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DRV8350

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102V（最大值）三相智能栅极驱动器

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Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 9 Vs ABS (max) (V) 102 Features Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 9 Vs ABS (max) (V) 102 Features Hardware Management I/F, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125
WQFN (RTV) 32 25 mm² 5 x 5
  • 9V 至 100V 三半桥栅极驱动器
    • 可选的集成降压稳压器
    • 可选的三个低侧电流分流放大器
  • 智能栅极驱动架构
    • 可调转换率控制，可实现优异的 EMI 性能
    • VGS 握手和最小死区时间插入，可避免发生击穿
    • 50mA 至 1A 峰值拉电流
    • 100mA 至 2A 峰值灌电流
    • 通过强下拉能力减小 dV/dt
  • 集成栅极驱动器电源
    • 高侧倍增电荷泵可实现 100% PWM 占空比控制
    • 低侧线性稳压器
  • 集成 LM5008A 降压稳压器
    • 6V 至 95V 工作电压范围
    • 2.5V 至 75V、350mA 输出能力
  • 集成三个电流分流放大器
    • 可调增益（5、10、20、40 V/V）
    • 双向或单向支持
  • 6x、3x、1x 和独立 PWM 模式
    • 支持 120° 有传感器运行
  • 提供 SPI 或硬件接口
  • 低功耗睡眠模式（VVM = 48V 时为 20µA）
  • 集成式保护 特性
    • VM 欠压锁定 (UVLO)
    • 栅极驱动电源欠压 (GDUV)
    • MOSFET VDS 过流保护 (OCP)
    • MOSFET 击穿保护
    • 栅极驱动器故障 (GDF)
    • 热警告和热关断 (OTW/OTSD)
    • 故障状态指示器 (nFAULT)
  • 9V 至 100V 三半桥栅极驱动器
    • 可选的集成降压稳压器
    • 可选的三个低侧电流分流放大器
  • 智能栅极驱动架构
    • 可调转换率控制，可实现优异的 EMI 性能
    • VGS 握手和最小死区时间插入，可避免发生击穿
    • 50mA 至 1A 峰值拉电流
    • 100mA 至 2A 峰值灌电流
    • 通过强下拉能力减小 dV/dt
  • 集成栅极驱动器电源
    • 高侧倍增电荷泵可实现 100% PWM 占空比控制
    • 低侧线性稳压器
  • 集成 LM5008A 降压稳压器
    • 6V 至 95V 工作电压范围
    • 2.5V 至 75V、350mA 输出能力
  • 集成三个电流分流放大器
    • 可调增益（5、10、20、40 V/V）
    • 双向或单向支持
  • 6x、3x、1x 和独立 PWM 模式
    • 支持 120° 有传感器运行
  • 提供 SPI 或硬件接口
  • 低功耗睡眠模式（VVM = 48V 时为 20µA）
  • 集成式保护 特性
    • VM 欠压锁定 (UVLO)
    • 栅极驱动电源欠压 (GDUV)
    • MOSFET VDS 过流保护 (OCP)
    • MOSFET 击穿保护
    • 栅极驱动器故障 (GDF)
    • 热警告和热关断 (OTW/OTSD)
    • 故障状态指示器 (nFAULT)

DRV835x 系列器件均为高度集成的栅极驱动器，适用于三相无刷直流 (BLDC) 电机 应用标准。这些 应用 包括 BLDC 电机的场定向控制 (FOC)、正弦电流控制和梯形电流控制。该器件型号提供了可选的集成式分流放大器以支持不同的电机控制方案，还提供了降压稳压器，以为栅极驱动器或外部控制器供电。

DRV835x 通过采用智能栅极驱动 (SGD) 架构减少了 MOSFET 压摆率控制和保护电路通常所需要的外部组件数量。SGD 架构还可优化死区时间以防止击穿问题，在通过 MOSFET 压摆率控制技术降低电磁干扰 (EMI) 方面带来了灵活性，并可通过 VGS 监控器防止栅极短路问题。强大的栅极下拉电路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生栅极开启事件。

该系列器件支持各种 PWM 控制模式（6x、3x、1x 和独立模式），可简化与外部控制器的连接。这些模式可减少电机驱动器 PWM 控制信号所需的控制器输出数量。该系列器件还包括 1x PWM 模式，因此可通过内部阻塞换向表轻松对 BLDC 电机进行传感器式梯形控制。

DRV835x 系列器件均为高度集成的栅极驱动器，适用于三相无刷直流 (BLDC) 电机 应用标准。这些 应用 包括 BLDC 电机的场定向控制 (FOC)、正弦电流控制和梯形电流控制。该器件型号提供了可选的集成式分流放大器以支持不同的电机控制方案，还提供了降压稳压器，以为栅极驱动器或外部控制器供电。

DRV835x 通过采用智能栅极驱动 (SGD) 架构减少了 MOSFET 压摆率控制和保护电路通常所需要的外部组件数量。SGD 架构还可优化死区时间以防止击穿问题，在通过 MOSFET 压摆率控制技术降低电磁干扰 (EMI) 方面带来了灵活性，并可通过 VGS 监控器防止栅极短路问题。强大的栅极下拉电路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生栅极开启事件。

该系列器件支持各种 PWM 控制模式（6x、3x、1x 和独立模式），可简化与外部控制器的连接。这些模式可减少电机驱动器 PWM 控制信号所需的控制器输出数量。该系列器件还包括 1x PWM 模式，因此可通过内部阻塞换向表轻松对 BLDC 电机进行传感器式梯形控制。
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评估板

DRV8350H-EVM — DRV8350H 三相智能栅极驱动器评估模块

The DRV8350H-EVM is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8350H gate driver and CSD19532Q5B NexFET™ power blocks. 

The module has individual DC bus and phase voltage sense as well as an external, individual low-side current shunt amplifier, making this evaluation module ideal for (...)

用户指南: PDF
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评估板

DRV8350S-EVM — DRV8350S 三相智能栅极驱动器评估模块

DRV8350S-EVM 是基于 DRV8350S 栅极驱动器和 CSD19532Q5B NexFET™ 电源块的 15A 三相无刷直流驱动级。 

该模块具有独立的直流总线和相电压感应以及独立式外部低侧电流分流放大器，因此该评估模块非常适合无传感器 BLDC 算法。  该模块通过 12V、0.35A 降压稳压器为 MCU 3.3V 和 5V 电源块供电。  可以在双轨和单轨电源解决方案中配置该驱动器。该驱动级具有 IDRIVE 配置和故障引脚，还可以通过可配置的 SPI 防止出现短路、过热、击穿和欠压等状况。该 EVM 具有完整的 USB 至 MCU (...)

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BLDC-MAX-QG-MOSFET-CALCULATOR — Calculate the maximum QG MOSFET for your motor driver

Calculate the maximum QG MOSFET that can be driven based on the PWM switching frequency, algorithm type, and additional external capacitance.
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