计算工具
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
LMG2104R022
- 集成驱动器的 GaN 半桥功率级100V（GaN FET 选项：2.2mΩ 和 4.4mΩ）
- 高效率、高密度的功率转换
- 超低传播延迟 (20ns) 和匹配 (2ns)
- 两个 GaN FET 的导通和关断压摆率可独立控制
- 用于优化死区时间的零电压检测 (ZVD) 报告
- 支持理想二极管模式 (IDM)，降低软开关应用下的第三象限损耗
- 输入控制灵活多样
- 独立输入模式 (IIM) 控制
- 单路 PWM 输入，电阻可编程死区时间，适配 IO 受限的控制器
- 强大的保护
- IIM 模式下的互锁保护 (LMG2104)
- 内部自举电源电压调节，可防止 GaN FET 过驱动
- 基于 VDS 监测的逐周期短路保护
- 过热、欠压和短路事件的故障指示
- 外置辅助供电电源：5V
- 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
- 寄生优化 QFN 封装，顶部设有外露焊盘，支持顶面散热
LMG210xR0xx 器件是一个 100V 半桥功率级系列，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件由采用半桥配置的高频 GaN FET 驱动器构成，可驱动两个 100V GaN FET。
由于 GaN FET 的反向恢复为零，而且输入电容 (CISS) 和输出电容 (COSS) 都极小，所以 GaN FET 在功率转换方面优势极为显著。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，最大限度减少封装寄生元件，便于在 PCB 板上安装使用。
无论 VCC 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有自举电压调节技术可将增强模式 GaN FET 的栅极电压调控至安全工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频率、高效率运行的应用，该器件是理想之选。
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | LMG210xR0xx 100V GaN 半桥功率级，集成保护功能和 智能开关特性 数据表 | PDF | HTML | 2026年 5月 19日 | ||
| 证书 | LMG210XEVM-143 EU Declaration of Conformity (DoC) | 2025年 9月 18日 |
设计与开发
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评估板
LMG210XEVM-121 — LMG2104R044 评估模块
LMG210XR044 评估模块是一款具有外部 PWM 信号的紧凑且易于使用的功率级。该电路板可配置为降压转换器、升压转换器或其他使用半桥的转换器拓扑。该器件可用于评估 LMG210XR044 作为硬开关转换器的性能，以便对诸如效率、开关速度和 dv/dt（压摆率）等测量结果进行采样。该 EVM 集成了一个 LMG210XR044 半桥电源模块，后者具有两个由 80V GaN FET 半桥栅极驱动器驱动的 100V、4.4mΩ GaN FET。请勿用于评估瞬态响应，因为这是具有外部 PWM 信号的开环板。该 EVM 安装有 LMG2104R044 器件。
评估板
LMG210XEVM-143 — LMG2104R022 评估模块
LMG210XR022 评估模块 (EVM) 是一款具有外部 PWM 信号的紧凑且易于使用的功率级。该电路板可配置为降压转换器、升压转换器或其他使用半桥的转换器拓扑。该 EVM 可用于评估 LMG210XR022 作为硬开关转换器的性能，以便对诸如效率、开关速度和 dv/dt（压摆率）等测量结果进行采样。该 EVM 集成了一个 LMG210XR022 半桥电源模块，后者具有两个由 80V GaN FET 半桥栅极驱动器驱动的 100V、2.2mΩ GaN FET。请勿用于评估瞬态响应，因为这是具有外部 PWM 信号的开环板。此 EVM 搭载 LMG2104R022 器件。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN-FCRLF (VBN) | 18 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。