計算ツール
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
データシート
LMG3522R050
- ゲート ドライバ内蔵の 650 650V GaN オン Si FET
- 高精度のゲート バイアス電圧を内蔵
- FET ホールド オフ：200V/ns
- 3.6MHz のスイッチング周波数
- 15V/ns～150V/ns のスルーレートによるスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
- 7.5V～18V 電源で動作
- 堅牢な保護
- サイクル単位の過電流保護と100ns未満の応答時間を持つラッチ付き短絡保護
- ハード スイッチング中のサージ耐性：720V
- 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
- 高度なパワー マネージメント
- デジタル温度 PWM 出力
- LMG3526R050 は、ソフト スイッチング コンバータを容易にするゼロ電圧検出機能を装備
- 上面から放熱する 12mm × 12mm の VQFN パッケージにより、電気的経路と熱的経路を分離することで電力ループのインダクタンスを最小化
統合型ドライバと保護機能を搭載した LMG352xR050 GaN FET は、スイッチ モード パワー コンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は新しいレベルの電力密度と効率を実現できます。
LMG352xR050 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン ドライバを内蔵しています。テキサス・インスツルメンツの統合型高精度ゲート バイアスは、ディスクリート シリコン ゲート ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と テキサス・インスツルメンツの低インダクタンス パッケージの組み合わせにより、ハード スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート ドライブ強度により、15V/ns～150V/ns のスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。LMG3526R050 は、ゼロ電圧検出（ZVD）機能を備えており、ゼロ電圧スイッチングが発生したときZVDピンからパルスを出力します。
先進的な電源管理機能として、デジタル温度レポート、フォルト検出を備えています。GaN FET の温度は可変デューティ サイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告される障害には、過電流、短絡、過熱、VDD UVLO、高インピーダンス RDRV ピンがあります。
技術資料
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1 をすべて表示 | 上位の文書 | タイプ | タイトル | フォーマットオプション | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | LMG352xR050 650 V 50 mΩ GaN FET、統合型ドライバと保護機能および温度レポート機能搭載 データシート (Rev. A 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2024年 5月 27日 |
設計と開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
評価ボード
LMG342X-BB-EVM — LMG342x 評価基板
LMG342X-BB-EVM は、LMG3422EVM-043 などの LMG342xR0x0 ハーフ ブリッジ ボードを非同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト (外部取り出し) ボードです。この評価基板 (EVM) は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN (窒化ガリウム) デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。この評価基板は適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 12A の出力電流を供給できます。この評価基板は開ループ ボードなので、過渡測定に適していません。
(...)
ドーター・カード
LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 車載、ドライバ内蔵、650V 30mΩ GaN FET ドーター カード
LMG3522EVM-042 は、2 個の LMG3522R030 GaN FET によるハーフブリッジ構成に、サイクルごとの過電流保護機能とラッチ付き短絡保護機能を実装し、必要な補助ペリフェラル回路をすべて組み合わせています。この評価基板 (EVM) は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。
ユーザー ガイド: PDF
リファレンス・デザイン
TIDA-010933 — GaN ベース、1.6kW、双方向、マイクロインバータのリファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、エネルギー ストレージ機能搭載、4 入力、双方向、1.6kW、GaN ベースのマイクロインバータを提示します。
設計ガイド: PDF
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VQFN (RQS) | 52 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブ拠点
- アセンブリ拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。