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UCC27624V-Q1

アクティブ

車載、8V UVLO (低電圧ロックアウト) 搭載、30V VDD 対応、短い伝搬遅延、5A/5A、デュアルチャネル、ローサイド ドライバ

製品詳細

Number of channels 2 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 26 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 10 Propagation delay time (µs) 0.017 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Dual, Non-Inverting Input negative voltage (V) -10 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Driver configuration Dual, Non-Inverting
Number of channels 2 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 26 Features Enable pin Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 10 Propagation delay time (µs) 0.017 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Dual, Non-Inverting Input negative voltage (V) -10 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Driver configuration Dual, Non-Inverting
HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² 3 x 4.9 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 車載アプリケーション用に認定済み
  • AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1
  • 各チャネルの 5A (代表値) ピーク ソースおよびシンク駆動電流
  • –10V まで扱える入力およびイネーブル ピン
  • -2V (過渡) を扱える出力
  • VDD 電圧の絶対 hhhh 最大値:30V
  • 9.5V~26V の広い VDD 動作範囲 (UVLO 付き)
  • ヒステリシス付きのロジック スレッショルドによる高いノイズ耐性
  • VDD と無関係な入力スレッショルド (TTL 互換)
  • 高速伝搬遅延時間:17ns (標準値)
  • 高速立ち上がり / 立ち下がり時間:6ns/10ns (標準値)
  • 2 チャネル間遅延マッチング:1ns (代表値)
  • 2 チャネルを並列に使用することで、より高い駆動電流を実現可能
  • SOIC8 PowerPAD™ と VSSOP8 PowerPAD™ のパッケージ オプション
  • 動作時の接合部温度範囲:–40℃~150℃
  • 車載アプリケーション用に認定済み
  • AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1
  • 各チャネルの 5A (代表値) ピーク ソースおよびシンク駆動電流
  • –10V まで扱える入力およびイネーブル ピン
  • -2V (過渡) を扱える出力
  • VDD 電圧の絶対 hhhh 最大値:30V
  • 9.5V~26V の広い VDD 動作範囲 (UVLO 付き)
  • ヒステリシス付きのロジック スレッショルドによる高いノイズ耐性
  • VDD と無関係な入力スレッショルド (TTL 互換)
  • 高速伝搬遅延時間:17ns (標準値)
  • 高速立ち上がり / 立ち下がり時間:6ns/10ns (標準値)
  • 2 チャネル間遅延マッチング:1ns (代表値)
  • 2 チャネルを並列に使用することで、より高い駆動電流を実現可能
  • SOIC8 PowerPAD™ と VSSOP8 PowerPAD™ のパッケージ オプション
  • 動作時の接合部温度範囲:–40℃~150℃

UCC27624V-Q1 は、MOSFET、IGBT、SiC パワー スイッチを効率的に駆動するデュアルチャネル高速ローサイド ゲート ドライバです。UCC27624V-Q1 は 5A (代表値) のピーク駆動能力を持っています。これにより、パワー スイッチの立ち上がり / 立ち下がり時間を短縮し、スイッチング損失を低減し、効率を向上させます。本デバイスの高速伝搬遅延 (代表値 17ns) は、システムのデッドタイム最適化、パルス幅利用率、制御ループ応答、過渡性能を改善させることで出力段の効率を向上させます。

UCC27624V-Q1 は、入力で –10V を扱えるため、中程度のグランド バウンスが発生するシステムの堅牢性を向上させることができます。これらの入力は電源電圧の影響を受けず、ほとんどのコントローラ出力に接続できるため、制御の柔軟性を最大限に高めることができます。独立したイネーブル信号を使うと、メイン制御ロジックとは無関係に電力段を制御できます。システム障害が発生した場合、イネーブル ローにすることで、ゲート ドライバを迅速にシャットオフできます。多くの高周波スイッチング電源では、電源デバイスのゲートにノイズを生じさせます。このノイズがゲート ドライバの出力ピンに注入され、ドライバを誤動作させる可能性があります。本デバイスは、過渡逆電流と逆電圧への対応能力があるため、電源デバイスやパルス変圧器のゲートのノイズが許容され、ドライバの誤動作を防止できます。

UCC27624V-Q1 は、低電圧誤動作防止機能 (UVLO) 機能も搭載されており、システムの堅牢性が向上します。パワー デバイスの動作に十分なバイアス電圧がない場合は、強力な内部プルダウン MOSFET によってゲート ドライバの出力が LOW に保持されます。

UCC27624V-Q1 は、MOSFET、IGBT、SiC パワー スイッチを効率的に駆動するデュアルチャネル高速ローサイド ゲート ドライバです。UCC27624V-Q1 は 5A (代表値) のピーク駆動能力を持っています。これにより、パワー スイッチの立ち上がり / 立ち下がり時間を短縮し、スイッチング損失を低減し、効率を向上させます。本デバイスの高速伝搬遅延 (代表値 17ns) は、システムのデッドタイム最適化、パルス幅利用率、制御ループ応答、過渡性能を改善させることで出力段の効率を向上させます。

UCC27624V-Q1 は、入力で –10V を扱えるため、中程度のグランド バウンスが発生するシステムの堅牢性を向上させることができます。これらの入力は電源電圧の影響を受けず、ほとんどのコントローラ出力に接続できるため、制御の柔軟性を最大限に高めることができます。独立したイネーブル信号を使うと、メイン制御ロジックとは無関係に電力段を制御できます。システム障害が発生した場合、イネーブル ローにすることで、ゲート ドライバを迅速にシャットオフできます。多くの高周波スイッチング電源では、電源デバイスのゲートにノイズを生じさせます。このノイズがゲート ドライバの出力ピンに注入され、ドライバを誤動作させる可能性があります。本デバイスは、過渡逆電流と逆電圧への対応能力があるため、電源デバイスやパルス変圧器のゲートのノイズが許容され、ドライバの誤動作を防止できます。

UCC27624V-Q1 は、低電圧誤動作防止機能 (UVLO) 機能も搭載されており、システムの堅牢性が向上します。パワー デバイスの動作に十分なバイアス電圧がない場合は、強力な内部プルダウン MOSFET によってゲート ドライバの出力が LOW に保持されます。

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技術資料

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SOIC (D) 8 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

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