UCC5390-Q1 はシングル チャネルの絶縁ゲート ドライバで、10A ソースおよび 10A シンクのピーク電流を持ち、MOSFET、IGBT、SiC MOSFET を駆動するよう設計されています。UCC5390-Q1 の UVLO2 は GND2 を基準としているため、バイポーラ電源に適しており、SiC と IGBT のスイッチング動作と堅牢性を最適化できます。
UCC5390-Q1 は 8.5mm SOIC-8 (DWV) パッケージで供給され、最大 5kVRMS の絶縁電圧をサポートできます。入力側は、絶縁バリア寿命が 40 年以上ある SiO2 容量性絶縁技術によって出力側と絶縁されています。このデバイスは高い駆動強度と真の UVLO 検出機能を備えているため、オンボード充電器、トラクション インバータなどのアプリケーションで IGBT と SiC MOSFET を駆動するのに適しています。
フォトカプラと比較して、UCC5390-Q1 は部品間スキューが小さく、伝搬遅延時間が短く、より高い温度でも動作し、CMTI が高いという特長があります。
UCC5390-Q1 はシングル チャネルの絶縁ゲート ドライバで、10A ソースおよび 10A シンクのピーク電流を持ち、MOSFET、IGBT、SiC MOSFET を駆動するよう設計されています。UCC5390-Q1 の UVLO2 は GND2 を基準としているため、バイポーラ電源に適しており、SiC と IGBT のスイッチング動作と堅牢性を最適化できます。
UCC5390-Q1 は 8.5mm SOIC-8 (DWV) パッケージで供給され、最大 5kVRMS の絶縁電圧をサポートできます。入力側は、絶縁バリア寿命が 40 年以上ある SiO2 容量性絶縁技術によって出力側と絶縁されています。このデバイスは高い駆動強度と真の UVLO 検出機能を備えているため、オンボード充電器、トラクション インバータなどのアプリケーションで IGBT と SiC MOSFET を駆動するのに適しています。
フォトカプラと比較して、UCC5390-Q1 は部品間スキューが小さく、伝搬遅延時間が短く、より高い温度でも動作し、CMTI が高いという特長があります。