LMG3622

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具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V 120mΩ GaN FET

产品详情

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, USB C/PD compatible, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 120 ID (max) (A) 8.5 Features Bottom-side cooled, Current sense, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Enable pin, Low Quiescent Current, Low standby current, Overtemperature protection, Slew Rate Control, USB C/PD compatible, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REQ) 38 42.4 mm² 8 x 5.3
  • 650V 120mΩ GaN 功率 FET
  • 具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅极驱动器
  • 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
  • 逐周期过流保护
  • 通过 FLT 引脚报告实现过热保护
  • AUX 静态电流:240µA
  • AUX 待机静态电流:50µA
  • 最大电源和输入逻辑引脚电压:26V
  • 带有散热焊盘的 8mm × 5.3mm QFN 封装
  • 650V 120mΩ GaN 功率 FET
  • 具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅极驱动器
  • 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
  • 逐周期过流保护
  • 通过 FLT 引脚报告实现过热保护
  • AUX 静态电流:240µA
  • AUX 待机静态电流:50µA
  • 最大电源和输入逻辑引脚电压:26V
  • 带有散热焊盘的 8mm × 5.3mm QFN 封装

LMG3622 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。LMG3622 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装中集成功率 FET 和栅极驱动器,简化了设计并减少了元件数量.

可编程导通压摆率可提供 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比,电流检测仿真可降低功耗,并允许将低侧散热焊盘连接到冷却 PCB 电源地。

LMG3622 具有低静态电流和快速启动时间,支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热保护。过热保护通过开漏 FLT 引脚报告。

LMG3622 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。LMG3622 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装中集成功率 FET 和栅极驱动器,简化了设计并减少了元件数量.

可编程导通压摆率可提供 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比,电流检测仿真可降低功耗,并允许将低侧散热焊盘连接到冷却 PCB 电源地。

LMG3622 具有低静态电流和快速启动时间,支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热保护。过热保护通过开漏 FLT 引脚报告。

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技术文档

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应用简报 利用 TI GaN 中的集成电流检测功能更大限度提高系统效率 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 13日
产品概述 使用 LMG362x 系列 低功耗 GaN FET 进行设计 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 11月 29日
证书 LMG3622EVM-082 EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 8月 21日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

LMG3622EVM-082 — LMG3622 支持 USB Type-C® PD 的 65W 准谐振反激式转换器评估模块

LMG3622EVM-082 采用了具有电流检测仿真功能的 LMG3622 集成式 GaN FET,具有高效率和高密度等特性,可适用于 65W USB Type-C® 电力输送 (PD) 脱机式适配器。该输入支持 90VAC 至 265VAC 通用电压范围,电流最大值为 3A 时,单输出可设置为 5V、9V 和 15V,最大值为 3.25A 时,可设置为 20V,此设置可通过 USB PD 接口控制器进行调整。标称频率高达 200kHz 的高频运行可实现小解决方案尺寸,而多模式运行可保持高效率。在输出端使用同步整流技术,以提高效率。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
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计算工具

LMG36XX-CALC LMG36XX Quasi-Resonant Flyback Power Stage Design Calculator

The purpose of this tool is to aid in the design of the main power stage components of a Quasi-Resonant Flyback Converter (QR) with the use LMG36XX integrated GaN FET. Calculations are provided for frequency, voltage/current stresses, and losses in converter.
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3612 具有集成驱动器和保护功能的 650V 120mΩ GaN FET LMG3616 具有集成驱动器和保护功能的 650V 270mΩ GaN FET LMG3622 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V 120mΩ GaN FET LMG3624 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V 170mΩ GaN FET LMG3626 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V 270mΩ GaN FET
参考设计

TIDA-050074 — 基于 GaN 的 140W USB PD3.1 USB-C® 适配器参考设计

此参考设计是一款基于氮化镓 (GaN)、具有高效率和高功率密度的 140W 交流/直流电源。它支持宽输入电压(90VAC 至 264VAC)和输出电压(5V 至 28V),专为以下应用而设计:用于 USB PD3.1 的适配器设计,以及电动工具充电器。
设计指南: PDF
参考设计

PMP41037 — 采用 GaN 和 C2000 的 1kW、800V 至 12V 串行半桥双向 DCX 参考设计

此参考设计是一个 1kW 双向直流变压器 (DCX),可将 800V 直流总线转换为具有隔离功能的 12V 电压。此设计由 F280039C 控制,并在谐振回路的谐振频率下持续运行。初级侧使用 LMG3622 GaN 串行半桥来处理高达 900V 的直流电压。串行半桥 (SHB) 可以修改为全桥,并将高压侧从 800V 更改为 400V。串行半桥支持各种 PWM 策略并控制灵活性。
测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN (REQ) 38 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

视频