TPS7B4260-Q1

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具有反馈和 6mV 跟踪容差的汽车级 300mA 40V 电压跟踪低压降稳压器

产品详情

Output options Tracking Output Iout (max) (A) 0.3 Vin (max) (V) 40 Vin (min) (V) 3.3 Vout (max) (V) 40 Vout (min) (V) 2 Rating Automotive Noise (µVrms) 150 Iq (typ) (mA) 0.055 Thermal resistance θJA (°C/W) 48 Load capacitance (min) (µF) 1 Regulated outputs (#) 1 Features Reverse Current Protection, Reverse voltage protection, Short-to-battery protection Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 330 Operating temperature range (°C) -40 to 125
Output options Tracking Output Iout (max) (A) 0.3 Vin (max) (V) 40 Vin (min) (V) 3.3 Vout (max) (V) 40 Vout (min) (V) 2 Rating Automotive Noise (µVrms) 150 Iq (typ) (mA) 0.055 Thermal resistance θJA (°C/W) 48 Load capacitance (min) (µF) 1 Regulated outputs (#) 1 Features Reverse Current Protection, Reverse voltage protection, Short-to-battery protection Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 330 Operating temperature range (°C) -40 to 125
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:
    • 温度等级 1:–40°C 至 +125°C,TA
    • 结温:–40°C 至 +150°C,TJ
  • 宽输入电压范围:
    • 绝对最大电压范围:-40V 至 +45V
    • 工作范围:3.3V 至 40V
  • 输出电压:
    • 宽工作电压范围:2V 至 40V
    • 输出电压灵活性:在分压器配置中,使用外部电阻器可将 VOUT 调整为高于或低于基准的电压值
  • 最大输出电流:300mA
  • 非常严格的输出跟踪容差:6mV(最大值)
  • 低压降:330mV (200mA)
  • 组合了使能和基准功能
  • 轻负载时低静态电流:55µA
  • 在各种陶瓷输出电容值范围内可保持稳定:
    • COUT 范围:1µF 至 100µF
    • ESR 范围:1mΩ 至 2Ω
  • 集成保护特性:
    • 反向电流保护
    • 反极性保护
    • 过热保护
    • 提供输出至地和输出至电源短路保护
  • 可采用 HSOIC (DDA) 低热阻 (RθJA = 48°C/W) 8 引脚封装
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:
    • 温度等级 1:–40°C 至 +125°C,TA
    • 结温:–40°C 至 +150°C,TJ
  • 宽输入电压范围:
    • 绝对最大电压范围:-40V 至 +45V
    • 工作范围:3.3V 至 40V
  • 输出电压:
    • 宽工作电压范围:2V 至 40V
    • 输出电压灵活性:在分压器配置中,使用外部电阻器可将 VOUT 调整为高于或低于基准的电压值
  • 最大输出电流:300mA
  • 非常严格的输出跟踪容差:6mV(最大值)
  • 低压降:330mV (200mA)
  • 组合了使能和基准功能
  • 轻负载时低静态电流:55µA
  • 在各种陶瓷输出电容值范围内可保持稳定:
    • COUT 范围:1µF 至 100µF
    • ESR 范围:1mΩ 至 2Ω
  • 集成保护特性:
    • 反向电流保护
    • 反极性保护
    • 过热保护
    • 提供输出至地和输出至电源短路保护
  • 可采用 HSOIC (DDA) 低热阻 (RθJA = 48°C/W) 8 引脚封装

TPS7B4260-Q1 是一款单片集成低压降 (LDO) 电压跟踪器。该器件采用 8 引脚 HSOIC 封装。TPS7B4260-Q1 旨在为汽车环境中的非板载传感器供电。器件的高 300mA 电流额定值可能允许单个器件同时为多个非板载传感器供电。由于提供非板载电源的电缆发生故障的风险较高,因此器件配备了集成保护功能,可应对电池短路、反极性、输出至地短路和过热等故障情况。该器件具有包含两个背对背 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的拓扑。PMOS 拓扑无需使用外部二极管,即可帮助防止出现导致反向电流的故障情况。该器件可承受 45V(绝对最大值)输入电压,并能经受住汽车负载突降瞬态条件的考验。

跟踪施加在可调节输入引脚 (ADJ/EN) 上的参考电压,并在整个线路、负载和温度范围内在 FB 引脚上具有非常严格的 6mV(最大值)容差。凭借这种严格跟踪公差,TPS7B4260-Q1 可在高达 300mA 的负载下提供高精度电源电压。借助 ADJ/EN 引脚上的外部电阻分压器,参考电压可直接连接至 ADJ/EN 引脚,或按比例缩小至更低的值,最小缩小至 2V。通过将 FB 引脚直接连接到 OUT 引脚,可以使输出电压等于 ADJ/EN 引脚上的电压(± 跟踪公差),或借助 FB 和 OUT 引脚之间的电阻分压器将输出电压按比例提升至更高的值。

TPS7B4260-Q1 可对 ADC 基准电压进行有效的缓冲,并通过长线缆安全传输此电压(或其调整值)来为非板载传感器供电。如果传感器是比例式的,而且输出由 ADC 进行采样,则 TPS7B4260-Q1 所述特性将有助于显著提高传感器测量的可靠性和精度。

通过将 ADJ/EN 输入引脚置于低电平,TPS7B4260-Q1 可切换至待机模式,从而将 LDO 的静态电流消耗降至 3.8µA 以下。

TPS7B4260-Q1 是一款单片集成低压降 (LDO) 电压跟踪器。该器件采用 8 引脚 HSOIC 封装。TPS7B4260-Q1 旨在为汽车环境中的非板载传感器供电。器件的高 300mA 电流额定值可能允许单个器件同时为多个非板载传感器供电。由于提供非板载电源的电缆发生故障的风险较高,因此器件配备了集成保护功能,可应对电池短路、反极性、输出至地短路和过热等故障情况。该器件具有包含两个背对背 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的拓扑。PMOS 拓扑无需使用外部二极管,即可帮助防止出现导致反向电流的故障情况。该器件可承受 45V(绝对最大值)输入电压,并能经受住汽车负载突降瞬态条件的考验。

跟踪施加在可调节输入引脚 (ADJ/EN) 上的参考电压,并在整个线路、负载和温度范围内在 FB 引脚上具有非常严格的 6mV(最大值)容差。凭借这种严格跟踪公差,TPS7B4260-Q1 可在高达 300mA 的负载下提供高精度电源电压。借助 ADJ/EN 引脚上的外部电阻分压器,参考电压可直接连接至 ADJ/EN 引脚,或按比例缩小至更低的值,最小缩小至 2V。通过将 FB 引脚直接连接到 OUT 引脚,可以使输出电压等于 ADJ/EN 引脚上的电压(± 跟踪公差),或借助 FB 和 OUT 引脚之间的电阻分压器将输出电压按比例提升至更高的值。

TPS7B4260-Q1 可对 ADC 基准电压进行有效的缓冲,并通过长线缆安全传输此电压(或其调整值)来为非板载传感器供电。如果传感器是比例式的,而且输出由 ADC 进行采样,则 TPS7B4260-Q1 所述特性将有助于显著提高传感器测量的可靠性和精度。

通过将 ADJ/EN 输入引脚置于低电平,TPS7B4260-Q1 可切换至待机模式,从而将 LDO 的静态电流消耗降至 3.8µA 以下。

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* 数据表 TPS7B4260-Q1 具有 6mV 跟踪容差的汽车类 300mA、40V 电压跟踪 LDO 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 3月 2日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

TRKRLDOEVM-119 — 通用低压降 (LDO) 跟踪器稳压器评估模块

通用低压降 (LDO) 跟踪器稳压器评估模块 (EVM) 用于评估具有外部元件焊盘的 TI 跟踪器 LDO 器件以及针对超低寄生测量进行优化的板载负载瞬态电路的运行情况和性能。此 EVM 适合采用 DDA 和 D 封装的跟踪器 LDO。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
HSOIC (DDA) 8 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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