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LM2104

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具有 8V UVLO、死区时间和关断功能的 107V、0.5A/0.8A、半桥栅极驱动器

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 0.65 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Fall time (ns) 18 Iq (mA) 0.0333 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Noninverting Switch node voltage (V) -1 Features Dead time control, Shutdown Driver configuration Single input
Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 0.65 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Fall time (ns) 18 Iq (mA) 0.0333 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Noninverting Switch node voltage (V) -1 Features Dead time control, Shutdown Driver configuration Single input
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
  • 8-V GVDD 上的典型欠压锁定
  • BST 上的最大绝对电压为 107V
  • SH 上的 –19.5V 绝对最大负瞬态电压处理
  • 0.5A/0.8A 峰值拉电流/灌电流
  • 典型固定内部死区时间为 475ns
  • 内置跨导保护
  • 115ns 典型传播延迟
  • 关断逻辑输入引脚 SD
  • 单输入引脚 IN
  • 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
  • 8-V GVDD 上的典型欠压锁定
  • BST 上的最大绝对电压为 107V
  • SH 上的 –19.5V 绝对最大负瞬态电压处理
  • 0.5A/0.8A 峰值拉电流/灌电流
  • 典型固定内部死区时间为 475ns
  • 内置跨导保护
  • 115ns 典型传播延迟
  • 关断逻辑输入引脚 SD
  • 单输入引脚 IN

LM2104 是一款紧凑型高压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。 IN 引脚使得该器件可用于单 PWM 输入应用，而 SD 引脚则允许控制器在 SD 引脚为低电平时关闭驱动器输出以将其禁用，而不受 IN 引脚状态的影响。

SH 引脚具有 固定死区时间以及 –1V 直流和 –19.5V 瞬态负电压处理能力，可提升高噪声应用中的系统稳健性。 LM2104 采用与业界通用引脚排列兼容的 8 引脚 SOIC 封装。在低侧和高侧电源轨上均提供欠压锁定 (UVLO) 功能，以在上电和断电期间提供保护。

LM2104 是一款紧凑型高压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。 IN 引脚使得该器件可用于单 PWM 输入应用，而 SD 引脚则允许控制器在 SD 引脚为低电平时关闭驱动器输出以将其禁用，而不受 IN 引脚状态的影响。

SH 引脚具有 固定死区时间以及 –1V 直流和 –19.5V 瞬态负电压处理能力，可提升高噪声应用中的系统稳健性。 LM2104 采用与业界通用引脚排列兼容的 8 引脚 SOIC 封装。在低侧和高侧电源轨上均提供欠压锁定 (UVLO) 功能，以在上电和断电期间提供保护。
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设计和开发

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评估板

LM2105EVM — LM2105 具有集成式自举二极管的 105V 半桥驱动器评估模块

LM2105 评估模块 (EVM) 是一款用于评估 LM2105 性能的平台。LM2105 是一款具有 0.5A 峰值拉电流、0.8A 峰值灌电流、105V 引导电压的高侧/低侧驱动器，可用于驱动两个 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。该评估板还可用于评估支持的封装中的引脚对引脚兼容器件。

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  • REACH
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  • 引脚镀层/焊球材料
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  • MTBF/时基故障估算
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  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
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