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DRV425
- 高精度、集成式磁通门传感器：
- 失调电压：±8µT（最大值）
- 失调漂移：±5nT/°C（典型值）
- 增益误差：0.04%（典型值）
- 增益漂移：±7ppm/°C（典型值）
- 线性：±0.1%
- 噪声：1.5nT/√Hz（典型值）
- 传感器范围：±2mT（最大值）
- 可通过外部电阻器调节范围和增益
- 可选带宽：47kHz 或 32kHz
- 精密基准：
- 精度：2%（最大值），漂移：50ppm/°C（最大值）
- 引脚可选电压：2.5V 或 1.65V
- 可选比率模式：VDD/2
- 诊断特性：超范围和错误标志
- 电源电压范围：3.0V 至 5.5V
DRV425 专为单轴磁场检测应用而设计，实现了电隔离式、高灵敏度、精确直流和交流磁场测量。该器件具有独特的和专有的集成式磁通门传感器 (IFG)，带有内部补偿线圈，支持 ±2 mT 的高精度检测范围，测量带宽高达 47 kHz。传感器的低失调、失调漂移和噪声特性，结合内部补偿线圈提供的精密增益、低增益漂移和较低非线性度，造就了无与伦比的磁场测量精度。DRV425 的输出是与检测到的磁场成正比的模拟信号。
该器件提供包括内部差分放大器、片上精密基准和诊断功能在内的一整套特性，旨在最大限度减少元件数量并降低系统级成本。
该器件采用热增强型、非磁性、薄型 WQFN 封装，具有热耗散性能经优化的散热焊盘，其额定工业工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。
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设计与开发
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