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LM25101

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具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.022 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 8 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Noninverting
Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.022 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 8 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Noninverting
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² 3 x 4.9 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4 WSON (NGT) 8 16 mm² 4 x 4
  • 独立的高侧和低侧驱动器逻辑输入
  • 自举电源电压高达 100V DC
  • 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 短暂传播时间（典型值为 25ns）
  • 可以 8ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
  • 优异的传播延迟匹配（典型值为 3ns)
  • 支持电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 与 HIP2100 和 HIP2101 引脚兼容

应用

  • 由电机控制的驱动器
  • 半桥和全桥电源转换器
  • 同步降压转换器
  • 双开关正向电源转换器
  • 有源钳位正激转换器
  • 48V 服务器电源
  • 太阳能 DC-DC 和 DC-AC 转换器

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 独立的高侧和低侧驱动器逻辑输入
  • 自举电源电压高达 100V DC
  • 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 短暂传播时间（典型值为 25ns）
  • 可以 8ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
  • 优异的传播延迟匹配（典型值为 3ns)
  • 支持电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 与 HIP2100 和 HIP2101 引脚兼容

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  • 由电机控制的驱动器
  • 半桥和全桥电源转换器
  • 同步降压转换器
  • 双开关正向电源转换器
  • 有源钳位正激转换器
  • 48V 服务器电源
  • 太阳能 DC-DC 和 DC-AC 转换器

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LM25101 高电压栅极驱动器专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。版本 A 提供高达 3A 的栅极驱动，而版本 B 和 C 分别提供 2A 和 1A 的栅极驱动。输出由 TTL 输入阈值独立控制。该器件集成了一个高压二极管，用于对高侧栅极驱动自举电容进行充电。稳健可靠的电平转换器同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。

这些器件采用标准 8 引脚 SOIC、8 引脚 SO-PowerPAD、8 引脚 WSON、10 引脚 WSON 以及 8 引脚 MOSP PowerPAD 封装。

LM25101 高电压栅极驱动器专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。版本 A 提供高达 3A 的栅极驱动，而版本 B 和 C 分别提供 2A 和 1A 的栅极驱动。输出由 TTL 输入阈值独立控制。该器件集成了一个高压二极管，用于对高侧栅极驱动自举电容进行充电。稳健可靠的电平转换器同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。

这些器件采用标准 8 引脚 SOIC、8 引脚 SO-PowerPAD、8 引脚 WSON、10 引脚 WSON 以及 8 引脚 MOSP PowerPAD 封装。
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设计和开发

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SNVR521 — LM51xx Schematic Review Template

支持的产品和硬件

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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
HSOIC (DDA) 8 Ultra Librarian
HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WSON (DPR) 10 Ultra Librarian
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  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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