主页 电源管理 Power stages 氮化镓 (GaN) 功率级
主页
电源管理
Power stages
氮化镓 (GaN) 功率级

LMG3411R150

正在供货

具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN

立即订购
数据表

LMG3411R150

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 150 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 150 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8
  • TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
  • 支持高密度电源转换设计
    • 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
    • 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
    • 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
    • 数字故障状态输出信号
    • 仅需 +12V 非稳压电源
  • 集成栅极驱动器
    • 零共源电感
    • 20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率
    • 工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性
    • 25V/ns 至 100V/ns 的用户可调节压摆率
    • 逐周期过流保护
  • 强大的保护
    • 无需外部保护组件
    • 过流保护，响应时间低于 100ns
    • 压摆率抗扰性高于 150V/ns
    • 瞬态过压抗扰度
    • 过热保护
    • 针对所有电源轨的 UVLO 保护
  • 器件选项：
    • LMG3410R150：锁存过流保护
    • LMG3411R150：逐周期过流保护
  • TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
  • 支持高密度电源转换设计
    • 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
    • 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
    • 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
    • 数字故障状态输出信号
    • 仅需 +12V 非稳压电源
  • 集成栅极驱动器
    • 零共源电感
    • 20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率
    • 工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性
    • 25V/ns 至 100V/ns 的用户可调节压摆率
    • 逐周期过流保护
  • 强大的保护
    • 无需外部保护组件
    • 过流保护，响应时间低于 100ns
    • 压摆率抗扰性高于 150V/ns
    • 瞬态过压抗扰度
    • 过热保护
    • 针对所有电源轨的 UVLO 保护
  • 器件选项：
    • LMG3410R150：锁存过流保护
    • LMG3411R150：逐周期过流保护

LMG341xR150 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。

LMG341xR150 通过集成一系列独特的 特性 提供了传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关（Vds 振铃几乎为零），低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。

LMG341xR150 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。

LMG341xR150 通过集成一系列独特的 特性 提供了传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关（Vds 振铃几乎为零），低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。
filter 查找其他 氮化镓 (GaN) 功率级
下载 观看带字幕的视频 视频

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同，且具有相同引脚
LMG3410R150 正在供货 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN Different overcurrent protection response behavior.

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 12
类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 具有集成驱动器和保护功能的 LMG341xR150 600V 150mΩ GaN 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 最新英语版本 (Rev.B) PDF | HTML 2019年 8月 26日
白皮书 实现 GaN 产品的寿命可靠性 英语版 PDF | HTML 2021年 10月 11日
白皮书 Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETK 2021年 3月 18日
白皮书 Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETN 2021年 3月 18日
白皮书 通过结合 TI GaN FET 实现功率密集和高效的数字电源系统 英语版 2021年 1月 5日
模拟设计期刊 宽带隙半导体：GaN 与 SiC 的性能和优势对比 英语版 2020年 12月 2日
更多文献资料 A Generalized Approach to Determine the Switching Lifetime of a GaN FET 2020年 10月 20日
应用手册 GaN 功率级设计的散热注意事项 (Rev. B) 英语版 (Rev.B) 2020年 9月 16日
更多文献资料 GaN FET Reliability to Power-line Surges Under Use-conditions 2019年 3月 25日
应用手册 Third quadrant operation of GaN 2019年 2月 25日
技术文章 Searching for the newest innovations in power? Find them at APEC PDF | HTML 2019年 2月 9日
EVM 用户指南 LMG3411R150-031 EVM user guide 2019年 1月 17日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

LMG34XX-BB-EVM — 适用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系统级评估主板

LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分线板，可将 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG341x 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路，该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分热管理（强制通风、低频运行等）的同时提供高达 8A 的输出电流，从而确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量，因为该板是开环板。

仅需要一个脉宽调制输入，即可在电路板上生成互补的脉宽调制信号和相应的死区时间。提供了探测点，从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
子卡

LMG3411EVM-031 — 具有逐周期过流保护的 LMG3411R150 600V 150mΩ GaN 半桥子卡

LMG3411EVM-031 在半桥中配置两个 LMG3411R150 GaN FET，具有逐周期过流保护功能和所有必要的辅助外围电路。  该 EVM 需要与大型系统配合使用。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
计算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 (GaN) 功率级 LMG2100R044 — 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET LMG2610 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥 LMG2650 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、95mΩ GaN 半桥 LMG3410R050 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3411R150 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET LMG3426R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3427R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测报告功能的 650V 50mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半桥功率级
下载
计算工具

SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3410R050 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3411R150 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET
下载
计算工具

SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3410R050 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3411R150 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET
下载
参考设计

TIDA-00915 — 适用于集成型驱动器的三相、1.25kW、200VAC 的小型 GaN 转换器参考设计

该参考设计是一个三相逆变器，其在环境温度为 50°C 时连续额定功率为 1.25kW，在 85°C 时为 550W，用于驱动 200V 交流伺服电机。其具有 600V LMG3411R150 氮化镓 (GaN) 功率模块，并将一个集成 FET 和栅极驱动器安装在 1.95mm 绝缘金属基板 (IMS) 上，以获得高效热耗散。隔离和控制电路安装在单独的 FR-4 板上 - 该设计的尺寸是 80mm × 46mm × (...)
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP22538 — 60W GaN PFC 反激式参考设计

此参考设计使用 UCC28811 功率因数校正 (PFC) 反激式控制器来创建隔离式 60V 输出，能够承受 1A 负载，同时保持较低的输入谐波失真。使用 LMG3411R150 GaN 初级开关可提高效率，实现小巧尺寸和运行期间低温升。
测试报告: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN (RWH) 32 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

视频