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UCC23313

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具有 8V 或 12V UVLO 选项的 3.75kVrms、4A/5A 单通道光兼容隔离式栅极驱动器

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新 UCC23525 预发布 具有 12V UVLO 的 5A/5A、5.7kVRMS 增强型单通道光耦兼容隔离式栅极驱动器 Has reinforced isolation up to 5kvrms in comparison to legacy device which has basic isolation 3kvrms.

UCC23313

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产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 6000 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 4.5 Features Opto-compatible input Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 14 Input threshold 4 mA, 4mA Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Fall time (ns) 25 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
Number of channels 1 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 6000 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 4.5 Features Opto-compatible input Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 14 Input threshold 4 mA, 4mA Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Fall time (ns) 25 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
SOIC (DWY) 6 53.82 mm² 4.68 x 11.5
  • 具有光兼容输入的 3.75kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 适用于光隔离式栅极驱动器的引脚对引脚普适版升级
  • 可输出 4.5A 峰值拉电流、5.3A 峰值灌电流
  • 最高 33V 输出驱动器电源电压
  • 8V (B) 和 12V VCC UVLO 选项
  • 轨到轨输出
  • 105ns（最大值）传播延迟
  • 25ns（最大值）器件间延迟匹配
  • 35ns（最大值）脉宽失真度
  • 150kV/µs（最小值）共模瞬态抗扰度 (CMTI)
  • 隔离栅寿命大于 50 年
  • 输入级具有 13V 反极性电压处理能力，支持互锁
  • 扩展型 SO-6 封装，爬电距离和间隙大于 8.5mm
  • 运行结温 T J：–40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证（计划）：
    • 符合 DIN V VDE V0884-11:2017-01 标准的 6000V PK 基础型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3.75kV RMS 隔离
    • 获得 CQC 认证，符合 GB4943.1-2011 标准
  • 具有光兼容输入的 3.75kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 适用于光隔离式栅极驱动器的引脚对引脚普适版升级
  • 可输出 4.5A 峰值拉电流、5.3A 峰值灌电流
  • 最高 33V 输出驱动器电源电压
  • 8V (B) 和 12V VCC UVLO 选项
  • 轨到轨输出
  • 105ns（最大值）传播延迟
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  • 隔离栅寿命大于 50 年
  • 输入级具有 13V 反极性电压处理能力，支持互锁
  • 扩展型 SO-6 封装，爬电距离和间隙大于 8.5mm
  • 运行结温 T J：–40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证（计划）：
    • 符合 DIN V VDE V0884-11:2017-01 标准的 6000V PK 基础型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3.75kV RMS 隔离
    • 获得 CQC 认证，符合 GB4943.1-2011 标准

UCC23313 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有 4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 3.75kV RMS 基本隔离额定值。由于具有 33V 的高电源电压范围，因此允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件间偏移。输入级是仿真二极管 (e-diode)，这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比，可靠性和老化特性更为出色。该器件采用扩展型 SO6 封装，爬电距离和间隙大于 8.5mm，塑封材料（材料组 I）的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。UCC23313 具有高性能和高可靠性，因此非常适合用于 所有类型的电机驱动器 、光伏逆变器、工业电源和电器。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。

UCC23313 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有 4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 3.75kV RMS 基本隔离额定值。由于具有 33V 的高电源电压范围，因此允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件间偏移。输入级是仿真二极管 (e-diode)，这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比，可靠性和老化特性更为出色。该器件采用扩展型 SO6 封装，爬电距离和间隙大于 8.5mm，塑封材料（材料组 I）的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。UCC23313 具有高性能和高可靠性，因此非常适合用于 所有类型的电机驱动器 、光伏逆变器、工业电源和电器。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。
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UCC23513EVM-014 — 具有光兼容输入的 UCC23513 3A、5kVrms、单通道隔离式栅极驱动器 EVM

UCC23513EVM-014 评估模块用于评估 TI UCC23513 这一具有光兼容输入的 5kVRMS 隔离式单通道栅极驱动器。输入为电流驱动型，器件开启需要 7mA 至 16mA 输入电流，并且可以对其进行反向偏置以实现关断。该器件可提供 4A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流，以驱动 Si MOSFET、IGBT 和 WBG 器件（即 SiC 和 GaN 晶体管）
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