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Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Number of channels 4 Forward/reverse channels 3 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 CMTI (min) (V/µs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (µs) 0.011 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.65 Creepage (min) (mm) 8 Clearance (min) (mm) 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Number of channels 4 Forward/reverse channels 3 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 CMTI (min) (V/µs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (µs) 0.011 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.65 Creepage (min) (mm) 8 Clearance (min) (mm) 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 提供功能安全
  • 50Mbps 数据速率
  • 稳健可靠的隔离栅:
    • 在 1500 VRMS 工作电压下具有超长的寿命
    • 隔离等级高达 5000 VRMS
    • 浪涌能力高达 10kV
    • CMTI 典型值为 ±150 kV/µs
  • 宽电源电压范围:1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平 (ISO674x) 和低电平 (ISO674xF) 选项
  • 宽温度范围:–40°C 至 125°C
  • 1Mbps 时的每通道电流典型值为 1.6mA
  • 低传播延迟:11ns(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
    • 低辐射
  • 宽体 SOIC (DW-16) 封装
  • 安全相关认证:
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1
    • GB 4943.1
  • 提供功能安全
  • 50Mbps 数据速率
  • 稳健可靠的隔离栅:
    • 在 1500 VRMS 工作电压下具有超长的寿命
    • 隔离等级高达 5000 VRMS
    • 浪涌能力高达 10kV
    • CMTI 典型值为 ±150 kV/µs
  • 宽电源电压范围:1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平 (ISO674x) 和低电平 (ISO674xF) 选项
  • 宽温度范围:–40°C 至 125°C
  • 1Mbps 时的每通道电流典型值为 1.6mA
  • 低传播延迟:11ns(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
    • 低辐射
  • 宽体 SOIC (DW-16) 封装
  • 安全相关认证:
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1
    • GB 4943.1

ISO674x 器件是高性能四通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的高达 5000VRMS 隔离额定值,非常适合具有此类需求的成本敏感型应用。这些器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。

在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的同时, ISO674x 器件可提供高电磁抗扰度、低干扰和低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。这些器件配有使能引脚,可用于在多主驱动应用中将各自的输出置于高阻抗状态。 ISO6740 器件具有四条全部同向的通道, ISO6741 器件具有三条正向通道和一条反向通道,而 ISO6742 器件具有两条正向通道和两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见器件功能模式部分。

ISO674x 器件是高性能四通道数字隔离器,可提供符合 UL 1577 的高达 5000VRMS 隔离额定值,非常适合具有此类需求的成本敏感型应用。这些器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。

在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的同时, ISO674x 器件可提供高电磁抗扰度、低干扰和低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。这些器件配有使能引脚,可用于在多主驱动应用中将各自的输出置于高阻抗状态。 ISO6740 器件具有四条全部同向的通道, ISO6741 器件具有三条正向通道和一条反向通道,而 ISO6742 器件具有两条正向通道和两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息,请参见器件功能模式部分。

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设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

DIGI-ISO-EVM — 通用数字隔离器评估模块

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块 (EVM),用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件:8 引脚窄体 SOIC (D)、8 引脚宽体 SOIC (DWV)、16 引脚宽体 SOIC (DW)、16 引脚超宽体 SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项,支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估板

ISO6741DWEVM — ISO67xx 通用、三或四通道数字隔离器评估模块

ISO6741DWEVM 是一款用于评估 ISO67xx 的评估模块,ISO67xx 是采用 16 引脚 WB SOIC 封装(封装代码 DW)的低速通用三通道或四通道数字隔离器。此 EVM 具有足够的测试点和跳线选项,支持使用更少的外部元件来评估相应器件。
用户指南: PDF
英语版: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

ISO6741 PSpice Transient Model

SLLM469.ZIP (332 KB) - PSpice Model
仿真模型

ISO6741 IBIS Model (Rev. A)

SLLM455A.ZIP (92 KB) - IBIS Model
参考设计

TIDA-010933 — 基于 GaN 的 1.6kW 双向微型逆变器参考设计

此参考设计展示了一款具有储能功能的基于 GaN 的四输入双向 1.6kW 微型逆变器。
设计指南: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

视频