データシート
TPS736-Q1
- 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み：
- 温度グレード 1：-40℃～+125℃、TA
- デバイス HBM ESD 分類レベル 2
- デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
- 出力コンデンサなし、または任意の値またはタイプのコンデンサで安定動作
- 入力電圧範囲：1.7V～5.5V
- 非常に低いドロップアウト電圧：75mV (標準値)
- オプションの出力コンデンサの有無にかかわらず非常に優れた負荷過渡応答
- 新しい NMOS トポロジにより、逆リーク電流を低減
- 低ノイズ：30µVRMS (標準値、10Hz～100kHz)
- 初期精度：0.5%
- ライン、負荷、温度の全範囲にわたって 1% の総合精度
- シャットダウン モードの最大 IQ：1µA 未満
- サーマル シャットダウン、仕様規定された最小 / 最大電流制限保護
- 複数の出力電圧バージョンが利用可能：
- 固定出力：1.2V～3.3V
- 調整可能な出力：1.2V～5.5V
TPS736-Q1 低ドロップアウト (LDO) リニア電圧レギュレータは、NMOS パス トランジスタで構成される NMOS トポロジを電圧フォロワ構成で使用します。このトポロジは、低 ESR の出力コンデンサで安定に動作し、コンデンサを使用しなくても動作できます。また、このトポロジは逆耐圧が高く (低逆電流)、グランド ピン電流が全出力電流値にわたってほぼ一定です。
TPS736-Q1 は、非常に低いドロップアウト電圧と小さいグランド ピン電流を実現すると同時に、先進の BiCMOS プロセスを使用することで高い精度を達成しています。ディセーブル時の消費電流は 1µA 未満であり、携帯型アプリケーションに最適です。非常に小さい出力ノイズ (0.1µF の CNR で 30µVRMS) は、VCO への電力供給に最適です。このデバイスは、サーマル シャットダウンとフォールドバック電流制限によって保護されています。
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技術資料
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | TPS736-Q1 車載、コンデンサ不要、NMOS、400mA 低ドロップアウト レギュレータ、 逆電流保護機能搭載 データシート (Rev. B 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2025年 1月 6日 |
設計および開発
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評価ボード
TPS73601DRBEVM-518 — TPS73601DRBEVM-518 評価モジュール
The TPS73601DRBEVM-518 evaluation module is a fully assembled and tested circuit for evaluating the TPS73601 low-dropout (LDO) linear voltage regulator in the DRB (3x3mm SON) package.
ユーザー ガイド: PDF
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SOT-223 (DCQ) | 6 | Ultra Librarian |
| SOT-23 (DBV) | 5 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。