UCC27201A
- 可驱动两个采用高侧和低侧配置的 N 沟道 MOSFET
- HS 引脚具备负电压处理能力 (–18V)
- 最大启动电压 120V
- 最大 VDD 电压 20V
- 片上 0.65V V F、0.65Ω RD 自举二极管
- 22ns 传播延迟时间
- 3A 灌电流，3A 拉电流输出
- 1000pF 负载时上升时间为 8ns，下降时间为 7ns
- 1ns 延迟匹配
- 用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定功能
- 额定温度范围为 –40°C 至 150°C
UCC2720xA 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可更大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。UCC2720xA 具有增强型 ESD 输入结构并且其 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压，这使得其在嘈杂电源环境下的性能得到了改善。
由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，如果驱动电压低于规定的阈值，则强制将输出置为低电平。
UCC2720xA 提供了两种版本。UCC27200A 具有高抗扰度 CMOS 输入阈值，而 UCC27201A 则具有兼容晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 的阈值。
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设计与开发
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评估板
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用户指南:
PDF
仿真模型
UCC27201 and UCC27201A TINA-TI Transient Reference Design (Rev. A)
SLUM114A.TSC (193 KB) - TINA-TI 参考设计
仿真模型
UCC27201 and UCC27201A TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)
SLUM113A.ZIP (30 KB) - TINA-TI Spice 模型
计算工具
SLURB12 — UCC272xx-UCC273xx Schematic Review Template
参考设计
TIDA-00653 — 用于电池充电应用的非隔离式双向转换器参考设计
TIDA-00653 是非隔离式 48V 至 12V 双向转换器参考设计，适用于 UCD3138 数字电源控制器支持的 48V 电池应用。该设计非常灵活，能够以 ZVS 转换模式拓扑工作以优化轻负载效率，也能够以硬开关拓扑工作以实现简单的系统设计。该双向转换器具有自动换相、轻载偏移和自适应死区时间优化功能，可实现超过 96% 的复合效率增益。由于效率显著提升，因此热损耗得以降低，在汽车应用中无需使用风冷或液冷。此外，使用 UCD3138 高控制频率控制器和基于硬件的状态机，可以实现小尺寸设计，并且可以释放系统 CPU 以用于电池管理等其他功能。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSON (DRM) | 8 | Ultra Librarian |
| HSOIC (DDA) | 8 | Ultra Librarian |
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
| WSON (DPR) | 10 | Ultra Librarian |
| VSON (DRC) | 9 | Ultra Librarian |
订购和质量
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