CSD23381F4
- 超低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 高漏极工作电流
- 超小封装尺寸(0402 外壳尺寸)
- 1.0mm × 0.6mm
- 超薄型封装
- 最大高度:0.36 mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
此 150mΩ、12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化,能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
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| * | 数据表 | CSD23381F4 12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 数据表 (Rev. G) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.G) | PDF | HTML | 2022年 5月 31日 |
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| 更多文献资料 | WCSP Handling Guide | 2019年 11月 7日 | ||||
| 技术文章 | The real secret to become a better cook. Integrate smart scale technology in kitch | PDF | HTML | 2016年 10月 25日 | |||
| 设计指南 | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016年 7月 7日 |
设计与开发
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支持软件
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YJC) | 3 | Ultra Librarian |
订购和质量
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