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LM2005

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8V UVLO (低電圧ロックアウト) 搭載、ブートストラップ ダイオード内蔵、107V、0.5A/0.8A ハーフブリッジ ゲート ドライバ

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製品詳細

Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 0.65 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Fall time (ns) 18 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Noninverting Switch node voltage (V) -1 Features Integrated bootstrap diode Driver configuration Dual inputs
Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 0.65 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Fall time (ns) 18 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Noninverting Switch node voltage (V) -1 Features Integrated bootstrap diode Driver configuration Dual inputs
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WSON (DSG) 8 4 mm² 2 x 2
  • ハーフブリッジ構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
  • ブートストラップ・ダイオードを内蔵
  • 8V GVDD の低電圧誤動作防止 (代表値)
  • BST での電圧 (絶対最大値)：107V
  • SH での負過渡電圧 (絶対最大値)：-19.5V
  • ソース / シンク電流 (ピーク時)：0.5A/0.8A
  • 伝搬遅延時間 (代表値)：115ns
  • ハーフブリッジ構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
  • ブートストラップ・ダイオードを内蔵
  • 8V GVDD の低電圧誤動作防止 (代表値)
  • BST での電圧 (絶対最大値)：107V
  • SH での負過渡電圧 (絶対最大値)：-19.5V
  • ソース / シンク電流 (ピーク時)：0.5A/0.8A
  • 伝搬遅延時間 (代表値)：115ns

LM2005 は、同期整流式降圧型またはハーフブリッジの構成においてハイサイドとローサイド両方の N チャネル MOSFET を駆動するよう設計された、コンパクトな高電圧ゲート・ドライバです。 ブートストラップ・ダイオードを内蔵しているため、外付けのディスクリート・ダイオードが不要になり、基板面積を節約し、システム・コストを削減できます。

SH ピンでの DC -1V および -19.5V の過渡負電圧処理により、高ノイズ・アプリケーションにおけるシステムの堅牢性が向上します。 熱特性強化型の小型 8 ピン WSON パッケージにより、ドライバをモータ位相に近い位置に配置できるため、PCB レイアウトが改善されます。 LM2005 は、業界標準のピン配置と互換性のある 8 ピン SOIC パッケージで も供給されます。ローサイドとハイサイドの両方の電源レールに低電圧誤動作防止機能 (UVLO) が搭載されており、電源投入および電源切断時の保護を実現します。

LM2005 は、同期整流式降圧型またはハーフブリッジの構成においてハイサイドとローサイド両方の N チャネル MOSFET を駆動するよう設計された、コンパクトな高電圧ゲート・ドライバです。 ブートストラップ・ダイオードを内蔵しているため、外付けのディスクリート・ダイオードが不要になり、基板面積を節約し、システム・コストを削減できます。

SH ピンでの DC -1V および -19.5V の過渡負電圧処理により、高ノイズ・アプリケーションにおけるシステムの堅牢性が向上します。 熱特性強化型の小型 8 ピン WSON パッケージにより、ドライバをモータ位相に近い位置に配置できるため、PCB レイアウトが改善されます。 LM2005 は、業界標準のピン配置と互換性のある 8 ピン SOIC パッケージで も供給されます。ローサイドとハイサイドの両方の電源レールに低電圧誤動作防止機能 (UVLO) が搭載されており、電源投入および電源切断時の保護を実現します。
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技術資料

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* データシート LM2005 8V UVLO (低電圧ロックアウト) 機能搭載、ブートストラップ・ダイオード内蔵、107V、0.5A/0.8A ハーフブリッジ・ドライバ データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 10月 30日
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設計および開発

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評価ボード

LM2105EVM — LM2105 ブートストラップ ダイオードを内蔵した 105V ハーフブリッジ ドライバの評価基板

LM2105 評価基板 (EVM) は、LM2105 の性能を評価するためのプラットフォームです。LM2105 は、105V のブート電圧で使用できるハイサイド / ローサイド ドライバで、ソース 0.5A とシンク 0.8A のピーク電流に対応するほか、2 個の N チャネル MOSFET を駆動します。同じボードを使用して、サポート対象のパッケージに封止した、互いにピン互換性のある複数のパーツを評価することができます。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

LM2005 PSpice Model

SNVMCD4.ZIP (24 KB) - PSpice Model
ダウンロード
計算ツール

LM2X0X-CALC — LM2x0x Schematic Review Template

LM2x0x Schematic Review Template (zip)
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
ハーフ ブリッジ ドライバ
  • LM2005 — 8V UVLO (低電圧ロックアウト) 搭載、ブートストラップ ダイオード内蔵、107V、0.5A/0.8A ハーフブリッジ ゲート ドライバ
  • LM2101 — 8V UVLO (低電圧ロックアウト) 搭載、107V、0.5A/0.8A ハーフブリッジ ゲート ドライバ
  • LM2103 — 8V UVLO (低電圧ロックアウト) とデッドタイム制御機能と反転入力ピン搭載、107V、0.5A/0.8A ハーフブリッジ ゲート ドライバ。
  • LM2104 — 8V UVLO やデッドタイム制御機能に加えシャットダウン機能搭載、107-V, 0.5-A/0.8-A ハーフブリッジ ゲート ドライバ
  • LM2105 — 5V UVLO (低電圧ロックアウト) 搭載、ブートストラップ ダイオード内蔵、107V、0.5A/0.8A ハーフブリッジ ゲート ドライバ
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シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

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リクエスト
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WSON (DSG) 8 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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