIC-8 和 SOIC-14)
  • PW (TSSOP-14)
  • DGK (VSSOP-8)
  • DBV(SOT23-5 和 SOT23-6)
  • DCK(SC70-5 和 SC70-6)
用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.B): PDF | HTML
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DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装,包括:

  • D 和 U (SOIC-8)
  • PW (TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
  • DBV(SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3)
  • DCK(SC70-6 和 SC70-5)
  • DRL (SOT563-6)
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DUAL-DIYAMP-EVM 系列可实现快速、方便的原型设计,并且使用常用的 0805 或 0603 (...)
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SLOM514.ZIP (7 KB) - TINA-TI Reference Design
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SLOM513A.ZIP (30 KB) - PSpice Model
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英语版 (Rev.A): PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 14 Ultra Librarian
SOT-23-THN (DYY) 14 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 14 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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