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UCC27710

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具有互锁功能的 0.5A/1.0A、620V 半桥栅极驱动器

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UCC27710

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 620 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 22 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 10 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.1 Rise time (ns) 35 Fall time (ns) 16 Iq (mA) 0.25 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Noninverting Switch node voltage (V) -11 Features Interlock Driver configuration CMOS compatible, Dual, Noninverting, TTL compatible
Bootstrap supply voltage (max) (V) 620 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 10 Input supply voltage (max) (V) 22 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 10 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.1 Rise time (ns) 35 Fall time (ns) 16 Iq (mA) 0.25 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Noninverting Switch node voltage (V) -11 Features Interlock Driver configuration CMOS compatible, Dual, Noninverting, TTL compatible
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 高侧和低侧配置
  • 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间
  • 在高达 620V 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700V
  • VDD 建议范围为 10V 至 20V
  • 峰值输出电流 0.5A 拉电流、1.0A 灌电流
  • 50V/ns 的 dv/dt 抗扰度
  • HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11V
  • 输入负电压容差为 –5V
  • 大型负瞬态安全工作区
  • 为两个通道提供 UVLO 保护
  • 短传播延迟（典型值 140ns）
  • 延迟匹配（典型值 8ns）
  • 设计用于自举操作的悬空通道
  • 低静态电流
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 行业标准 SOIC-8 封装
  • 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C
  • 高侧和低侧配置
  • 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间
  • 在高达 620V 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700V
  • VDD 建议范围为 10V 至 20V
  • 峰值输出电流 0.5A 拉电流、1.0A 灌电流
  • 50V/ns 的 dv/dt 抗扰度
  • HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11V
  • 输入负电压容差为 –5V
  • 大型负瞬态安全工作区
  • 为两个通道提供 UVLO 保护
  • 短传播延迟（典型值 140ns）
  • 延迟匹配（典型值 8ns）
  • 设计用于自举操作的悬空通道
  • 低静态电流
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 行业标准 SOIC-8 封装
  • 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C

UCC27710 是一款 620V 高侧和低侧栅极驱动器，具有 0.5A 拉电流、1.0A 灌电流能力，专用于驱动功率 MOSFET 或 IGBT。

对于 IGBT，建议的 VDD 工作电压为 10V 至 20V，对于 MOSFET，建议的 VDD 工作电压为 17V。

UCC27710 包含保护 特性， 在此情况下，当输入保持开路状态时，或当未满足最低输入脉宽规范时，输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外，该器件可接受的偏置电源范围宽幅达 10V 至 20V，并且为 VDD 和 HB 偏置电源提供了 UVLO 保护。

该器件采用 TI 先进的高压器件技术， 具有 强大的驱动器，拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度，包括较大的输入负电压容差、高 dV/dt 容差、开关节点上较宽的负瞬态安全工作区 (NTSOA)，以及互锁。

该器件包含一个接地基准通道 (LO) 和一个悬空通道 (HO)，后者专用于自举电源或隔离式电源操作。该器件 具有 快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在 UCC27710 上，每个通道均由其各自的输入引脚 HI 和 LI 控制。

UCC27710 是一款 620V 高侧和低侧栅极驱动器，具有 0.5A 拉电流、1.0A 灌电流能力，专用于驱动功率 MOSFET 或 IGBT。

对于 IGBT，建议的 VDD 工作电压为 10V 至 20V，对于 MOSFET，建议的 VDD 工作电压为 17V。

UCC27710 包含保护 特性， 在此情况下，当输入保持开路状态时，或当未满足最低输入脉宽规范时，输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外，该器件可接受的偏置电源范围宽幅达 10V 至 20V，并且为 VDD 和 HB 偏置电源提供了 UVLO 保护。

该器件采用 TI 先进的高压器件技术， 具有 强大的驱动器，拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度，包括较大的输入负电压容差、高 dV/dt 容差、开关节点上较宽的负瞬态安全工作区 (NTSOA)，以及互锁。

该器件包含一个接地基准通道 (LO) 和一个悬空通道 (HO)，后者专用于自举电源或隔离式电源操作。该器件 具有 快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在 UCC27710 上，每个通道均由其各自的输入引脚 HI 和 LI 控制。
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设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

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UCC27710EVM-005 — UCC27710 620V、0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器评估模块

UCC27710EVM-005 适用于评估 UCC27710D（一种具备充足源和峰值灌电流容量的 620V 半桥栅极驱动器）。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。此 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
用户指南: PDF
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仿真模型

UCC27710 PSpice Transient Model

SLUM591.ZIP (69 KB) - PSpice Model
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