UCC21521

正在供货

具有双输入、使能引脚、8V UVLO 且采用 LGA 封装的 5.7kVrms、4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器

产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 6.5, 9.2, 14.7 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 6.5, 9.2, 14.7 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8, 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 工作温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 开关参数:
    • 19ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配
    • 6ns 最大脉宽失真
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 浪涌抗扰度高达 12.8kV
  • 隔离层寿命 > 40 年
  • 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 3V 至 18V 输入 VCCI 范围,可与数字控制器和模拟控制器连接
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V、8V、12V VDD UVLO 选项
  • 可通过编程的重叠和死区时间
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
  • 电源时序快速启用
  • 宽体 SOIC-16 (DW) 封装
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000V PK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700 V RMS 隔离
    • 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证
    • 符合 GB4943.1-2011标准 的 CQC 认证
  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 工作温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 开关参数:
    • 19ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配
    • 6ns 最大脉宽失真
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 浪涌抗扰度高达 12.8kV
  • 隔离层寿命 > 40 年
  • 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 3V 至 18V 输入 VCCI 范围,可与数字控制器和模拟控制器连接
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V、8V、12V VDD UVLO 选项
  • 可通过编程的重叠和死区时间
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
  • 电源时序快速启用
  • 宽体 SOIC-16 (DW) 封装
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000V PK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700 V RMS 隔离
    • 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证
    • 符合 GB4943.1-2011标准 的 CQC 认证

UCC21521 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的传播延迟和脉宽失真度。

输入侧通过一个 5.7kV RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离,支持高达 1500 V DC 的工作电压。

每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉低时会同时关闭两个输出,悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借所有这些高级特性,UCC21521 能够满足各类电源应用中对于高效率、高电源密度和稳健性的需求。

UCC21521 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的传播延迟和脉宽失真度。

输入侧通过一个 5.7kV RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离,支持高达 1500 V DC 的工作电压。

每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉低时会同时关闭两个输出,悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借所有这些高级特性,UCC21521 能够满足各类电源应用中对于高效率、高电源密度和稳健性的需求。

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设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

UCC21520EVM-286 — UCC21520 4A/6A 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21520EVM-286 适用于评估 UCC21520DW(一种具备 4A 源电流容量和 6A 峰值灌电流容量的隔离式双通道栅极驱动器)。此 EVM 可用作功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 的驱动参考设计,具备 UCC21520 引脚功能识别、组件选择指南以及 PCB 布局示例。

用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.C): PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估板

UCC21521CEVM-286 — UCC21521C 4A/6A 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21521CEVM-286 适用于评估 UCC21521CDW,后者是一种可实现 4A 源电流和 6A 峰值灌电流、12V UVLO 和使能(有源高级)功能的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用作功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 的驱动参考设计,具备 UCC21521C 引脚功能识别、组件选择指南以及 PCB 布局示例。

用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.C): PDF | HTML
TI.com 上无现货
仿真模型

UCC21521 PSpice Transient Model

SLUM566.ZIP (139 KB) - PSpice Model
仿真模型

UCC21521 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM565.ZIP (3 KB) - PSpice Model
仿真模型

UCC21521A PSpice Transient Model

SLUM561.ZIP (54 KB) - PSpice Model
仿真模型

UCC21521A Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM562.ZIP (3 KB) - PSpice Model
仿真模型

UCC21521C PSpice Transient Model

SLUM567.ZIP (52 KB) - PSpice Model
仿真模型

UCC21521C Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM568.ZIP (3 KB) - PSpice Model
计算工具

SLURAZ5 UCC21520 Bootstrap Calculator 1.0

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
隔离式栅极驱动器
UCC21220 适用于 MOSFET 和 GaNFET 的具有禁用引脚和 8V UVLO 的 3.0kVrms 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 UCC21222 具有禁用引脚、可编程死区时间和 8V UVLO 的 3.0kVrms 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 UCC21520 采用 DW 封装且具有双引脚输入和禁用引脚的 5.7kVRMS 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 UCC21521 具有双输入、使能引脚、8V UVLO 且采用 LGA 封装的 5.7kVrms、4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频