UCC27282
- 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
- 5V 典型欠压锁定
- 输入互锁
- 在 DRC 封装中启用/禁用功能
- 16ns 典型传播延迟
- 1.8nF 负载时的上升时间为 12ns,下降时间为 10ns
- 1ns 典型延迟匹配
- 输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5 V)
- HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (–14 V)
- ±3A 峰值输出电流
- 绝对最大启动电压为 120V
- 禁用时消耗的电流很低 (7µA)
- 集成式自举二极管
- 额定结温范围为 –40°C 至 140°C
UCC27282 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器,最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件,可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻,UCC27282 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关,因此 UCC27282 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。
输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压,因此提高了系统稳健性。输入互锁进一步提高了高噪声应用中的稳健性和系统可靠性。启用和禁用功能通过降低驱动器的功耗并响应系统内的故障事件,提供额外的系统灵活性。5V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作,这在许多高频应用中是必需的,并可在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求,从而进一步提高效率。
高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能,因此可在 VDD 电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。在许多应用中,集成自举二极管无需使用外部分立式二极管,节省布板空间和降低系统成本。UCC27282 采用小型封装,因此可支持高密度设计。
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设计和开发
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评估板
UCC27282EVM-335 — UCC27282 120V、3A、5V UVLO 高侧低侧栅极驱动器评估模块
UCC27282EVM-335 适用于评估 UCC27282DRC,后者是一种具备高峰值拉电流和灌电流能力的 120V 半桥栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。此 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
用户指南: PDF
计算工具
模拟工具
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参考设计
TIDA-050022 — 适用于输入电压低于 100V 的直流/直流转换器的功率级参考设计
此参考设计基于 UCC27282 120V 半桥 MOSFET 驱动器和 CSD19531 100V 功率 MOSFET,可实现高频功率级设计。凭借高效开关和灵活的 VGS 工作范围,此设计可降低总体栅极驱动和传导损耗,以实现卓越效率。此功率级设计可广泛应用于众多空间受限型应用,例如电信砖型电源模块、光伏逆变器和直流电机驱动器。
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
VSON (DRC) | 10 | Ultra Librarian |
VSON (DRM) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
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