主页 电源管理 Power stages 氮化镓 (GaN) 功率级
主页
电源管理
Power stages
氮化镓 (GaN) 功率级
新

LMG2100R026

正在供货

100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 (GaN) 功率级

立即订购
数据表

LMG2100R026

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 2.6 ID (max) (A) 55 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 2.6 ID (max) (A) 55 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
UNKNOWN (VBN) 16 See data sheet VQFN-FCRLF (VBN) 18 31.5 mm² 7 x 4.5
  • 集成式半桥 GaN FET 和驱动器
  • 93V 连续 100V 脉冲式电压额定值
  • 封装经过优化，便于 PCB 布局
  • 高压摆率开关，低振铃
  • 5V 外部辅助电源
  • 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
  • 栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率
  • 出色的传播延迟（典型值 33ns）和匹配（典型值 2ns）
  • 内部自举电源电压钳位，可防止 GaN FET 过驱动
  • 电源轨欠压锁定保护
  • 低功耗
  • 外露式顶部 QFN 封装，实现顶面散热
  • 大型 GND 焊盘实现底面散热
  • 集成式半桥 GaN FET 和驱动器
  • 93V 连续 100V 脉冲式电压额定值
  • 封装经过优化，便于 PCB 布局
  • 高压摆率开关，低振铃
  • 5V 外部辅助电源
  • 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
  • 栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率
  • 出色的传播延迟（典型值 33ns）和匹配（典型值 2ns）
  • 内部自举电源电压钳位，可防止 GaN FET 过驱动
  • 电源轨欠压锁定保护
  • 低功耗
  • 外露式顶部 QFN 封装，实现顶面散热
  • 大型 GND 焊盘实现底面散热

LMG2100R026 器件是一款 93V 连续 100V 脉冲式 53A 半桥功率级，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 GaN FET，采用半桥配置，由一个高频 GaN FET 驱动器驱动。

GaN FET 在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容 CISS 和输出电容 COSS 都非常小。驱动器和两个 GaN FET 均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG2100R026 器件采用 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

无论 VCC 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。

该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。

LMG2100R026 器件是一款 93V 连续 100V 脉冲式 53A 半桥功率级，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 GaN FET，采用半桥配置，由一个高频 GaN FET 驱动器驱动。

GaN FET 在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容 CISS 和输出电容 COSS 都非常小。驱动器和两个 GaN FET 均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG2100R026 器件采用 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

无论 VCC 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。

该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。
filter 查找其他 氮化镓 (GaN) 功率级
下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 5
类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 LMG2100R026 100V、 53A GaN 半桥功率级 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 10月 27日
应用简报 GaN FET 在人形機器人中的應用 PDF | HTML 2025年 2月 5日
应用简报 휴머노이드 로봇의 GaN FET 애플리케이션 PDF | HTML 2025年 2月 5日
应用简报 GaN FET 在类人机器人中的应用 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 1月 17日
EVM 用户指南 LMG2100R026 评估模块 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024年 8月 12日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

LMG2100EVM-097 — LMG2100R026 评估模块

LMG2100EVM-097 是一款具有外部 PWM 信号且易于使用的紧凑型功率级。该电路板可配置为降压转换器、升压转换器或其他使用半桥的转换器拓扑。该评估模块具有一个 LMG2100R026 半桥电源模块，该模块具有两个由 90V GaN FET 半桥栅极驱动器驱动的 100V、2.6mΩ GaN FET。
用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
计算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 (GaN) 功率级 LMG2100R044 — 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET LMG2610 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥 LMG2640 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、105mΩ GaN FET 半桥 LMG2650 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、95mΩ GaN 半桥 LMG3410R050 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3411R150 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET LMG3426R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3427R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半桥功率级
下载
参考设计

TIDA-010949 — 基于 GaN 且具有有线和无线通信功能的 600W 太阳能电源优化器参考设计

此参考设计是一款太阳能电源优化器，可支持高达 80V 的输入电压和 80V 的输出电压，提供高达 18A 的输出和输入电流。该设计使用可配置的四开关降压/升压转换器将电池板电流升压或降压至串电流。旁路电路使用基于智能二极管控制器的设计。

此参考设计包含电力线通信 (PLC)，还提供无线通信功能。数字控制和通信均在单个 C2000™ 微控制器 (MCU) 中实现。

设计指南: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
UNKNOWN (VBN) 16 Ultra Librarian
VQFN-FCRLF (VBN) 18 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

视频