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LMG3522R030

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ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET

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製品詳細

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQS) 52 144 mm² 12 x 12
  • ゲート ドライバ内蔵の 650 650V GaN オン Si FET
    • 高精度のゲート バイアス電圧を内蔵
    • FET ホールド オフ：200V/ns
    • 2MHz のスイッチング周波数
    • 20V/ns～150V/ns のスルーレートによるスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
    • 7.5V～18V 電源で動作
  • 堅牢な保護
    • サイクル単位の過電流保護と 100ns 未満の応答時間を持つラッチ付き短絡保護
    • ハード スイッチング中のサージ耐性：720V
    • 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
  • 高度なパワー マネージメント
    • デジタル温度 PWM 出力
    • LMG3526R030 は、ソフト スイッチング コンバータを容易にするゼロ電圧検出機能を装備
    • LMG3527R030 は、ソフト スイッチング コンバータを容易にするゼロ電流検出 (ZCD) 機能を装備
  • 上面から放熱する 12mm × 12mm の VQFN パッケージにより、電気的経路と熱的経路を分離することで電力ループのインダクタンスを最小化
  • ゲート ドライバ内蔵の 650 650V GaN オン Si FET
    • 高精度のゲート バイアス電圧を内蔵
    • FET ホールド オフ：200V/ns
    • 2MHz のスイッチング周波数
    • 20V/ns～150V/ns のスルーレートによるスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
    • 7.5V～18V 電源で動作
  • 堅牢な保護
    • サイクル単位の過電流保護と 100ns 未満の応答時間を持つラッチ付き短絡保護
    • ハード スイッチング中のサージ耐性：720V
    • 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
  • 高度なパワー マネージメント
    • デジタル温度 PWM 出力
    • LMG3526R030 は、ソフト スイッチング コンバータを容易にするゼロ電圧検出機能を装備
    • LMG3527R030 は、ソフト スイッチング コンバータを容易にするゼロ電流検出 (ZCD) 機能を装備
  • 上面から放熱する 12mm × 12mm の VQFN パッケージにより、電気的経路と熱的経路を分離することで電力ループのインダクタンスを最小化

統合型ドライバと保護機能を搭載した LMG352xR030 GaN FET は、スイッチ モード パワー コンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は新しいレベルの電力密度と効率を実現できます。

LMG352xR030 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン ドライバを内蔵しています。テキサス・インスツルメンツの統合型高精度ゲート バイアスは、ディスクリート シリコン ゲート ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と テキサス・インスツルメンツの低インダクタンス パッケージの組み合わせにより、ハード スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート ドライブ強度により、20V/ns～150V/ns のスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。LMG3526R030 は、ゼロ電圧検出 (ZVD) 機能を備えており、ゼロ電圧スイッチングが発生したとき ZVD ピンからパルスを出力します。は、LMG3527R030 ゼロ電流検出 (ZCD) 機能を備えており、正のドレイン－ソース間電流が検出されたときに ZCD ピンからパルスを出力します。

先進的な電源管理機能として、デジタル温度レポート、フォルト検出を備えています。GaN FET の温度は可変デューティ サイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告される障害には、過電流、短絡、過熱、VDD UVLO、高インピーダンス RDRV ピンがあります。

統合型ドライバと保護機能を搭載した LMG352xR030 GaN FET は、スイッチ モード パワー コンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は新しいレベルの電力密度と効率を実現できます。

LMG352xR030 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン ドライバを内蔵しています。テキサス・インスツルメンツの統合型高精度ゲート バイアスは、ディスクリート シリコン ゲート ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と テキサス・インスツルメンツの低インダクタンス パッケージの組み合わせにより、ハード スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート ドライブ強度により、20V/ns～150V/ns のスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。LMG3526R030 は、ゼロ電圧検出 (ZVD) 機能を備えており、ゼロ電圧スイッチングが発生したとき ZVD ピンからパルスを出力します。は、LMG3527R030 ゼロ電流検出 (ZCD) 機能を備えており、正のドレイン－ソース間電流が検出されたときに ZCD ピンからパルスを出力します。

先進的な電源管理機能として、デジタル温度レポート、フォルト検出を備えています。GaN FET の温度は可変デューティ サイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告される障害には、過電流、短絡、過熱、VDD UVLO、高インピーダンス RDRV ピンがあります。
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技術資料

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設計および開発

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評価ボード

PFC23338EVM-107 — e メーター機能搭載、3.6kW、単相トーテム ポール ブリッジレス PFC の評価マザー ボード

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ユーザー ガイド: PDF | HTML
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ドーター・カード

LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 車載、ドライバ内蔵、650V 30mΩ GaN FET ドーター カード

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シミュレーション・モデル

LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model

SNOM768.ZIP (340 KB) - PLECS model
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シミュレーション・モデル

LMG3522R030 PSpice Model

SNOM770.ZIP (644 KB) - PSpice Model
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CAD/CAE シンボル

LMG3522R030 Step File

SNOR033.ZIP (701 KB)
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計算ツール

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
サポート対象の製品とハードウェア

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製品
窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG2100R026 — 100V、2.6mΩ、ハーフブリッジ GaN (窒化ガリウム) 電力段 LMG2100R044 — ドライバと保護機能内蔵、100V、4.4mΩ、ハーフブリッジ GaN FET LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ クランプ フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG2640 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、105mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG2650 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、95mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG2652 — ドライバと保護機能と電流センス機能内蔵、650V、140mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG2656 — ドライバと保護機能と電流センス機能内蔵、650V、230mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能を内蔵した 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3426R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3426R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET LMG3427R030 — ドライバと保護機能とゼロ電流検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3427R050 — ドライバと保護機能とゼロ電流検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R050 — ドライバと保護機能と温度報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG3527R030 — ドライバと保護機能とゼロ電流検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG5200 — 80V GaN ハーフ ブリッジ電力段
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多くの TI リファレンス デザインには、LMG3522R030 があります。

TI のリファレンス デザイン セレクション ツールを使用すると、開発中のアプリケーションやパラメータとの適合度が最も高いデザインの確認と特定を進めることができます。

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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VQFN (RQS) 52 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

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  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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