主页 电源管理 功率级 氮化镓 (GaN) 功率级

LMG3622

正在供货

700V 106mΩ GaN FET with integrated driver and protection

产品详情

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, USB C/PD compatible, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, USB C/PD compatible, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • 700V、106mΩ、GaN 功率 FET
  • 具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅极驱动器
  • 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
  • 逐周期过流保护
  • 通过 FLT 引脚报告实现过热保护
  • AUX 静态电流:240µA
  • AUX 待机静态电流:50µA
  • 最大电源和输入逻辑引脚电压:26V
  • 带有散热焊盘的 8mm × 5.3mm QFN 封装
  • 700V、106mΩ、GaN 功率 FET
  • 具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅极驱动器
  • 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
  • 逐周期过流保护
  • 通过 FLT 引脚报告实现过热保护
  • AUX 静态电流:240µA
  • AUX 待机静态电流:50µA
  • 最大电源和输入逻辑引脚电压:26V
  • 带有散热焊盘的 8mm × 5.3mm QFN 封装

LMG3622 是一款 700V 106mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。LMG3622 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装中集成 GaN FET 和栅极驱动器,简化了设计并减少了元件数量。

可编程导通压摆率可实现 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比,电流检测仿真可降低功耗,并允许将低侧散热焊盘连接到凉爽的 PCB 电源地。

LMG3622 具有低静态电流和快速启动时间,可满足转换器轻负载效率要求,并实现突发模式运行。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热保护。过热保护通过漏极开路 FLT 引脚报告。

LMG3622 是一款 700V 106mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。LMG3622 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装中集成 GaN FET 和栅极驱动器,简化了设计并减少了元件数量。

可编程导通压摆率可实现 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比,电流检测仿真可降低功耗,并允许将低侧散热焊盘连接到凉爽的 PCB 电源地。

LMG3622 具有低静态电流和快速启动时间,可满足转换器轻负载效率要求,并实现突发模式运行。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热保护。过热保护通过漏极开路 FLT 引脚报告。

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技术文档

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* 数据表 LMG3622 具有集成式驱动器 和电流检测仿真功能 的 700V、 106 mΩ、GaN FET 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2025年 6月 30日
技术文章 The benefits of low-power GaN in common AC/DC power topologies PDF | HTML 2024年 1月 30日
应用简报 利用 TI GaN 中的集成电流检测功能更大限度提高系统效率 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 13日
产品概述 使用 LMG362x 系列 低功耗 GaN FET 进行设计 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 11月 29日
证书 LMG3622EVM-082 EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 8月 21日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

LMG3622EVM-082 — LMG3622 支持 USB Type-C® PD 的 65W 准谐振反激式转换器评估模块

LMG3622EVM-082 采用了具有电流检测仿真功能的 LMG3622 集成式 GaN FET,具有高效率和高密度等特性,可适用于 65W USB Type-C® 电力输送 (PD) 脱机式适配器。  该输入支持 90VAC 至 264VAC 通用电压范围,输出可设置为 5V、9V 和 15V(电流最大为 3A)或 20V(电流最大为 3.25A),此类设置可通过 USB PD 接口控制器进行调整。  标称频率高达 200kHz 的高频运行可实现小解决方案尺寸,而多模式运行可保持高效率。  在输出端使用同步整流技术,以提高效率。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
计算工具

LMG36XX-CALC LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3612 具有集成驱动器和保护功能的 650-V 120-mΩ GaN FET LMG3614 具有集成驱动器和保护功能的 650-V 170-mΩ GaN FET LMG3616 具有集成驱动器和保护功能的 650-V 270-mΩ GaN FET LMG3622 700V 106mΩ GaN FET with integrated driver and protection LMG3624 700V 155mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing LMG3626 700V 220mΩ GaN FET with integrated driver, protection and current sensing
参考设计

PMP23558 — 采用 GaN 的 240W AC/DC PSU 参考设计

此参考设计采用转换模式的升压型功率因数校正 (PFC) 和半桥 LLC,可接受通用交流输入并生成隔离式 24V、10A 输出。该设计在初级侧采用 LMG3622 GaN 模块,并具有集成驱动器和电流检测仿真功能,可提高效率。此设计在 90Vac 输入下可实现 93.62% 的满载效率。
测试报告: PDF
参考设计

TIDA-050074 — 基于 GaN 的 140W USB PD3.1 USB-C® 适配器参考设计

此参考设计是一款基于氮化镓 (GaN)、具有高效率和高功率密度的 140W 交流/直流电源。它支持宽输入电压(90VAC 至 264VAC)和输出电压(5V 至 28V),专为以下应用而设计:用于 USB PD3.1 的适配器设计,以及电动工具充电器。
设计指南: PDF
参考设计

PMP41037 — 采用 GaN 和 C2000 的 1kW、800V 至 12V 串行半桥双向 DCX 参考设计

此参考设计是一个 1kW 双向直流变压器 (DCX),可将 800V 直流总线转换为具有隔离功能的 12V 电压。此设计由 F280039C 控制,并在谐振回路的谐振频率下持续运行。初级侧使用 LMG3622 GaN 串行半桥来处理高达 900V 的直流电压。串行半桥 (SHB) 可以修改为全桥,并将高压侧从 800V 更改为 400V。串行半桥支持各种 PWM 策略并控制灵活性。
测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频