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TPSI2240-Q1

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車載、1200V、50mA 絶縁スイッチ、強化絶縁およびアバランシェ保護付き

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TPSI2240-Q1

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製品詳細

FET Internal Number of channels 1 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Rating Automotive Features 0.6mA avalanche current, 1mA avalanche current, Capacitive isolation Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 4750 Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 130 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (µA) 3.5 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
FET Internal Number of channels 1 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Rating Automotive Features 0.6mA avalanche current, 1mA avalanche current, Capacitive isolation Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 4750 Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 130 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (µA) 3.5 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
SOIC (DWQ) 11 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 車載アプリケーション認定済み
    • AEC-Q100 グレード 1：-40～125℃、TA
  • 低 EMI：
    • 追加部品なしで CISPR25 Class 5 の性能に適合
  • アバランシェ定格 MOSFET を内蔵
    • 誘電体耐性試験 (Hi-Pot) の信頼性を考慮して設計および認定済み
      • TPSI2240-Q1 IAVA = 1mA (60s パルス)

      • TPSI2240C-Q1 IAVA = 0.6mA (60s パルス)

      • TPSI2240T-Q1 IAVA = 3mA (60s パルス)
    • 1200Vスタンドオフ電圧
    • RON = 130Ω (TJ = 25°C)
    • TON、TOFF < 700µs
    • IOFF = 1.22µA (1000V 時、TJ = 105°C)
  • 1 次側低消費電流
    • オフ状態電流 (TJ = 25℃)：3.5µA
  • 機能安全規格に対応
  • 堅牢な絶縁バリア：
    • 1500VRMS/2120VDC の動作電圧で 30 年以上の予測寿命
    • 強化絶縁定格、VISO、最大 4750VRMS
  • 熱性能を向上させるワイド ピンを備えた SOIC 11 ピン (DWQ) パッケージ
    • 沿面距離と空間距離：8mm 以上 (1 次側 / 2 次側)
    • 沿面距離と空間距離：6mm 以上 (スイッチ端子間)
  • 安全関連認証
    • (申請予定) DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 部品認定プログラム (計画中)
  • 車載アプリケーション認定済み
    • AEC-Q100 グレード 1：-40～125℃、TA
  • 低 EMI：
    • 追加部品なしで CISPR25 Class 5 の性能に適合
  • アバランシェ定格 MOSFET を内蔵
    • 誘電体耐性試験 (Hi-Pot) の信頼性を考慮して設計および認定済み
      • TPSI2240-Q1 IAVA = 1mA (60s パルス)

      • TPSI2240C-Q1 IAVA = 0.6mA (60s パルス)

      • TPSI2240T-Q1 IAVA = 3mA (60s パルス)
    • 1200Vスタンドオフ電圧
    • RON = 130Ω (TJ = 25°C)
    • TON、TOFF < 700µs
    • IOFF = 1.22µA (1000V 時、TJ = 105°C)
  • 1 次側低消費電流
    • オフ状態電流 (TJ = 25℃)：3.5µA
  • 機能安全規格に対応
  • 堅牢な絶縁バリア：
    • 1500VRMS/2120VDC の動作電圧で 30 年以上の予測寿命
    • 強化絶縁定格、VISO、最大 4750VRMS
  • 熱性能を向上させるワイド ピンを備えた SOIC 11 ピン (DWQ) パッケージ
    • 沿面距離と空間距離：8mm 以上 (1 次側 / 2 次側)
    • 沿面距離と空間距離：6mm 以上 (スイッチ端子間)
  • 安全関連認証
    • (申請予定) DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 部品認定プログラム (計画中)

TPSI2240-Q1 は、高電圧車載用および産業用アプリケーション向けに設計された絶縁型ソリッド ステート リレーです。TPSI2240-Q1 は、 テキサス・インスツルメンツの高信頼性容量性絶縁技術と内蔵の双方向 MOSFET を組み合わせることにより、2 次側電源を必要としない統合されたソリューションを形成しています。

デバイスの 1 次側はわずか 5mA の入力電流で電力供給されており、また、VDD 電源に逆電力が供給される可能性を防ぐフェイルセーフ EN ピンが組み込まれています。ほとんどのアプリケーションでは、デバイスの VDD ピンを 4.5V ～ 20V のシステム電源に接続し、デバイスの EN ピンを 2.1V ～ 20V のロジック HI の GPIO 出力で駆動する必要があります。その他のアプリケーションでは、VDD ピンおよび EN ピンを一緒にシステム電源から直接、または GPIO 出力から駆動できます。TPSI2240-Q1 のすべての制御構成では、フォトリレー ソリューションで一般的に必要とされる抵抗やローサイド スイッチなどの追加の外部コンポーネントは必要ありません。

2 次側は、S1 から S2 までのスタンドオフ電圧が ±1.2kV の双方向 MOSFET で構成されています。TPSI2240-Q1 MOSFET のアバランシェ堅牢性と熱を考慮したパッケージ設計により、外部部品を必要とせずに、システム レベルの絶縁耐力試験 (HiPot) 最大 1mA (TPSI2240C-Q1 の場合は 0.6mA、TPSI2240T-Q1 の場合は 3mA) の DC 高速充電器のサージ電流を堅牢にサポートできます。

TPSI2240-Q1 は、高電圧車載用および産業用アプリケーション向けに設計された絶縁型ソリッド ステート リレーです。TPSI2240-Q1 は、 テキサス・インスツルメンツの高信頼性容量性絶縁技術と内蔵の双方向 MOSFET を組み合わせることにより、2 次側電源を必要としない統合されたソリューションを形成しています。

デバイスの 1 次側はわずか 5mA の入力電流で電力供給されており、また、VDD 電源に逆電力が供給される可能性を防ぐフェイルセーフ EN ピンが組み込まれています。ほとんどのアプリケーションでは、デバイスの VDD ピンを 4.5V ～ 20V のシステム電源に接続し、デバイスの EN ピンを 2.1V ～ 20V のロジック HI の GPIO 出力で駆動する必要があります。その他のアプリケーションでは、VDD ピンおよび EN ピンを一緒にシステム電源から直接、または GPIO 出力から駆動できます。TPSI2240-Q1 のすべての制御構成では、フォトリレー ソリューションで一般的に必要とされる抵抗やローサイド スイッチなどの追加の外部コンポーネントは必要ありません。

2 次側は、S1 から S2 までのスタンドオフ電圧が ±1.2kV の双方向 MOSFET で構成されています。TPSI2240-Q1 MOSFET のアバランシェ堅牢性と熱を考慮したパッケージ設計により、外部部品を必要とせずに、システム レベルの絶縁耐力試験 (HiPot) 最大 1mA (TPSI2240C-Q1 の場合は 0.6mA、TPSI2240T-Q1 の場合は 3mA) の DC 高速充電器のサージ電流を堅牢にサポートできます。
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TPSI2240-Q1 1200V、50mA 車載強化ソリッドステート リレー、アバランシェ保護機能搭載 データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2026年 1月 5日
機能安全情報 TPSI2240-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA PDF | HTML 2025年 12月 11日
証明書 TPSI2240Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2025年 7月 1日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TPSI2240Q1EVM — TPSI2240-Q1 評価基板

TPSI2240Q1EVM は、複数のテスト ポイントとジャンパを備え、TPSI2240-Q1 の性能および機能を完全に評価するためのハードウェア評価モジュール (EVM) です。評価基板には、TPSI2240-Q1 デバイスを試験・評価し、バッテリ マネジメント システムなどの大規模アプリケーションへ円滑に組み込むために必要な資材が含まれています。TPSI2240Q1EVM を単独で使用するか、外部マイクロコントローラと組み合わせて使用​​し、デバイスの有効信号を駆動します。外付けの保護部品を一切追加することなく、EVM を用いて、耐電圧試験 (高電位 [HiPot] 試験とも呼ばれる) (...)
ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
リファレンス・デザイン

TIDA-010985 — 大容量 Y キャパシタを用いたリファレンス デザインを備える、800V DC システム向け抵抗ブリッジ方式の絶縁監視デバイス

このリファレンス デザインは、抵抗性ブリッジ絶縁監視デバイス (IMD) を採用しています。この設計は、対称および非対称の絶縁抵抗故障を高精度に検出します。このリファレンス デザインは、大容量の Y キャパシタ (Y cap)を備えた高電圧 DC システムにおける容量測定にも対応しています。この設計は、UL 規格における応答時間要件を満たしています。
設計ガイド: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DWQ) 11 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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