UCC27201A
- 可驱动两个采用高侧和低侧配置的 N 沟道 MOSFET
- HS 引脚具备负电压处理能力 (–18V)
- 最大启动电压 120V
- 最大 VDD 电压 20V
- 片上 0.65V V F、0.65Ω RD 自举二极管
- 22ns 传播延迟时间
- 3A 灌电流,3A 拉电流输出
- 1000pF 负载时上升时间为 8ns,下降时间为 7ns
- 1ns 延迟匹配
- 用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定功能
- 额定温度范围为 –40°C 至 150°C
UCC2720xA 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可更大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。UCC2720xA 具有增强型 ESD 输入结构并且其 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压,这使得其在嘈杂电源环境下的性能得到了改善。
由于在芯片上集成了一个自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,如果驱动电压低于规定的阈值,则强制将输出置为低电平。
UCC2720xA 提供了两种版本。UCC27200A 具有高抗扰度 CMOS 输入阈值,而 UCC27201A 则具有兼容晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 的阈值。
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设计和开发
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评估板
UCC27201AEVM-328 — 带有功率级的 UCC27201A 评估模块
UCC27201AEVM-328 适用于评估 UCC27201ADPR 和 UCC27212DPR(两者均为可支持高峰值拉/灌电流的半桥栅极驱动器)。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。该 EVM 可轻松地配置为各种功率级拓扑(例如同步降压转换器),且布局效果可进行测试。
用户指南: PDF
仿真模型
UCC27201 and UCC27201A TINA-TI Transient Reference Design (Rev. A)
SLUM114A.TSC (193 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型
UCC27201 and UCC27201A TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)
SLUM113A.ZIP (30 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具
模拟工具
PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®
PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。
借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。
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参考设计
TIDA-00653 — 适用于电池充电应用的非隔离式双向转换器参考设计
TIDA-00653 是非隔离式 48 至 12V 双向转换器参考设计,适用于 UCD3138 数字电源控制器支持的 48V 电池应用。该设计非常灵活,能够以 ZVS 转换模式拓扑工作以优化轻负载效率,也能够以硬开关拓扑工作以实现简单的系统设计。该双向转换器针对轻负载采用自动切相和偏移技术,并且采用自适应死区优化,以实现大于 96% 的复合效率增益。由于效率得到极大的提高,因此热损耗得以降低,在汽车应用中无需使用空气或液体冷却。此外,使用 UCD3138 高控制频率控制器和基于硬件的状态机,可以实现小型化,并且可以释放系统 CPU 以用于电池管理等其他功能。
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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HSOIC (DDA) | 8 | Ultra Librarian |
SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
VSON (DRC) | 9 | Ultra Librarian |
VSON (DRM) | 8 | Ultra Librarian |
WSON (DPR) | 10 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
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- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
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包含信息:
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- 封装厂地点
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