LM2103
- 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
- 8-V GVDD 上的典型欠压锁定
- BST 上的最大绝对电压为 107V
- SH 上的 –19.5V 绝对最大负瞬态电压处理
- 0.5A/0.8A 峰值拉电流/灌电流
- 典型固定内部死区时间为 475ns
- 内置跨导保护
- 115ns 典型传播延迟
- 反相输入引脚 INL
LM2103 是一款紧凑型高压栅极驱动器,专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。 INL 反相输入允许在双路或单路 PWM 输入应用中使用驱动器。
SH 引脚具有 固定死区时间以及 –1V 直流和 –19.5V 瞬态负电压处理能力,可提升高噪声应用中的系统稳健性。 LM2103 采用与业界通用引脚排列兼容的 8 引脚 SOIC 封装。在低侧和高侧电源轨上均提供欠压锁定 (UVLO) 功能,以在上电和断电期间提供保护。
技术文档
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查看全部 2 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | LM2103 具有 8V UVLO、死区时间和反相输入引脚的107V、0.5A/0.8A 半桥栅极驱动器 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2023年 8月 17日 |
应用手册 | 如何为直流电机驱动器选择栅极驱动器 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023年 10月 6日 |
设计和开发
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封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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