UCC21521
- 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
- 工作温度范围:–40°C 至 +125°C
- 开关参数:
- 19ns 典型传播延迟
- 10ns 最小脉冲宽度
- 5ns 最大延迟匹配
- 6ns 最大脉宽失真
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
- 浪涌抗扰度高达 12.8kV
- 隔离层寿命 > 40 年
- 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
- TTL 和 CMOS 兼容输入
- 3V 至 18V 输入 VCCI 范围,可与数字控制器和模拟控制器连接
- 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
- 5V、8V、12V VDD UVLO 选项
- 可通过编程的重叠和死区时间
- 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
- 电源时序快速启用
- 宽体 SOIC-16 (DW) 封装
- 安全相关认证:
- 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000V PK 增强型隔离
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700 V RMS 隔离
- 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证
- 符合 GB4943.1-2011标准 的 CQC 认证
UCC21521 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的传播延迟和脉宽失真度。
输入侧通过一个 5.7kV RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离,支持高达 1500 V DC 的工作电压。
每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉低时会同时关闭两个输出,悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。
此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。
凭借所有这些高级特性,UCC21521 能够满足各类电源应用中对于高效率、高电源密度和稳健性的需求。
技术文档
类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | UCC21521 具有使能功能的 4A/6A、5.7 kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2023年 4月 27日 |
证书 | VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. S) | 2024年 2月 29日 | ||||
证书 | UCC215xx CQC Certificate of Product Certification | 2023年 8月 17日 | ||||
证书 | UCC21520 CQC Certificate of Product Certification (Rev. A) | 2023年 8月 16日 | ||||
证书 | UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. C) | 2022年 12月 2日 | ||||
应用简报 | 栅极驱动电路中铁氧体磁珠的使用和优势 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2022年 11月 14日 | |
EVM 用户指南 | 使用 UCC21520EVM-286、UCC20520EVM-286、 UCC21521CEVM-286 和 UCC21530EVM-286 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2022年 10月 14日 | |
证书 | FPPT2 - Nonoptical Isolating Devices UL 1577 Certificate of Compliance | 2021年 10月 26日 | ||||
应用简报 | 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
应用简报 | 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
证书 | CSA Product Certificate (Rev. A) | 2019年 8月 15日 | ||||
技术文章 | Why capacitive isolation: a vital building block for sensors in smart cities | PDF | HTML | 2018年 1月 16日 |
设计和开发
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SOIC (DW) | 16 | Ultra Librarian |
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