LMG1020-Q1
- Qualified for automotive applications
- AEC-Q100 qualified
- Device temperature grade 1
- Low-side, ultra-fast gate driver for GaN and silicon FETs
- 1ns minimum input pulse width
- Up to 60MHz operation
- 2.5ns typical, 4.5ns maximum propagation delay
- 400ps typical rise and fall time
- 7A peak source and 5A peak sink currents
- 5V supply voltage
- UVLO and overtemperature protection
- 0.8mm × 1.2mm WCSP package
The LMG1020-Q1 device is a single, low-side driver designed for driving GaN FETs and logic-level MOSFETs in high-speed applications including LiDAR, time-of-flight, facial recognition, and any power converters involving low-side. The design simplicity of the LMG1020-Q1 enables extremely fast propagation delays of 2.5 ns and minimum pulse width of 1ns. The drive strength is independently adjustable for the pull-up and pull-down edges by connecting external resistors between the gate and OUTH and OUTL, respectively.
The driver features undervoltage lockout (UVLO) and overtemperature protection (OTP) in the event of overload or fault conditions.
The 0.8mm × 1.2mm WCSP package of the LMG1020-Q1 minimizes gate loop inductance and maximizes power density in high-frequency applications.
技術資料
| 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
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| * | データシート | LMG1020-Q1 5V, 7A, 5A Low-Side GaN and MOSFET Driver For 1ns Pulse Width Automotive Applications データシート | PDF | HTML | 2025年 4月 29日 |
設計と開発
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購入と品質
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- MTBF/FIT 推定値
- 使用材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
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