数据表
LMG3650R070
- 具有集成式栅极驱动器的 650V 70mΩ GaN 功率 FET
- >200V/ns FET 释抑
- 可调压摆率,用于优化开关性能和缓解 EMI
- 10V/ns 至 100V/ns 导通压摆率
- 10V/ns 至全速关断压摆率
- 可在电源引脚和输入逻辑引脚电压范围为 9V 至 26V 的情况下运行
- 强大的保护
- 响应时间 <300ns 的逐周期过流和锁存短路保护
- 硬开关时可承受 720V 浪涌
- 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
- 带有散热焊盘的 9.8mm × 11.6mm TOLL 封装
LMG365xR070 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能,适用于开关模式电源转换器,可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。
可调栅极驱动器强度允许独立地控制导通和最大关断压摆率,这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。导通压摆率可以在 10V/ns 至 100V/ns 内变化,而关断压摆率可以根据负载电流的大小限制为 10V/ns 至最大值。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)、逐周期过流限制、短路和过热保护。LMG3651R070 在 LDO5V 引脚上提供 5V LDO 输出,可用于为外部数字隔离器供电。LMG3656R070 包含零电压检测 (ZVD) 功能,可在实现零电压开关时提供来自 ZVD 引脚的脉冲输出。LMG3657R070 包含零电流检测 (ZCD) 功能,可在漏源电流为负时将 ZCD 引脚设置为高电平,并在检测到过零点时转换为低电平。
技术文档
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* | 数据表 | 具有集成驱动器和保护功能的 LMG365xR070 650V 70mΩ GaN FET 数据表 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2025年 1月 21日 |
EVM 用户指南 | LMG3650R070 Evaluation Module | PDF | HTML | 2025年 1月 17日 |
设计和开发
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封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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TO-OTHER (KLA) | 9 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点