主页 电源管理 功率级 氮化镓 (GaN) 功率级
主页
电源管理
功率级
氮化镓 (GaN) 功率级

LMG3522R030

正在供货

具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET

立即订购
数据表

LMG3522R030

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQS) 52 144 mm² 12 x 12
  • 带集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅极偏置电压
    • 200V/ns FET 释抑
    • 2MHz 开关频率
    • 20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能与缓解 EMI
    • 由 7.5V 至 18V 电源供电
  • 强大的保护
    • 响应时间 ＜ 100ns 的逐周期过流与锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 高级电源管理
    • 数字温度 PWM 输出
    • LMG3526R030 包括有助于实现软开关转换器的零电压检测功能 (ZVD)
    • LMG3527R030 包括有助于实现软开关转换器的零电流检测功能（ZCD）
  • 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现超低的电源环路电感
  • 带集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET
    • 集成高精度栅极偏置电压
    • 200V/ns FET 释抑
    • 2MHz 开关频率
    • 20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能与缓解 EMI
    • 由 7.5V 至 18V 电源供电
  • 强大的保护
    • 响应时间 ＜ 100ns 的逐周期过流与锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 高级电源管理
    • 数字温度 PWM 输出
    • LMG3526R030 包括有助于实现软开关转换器的零电压检测功能 (ZVD)
    • LMG3527R030 包括有助于实现软开关转换器的零电流检测功能（ZCD）
  • 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现超低的电源环路电感

LMG352xR030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，能够让设计人员实现更高水平的功率密度与效率。

LMG352xR030 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。LMG3526R030包含零电压检测（ZVD）功能，能够在实现零电压开关时提供 ZVD 引脚脉冲输出。LMG3527R030 包含零电流检测（ZCD）功能，能够在检测到源极到漏极的正向电流时提供 ZCD 引脚脉冲输出。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过流、短路、过热、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引脚。

LMG352xR030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，能够让设计人员实现更高水平的功率密度与效率。

LMG352xR030 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。LMG3526R030包含零电压检测（ZVD）功能，能够在实现零电压开关时提供 ZVD 引脚脉冲输出。LMG3527R030 包含零电流检测（ZCD）功能，能够在检测到源极到漏极的正向电流时提供 ZCD 引脚脉冲输出。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过流、短路、过热、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引脚。
filter 查找其他 氮化镓 (GaN) 功率级
下载 观看带字幕的视频 视频

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同，且具有相同引脚
LMG3422R030 正在供货 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET Industrial version with bottom-side cooling
LMG3522R030-Q1 正在供货 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET Automotive grade version of the same device
LMG3526R030 正在供货 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET Zero-voltage switching detection feature

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 11
类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 集成了驱动器、保护与温度报告功能的 LMG352xR030 650 V 30 mΩ GaN FET 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2025年 2月 13日
应用手册 Benefits of GaN based Flying Capacitor Converter PDF | HTML 2026年 1月 12日
应用手册 使用 PLECS® 仿真实现具有数字控制功能的单相离网逆变器 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024年 4月 16日
技术文章 高轉換速率的負載暫態測試 PDF | HTML 2024年 3月 20日
技术文章 높은 회전율로 부하 과도 테스트 PDF | HTML 2024年 3月 20日
模拟设计期刊 以高密度、GaN 最佳化 PFC 轉換器解決 AC 壓降復原問題 PDF | HTML 2024年 3月 18日
模拟设计期刊 고밀도 GaN 최적화 PFC 컨버터에서 AC 드롭아웃 복구 문제 해결 PDF | HTML 2024年 3月 18日
技术文章 高压摆率负载瞬态测试 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024年 3月 13日
模拟设计期刊 在高密度 GaN 优化型 PFC 转换器中解 决交流压降恢复问题 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 9月 21日
应用手册 在微型逆变器上使用TI GaN的优势 2023年 7月 3日
技术文章 The benefits of GaN for battery test systems PDF | HTML 2022年 10月 7日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

PFC23338EVM-107 — 具有电子计量功能的 3.6kW 单相图腾柱无桥 PFC 评估主板

此评估主板是一款基于氮化镓 (GaN) 的 3.6kW 单相持续导通模式 (CCM) 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 转换器，面向 M-CRPS 服务器电源。此设计包含精度为 0.5% 的电子计量功能，使用 AMCx306 作为电流检测器件，无需使用外部电源计量 IC。此设计中还提供了一种使用 TMCS1133 的成本优化型电流检测替代方案。该电源旨在支持 16A RMS 的最大输入电流和 3.6kW 的峰值功率。此功率级之后是一个小型升压转换器，这有助于显著缩小大容量电容器的尺寸。本设计适用于 TI GaN 半桥子卡（例如 (...)
用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
子卡

LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器子卡的汽车类 650V 30mΩ GaN FET

LMG3522EVM-042 在半桥中配置两个 LMG3522R030 GaN FET，具有逐周期过流保护、短路锁存保护功能和所有必要的辅助外围电路。该 EVM 旨在与大型系统配合使用。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model

SNOM768.ZIP (340 KB) - PLECS model
下载
仿真模型

LMG3522R030 PSpice Model

SNOM770.ZIP (644 KB) - PSpice Model
下载
CAD/CAE 符号

LMG3522R030 Step File

SNOR033.ZIP (701 KB)
下载
计算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 (GaN) 功率级 LMG2100R044 — 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET LMG2610 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥 LMG2640 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、105mΩ GaN 半桥 LMG2650 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、95mΩ GaN 半桥 LMG2652 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、140mΩ GaN 半桥 LMG2656 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、230mΩ GaN 半桥 LMG3410R050 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3411R150 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET LMG3426R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3427R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3427R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG3527R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半桥功率级
下载
计算工具

SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3410R050 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3411R150 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET
下载
计算工具

SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3410R050 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3411R150 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET
下载

许多 TI 参考设计都包括 LMG3522R030

通过我们的参考设计选择工具来审查并确定最适用于您应用和参数的设计。

查看参考设计
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN (RQS) 52 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频